Badania nad technologią otrzymywania cienkich warstw emitera metodą rozpylania magnetronowego dla zastosowań w ogniwach CIGS Research on the technology of obtaining thin layers of emitter in CIGS photovoltaic cells by using magnetron sputtering process
Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne wykonane na bazie struktury CIGS
(mieszaniny pierwiastków miedzi, indu, galu oraz selenu) należą do II generacji
ogniw fotowoltaicznych. Wykazują one efektywność na poziomie zbliżonym do
ogniw I generacji, lecz ze względu na niższe zużycie materiału, coraz częściej wypierają
z rynku ogniwa krzemowe Artykuł przedstawia rezultaty badań dotyczących
sposobu otrzymywania warstwy buforowej CdS (siarczku kadmu), zastosowanej
w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych typu CIGS. Przyjęto
dwa rozwiązania technologii nanoszenia: warstwa okna CdS uzyskana metodą
rozpylenia magnetronowego oraz warstwa okna CdS uzyskana metodą kąpieli
chemicznej (CBD– Chemical Bath Deposition). Struktura ta powinna posiadać odpowiednią
wielkość przerwy energetycznej, która pozwali na większą absorpcję
fotonów, a także wymaga się, aby była cienka (mniej niż 100 nm) i jednolita. Warstwy
CdS zostały nałożone przez osadzanie w kąpieli chemicznej CBD na szklanych
podłożach pokrytych Mo/CIGS (naniesione warstwy metodą sputteringu magnetronowego).
Uzyskano dzięki temu warstwę emitera o grubości 80 nm po czasie
osadzania 35 minut. Dla porównania warstwy CdS zostały nałożone poprzez
sputtering magnetronowy na podłożu Mo/CIGS, uzyskanym tą samą metodą. Następnie
oba rozwiązania zostały przebadane pod względem morfologii powierzchni
na elektronowym mikroskopie skaningowym, jak również przeprowadzono analizy
składu pierwiastkowego warstw. Zarówno jedna, jak i druga metoda prowadzi do
otrzymania warstwy emitera CdS dla zastosowań w ogniwach CIGS.
Thin-film photovoltaic cells created based on the structure of CIGS (a mixture of the elements
copper, indium, gallium and selenium) belong to the second generation of photovoltaic
cells. They show the effectiveness of a level similar to the cells of the first generation, but due to
lower material consumption, they increasingly forcing out silicon solar cells. The article presents
the results of research of the method for obtaining a CdS buffer layer, used in thin-film CIGS photovoltaic
cells. Two technology solutions of application were adopted: layer of CdS window obtained
by the magnetron sputtering and layer of CdS obtained by chemical method (CBD- Chemical
Bath Deposition). CdS layer has been imposed by the deposition in the chemical bath on glass
substrates covered with Mo/CIGS (layers applied by magnetron sputtering). Allowing an emitter
layer having a thickness of 80 cm after 35 minutes of deposition time. For comparison, a CdS layer
was applied by magnetron sputtering on the substrate Mo/CIGS obtained by the same method.
Subsequently, both solutions were examined in the SEM microscope to check the surface morphology,
and also to analysis the elemental composition of the layers. Both methods leads to receive
CdS emitter layer for use in CIGS cells.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00