Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "bipolar transistor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
    Autorzy:
    Zaręba, A.
    Łukasiak, L.
    Jakubowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308625.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    heterojunction bipolar transistor
    SiGe
    base width modulation
    Opis:
    A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 88-92
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Study of electro-thermal stress of IGBT devices
    Autorzy:
    Shaban, M. A.
    Ettomi, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377956.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    electro-thermal stress
    IGBT
    Insulated Gate Bipolar Transistor
    Opis:
    The aim of this paper is to present a new approach which consists to correlate or coupled the functional and electrical stress with temperature. This approach can be extremely useful in the predicting the stressing effect and the impact of IXGH-IGBT I-V characteristics on circuit degradation. Moreover, this new approach significantly improves such parameters likes (threshold voltage Vth, collector saturation current, the stress and enhanced collector leakage current) and provides new capability for use this power device IXGH-IGBT in an actual circuit environment and modules. We also explain the physical reasons behind the improvement obtained using functional electrical stress on the IGBTs for IXYS constructor with temperature. Moreover, the forward blocking capability of IXGH-IGBT under a coupled Functional - Electro stress at high temperature was analyzed using simulation. This paper gives a straight comparison in term of the stress for improving the switching speed of IGBT device. This study is essential to ensure product reliability and to the evaluation of hot carrier reliability in the early stages. Furthermore, our reliability study permits us to improve the implantation of the device in a circuit, as well as its use in industrial operating conditions. The need for good simulator (Spice, Spice) to carry out a reliability study is pointed out in this paper.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 275-284
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Compact nanosecond pulse generator based on IGBT and spark gap cooperation
    Autorzy:
    Achour, Y.
    Starzyński, J.
    Łasica, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/202157.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    pulsed power
    nanosecond generator
    Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
    spark gap
    avalanche mode Bipolar Junction Transistor
    Opis:
    The present paper describes a new architecture of a high-voltage solid-state pulse generator. This generator combines the two types of energy storage systems: inductive and capacitive, and consequently operates two types of switches: opening and closing. For the opening switch, an isolated gate bipolar transistor (IGBT) was chosen due to its interesting characteristics in terms of controllability and robustness. For the closing switch, two solutions were tested: spark-gap (SG) for a powerful low-cost solution and avalanche mode bipolar junction transistor (BJT) for a fully semiconductor structure. The new architecture has several advantages: simple structure and driving system, high and stable controllable repetition rate that can reach 1 kHz, short rising time of a few nanoseconds, high gain and efficiency, and low cost. The paper starts with the mathematical analysis of the generator operation followed by numerical simulation of the device. Finally add a comma the results were confirmed by the experimental test with a prototype generator. Additionally, a comparative study was carried out for the classical SG versus the avalanche mode BJT working as a closing switch.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 377-388
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
    Autorzy:
    Zaręba, A.
    Jakubowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    heterojunction bipolar transistor
    base transit time
    current gain
    Opis:
    SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices
    Autorzy:
    Ashburn, P.
    El Mubarek, H. A. W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308789.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    bipolar transistor
    boron diffusion
    fluorine
    passivation of interface states
    polysilicon emitter
    Opis:
    This paper reviews the behaviour of fluorine in silicon and silicon-germanium devices. Fluorine is shown to have many beneficial effects in polysilicon emitter bipolar transistors, including higher values of gain, lower emitter resistance, lower 1/f noise and more ideal base characteristics. These results are explained by passivation of trapping states at the polysilicon/silicon interface and accelerated break-up of the interfacial oxide layer. Fluorine is also shown to be extremely effective at suppressing the diffusion of boron, completely suppressing boron transient enhanced diffusion and significantly reducing boron thermal diffusion. The boron thermal diffusion suppression correlates with the appearance of a fluorine peak on the SIMS profile at approximately half the projected range of the fluorine implant, which is attributed to vacancy- fluorine clusters. When applied to bipolar technology, fluorine implantation leads to a record fT of 110 GHz in a silicon bipolar transistor.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 57-63
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Przetwornice statyczne dużej mocy z elementami SiC do pojazdów trakcyjnych
    High Power Static Converters for Traction Vehicles Powered by SiC Technology
    Autorzy:
    Biliński, J.
    Buta, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253060.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    węglik krzemu
    przetwornice statyczne
    pojazdy trakcyjne
    IGBT
    silicon carbide
    Static converters
    traction motor
    insulated gate bipolar transistor
    Opis:
    Wysoka efektywność energetyczna i zwiększona częstotliwość pracy przetwornicy statycznej pozwalają na zminimalizowanie wymiarów układu chłodzenia i zmniejszenie zużycia energii. Nową jakość wnoszą przetwornice statyczne, wykorzystujące technologię SiC. Zmniejszenie masy urządzeń i ich wielkości jest bardzo znaczące (ok. 40–50%). Wyższa częstotliwość przełączania zmniejsza wymiar elementów magnetycznych (ok. 80%), a większa wydajność przekształtnika minimalizuje wymiary układu chłodzenia. Całkowita wydajność przetwornicy jest bardzo wysoka (94–96%). W pracy przedstawiono porównanie parametrów elementów Si i SiC, które są ważne dla nowoczesnych rozwiązań pojazdów elektrycznych. W artykule przedstawiono również parametry przetwornicy pomocniczej SiC, zaprojektowanej i wykonanej jako najnowocześniejszy produkt dla liniowych lokomotyw elektrycznych.
    High energy efficiency and increasing the working frequency of the converter will make it possible to minimize the size of the cooling system and reduce energy consumption. Auxiliary converters using the SiC technology are a new quality. The reduction of weight and size is very significant (ca. 40–50%). Higher switching frequency reduces the size of magnetic components (ca. 80%), and higher converter efficiency minimizes the size of the cooling system. The overall efficiency of the converter is extremely high (94–96%). This paper presents comparison of Si and SiC parameters which are important for modern solutions, dedicated for railway traction vehicles. Paper presents also parameters of SiC auxiliary converter, designed and manufactured as state-of-the-art product for modern mainline electric locomotives.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 11; 41-44
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Spice simulation of substrate potential shift in HVCMOS technologies
    Autorzy:
    Stefanucci, C.
    Buccella, P.
    Kayal, M.
    Sallese, J.-M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397879.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    Smart Power ICs
    HVCMOS modeling
    vertical bipolar transistor
    substrate potential shift
    Smart Power
    modelowanie HVCMOS
    pionowy tranzystor bipolarny
    Opis:
    High voltage CMOS active devices inherently include a parasitic vertical PNP bipolar transistor. When activated it injects holes into the substrate causing a dangerous potential shift. In this work a spice-modeling approach based on transistor layout is presented to simulate substrate de-biasing in Smart Power ICs. The proposed model relies on a parasitic substrate network without the need of a parasitic BJT in HVCMOS compact models. The results are compared with TCAD simulations at different temperatures showing good agreement. Potential shift of the substrate is analysed for different geometrical configurations to estimate the effect of P+ grounding schemes and backside contact.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 4; 142-147
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies