Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "bipolar transistor" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:
Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308625.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation
Opis:
A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 88-92
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Compact nanosecond pulse generator based on IGBT and spark gap cooperation
Autorzy:
Achour, Y.
Starzyński, J.
Łasica, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/202157.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
pulsed power
nanosecond generator
Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
spark gap
avalanche mode Bipolar Junction Transistor
Opis:
The present paper describes a new architecture of a high-voltage solid-state pulse generator. This generator combines the two types of energy storage systems: inductive and capacitive, and consequently operates two types of switches: opening and closing. For the opening switch, an isolated gate bipolar transistor (IGBT) was chosen due to its interesting characteristics in terms of controllability and robustness. For the closing switch, two solutions were tested: spark-gap (SG) for a powerful low-cost solution and avalanche mode bipolar junction transistor (BJT) for a fully semiconductor structure. The new architecture has several advantages: simple structure and driving system, high and stable controllable repetition rate that can reach 1 kHz, short rising time of a few nanoseconds, high gain and efficiency, and low cost. The paper starts with the mathematical analysis of the generator operation followed by numerical simulation of the device. Finally add a comma the results were confirmed by the experimental test with a prototype generator. Additionally, a comparative study was carried out for the classical SG versus the avalanche mode BJT working as a closing switch.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 377-388
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:
Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain
Opis:
SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of electro-thermal stress of IGBT devices
Autorzy:
Shaban, M. A.
Ettomi, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377956.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
electro-thermal stress
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
Opis:
The aim of this paper is to present a new approach which consists to correlate or coupled the functional and electrical stress with temperature. This approach can be extremely useful in the predicting the stressing effect and the impact of IXGH-IGBT I-V characteristics on circuit degradation. Moreover, this new approach significantly improves such parameters likes (threshold voltage Vth, collector saturation current, the stress and enhanced collector leakage current) and provides new capability for use this power device IXGH-IGBT in an actual circuit environment and modules. We also explain the physical reasons behind the improvement obtained using functional electrical stress on the IGBTs for IXYS constructor with temperature. Moreover, the forward blocking capability of IXGH-IGBT under a coupled Functional - Electro stress at high temperature was analyzed using simulation. This paper gives a straight comparison in term of the stress for improving the switching speed of IGBT device. This study is essential to ensure product reliability and to the evaluation of hot carrier reliability in the early stages. Furthermore, our reliability study permits us to improve the implantation of the device in a circuit, as well as its use in industrial operating conditions. The need for good simulator (Spice, Spice) to carry out a reliability study is pointed out in this paper.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 275-284
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices
Autorzy:
Ashburn, P.
El Mubarek, H. A. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308789.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
bipolar transistor
boron diffusion
fluorine
passivation of interface states
polysilicon emitter
Opis:
This paper reviews the behaviour of fluorine in silicon and silicon-germanium devices. Fluorine is shown to have many beneficial effects in polysilicon emitter bipolar transistors, including higher values of gain, lower emitter resistance, lower 1/f noise and more ideal base characteristics. These results are explained by passivation of trapping states at the polysilicon/silicon interface and accelerated break-up of the interfacial oxide layer. Fluorine is also shown to be extremely effective at suppressing the diffusion of boron, completely suppressing boron transient enhanced diffusion and significantly reducing boron thermal diffusion. The boron thermal diffusion suppression correlates with the appearance of a fluorine peak on the SIMS profile at approximately half the projected range of the fluorine implant, which is attributed to vacancy- fluorine clusters. When applied to bipolar technology, fluorine implantation leads to a record fT of 110 GHz in a silicon bipolar transistor.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 57-63
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przetwornice statyczne dużej mocy z elementami SiC do pojazdów trakcyjnych
High Power Static Converters for Traction Vehicles Powered by SiC Technology
Autorzy:
Biliński, J.
Buta, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/253060.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
węglik krzemu
przetwornice statyczne
pojazdy trakcyjne
IGBT
silicon carbide
Static converters
traction motor
insulated gate bipolar transistor
Opis:
Wysoka efektywność energetyczna i zwiększona częstotliwość pracy przetwornicy statycznej pozwalają na zminimalizowanie wymiarów układu chłodzenia i zmniejszenie zużycia energii. Nową jakość wnoszą przetwornice statyczne, wykorzystujące technologię SiC. Zmniejszenie masy urządzeń i ich wielkości jest bardzo znaczące (ok. 40–50%). Wyższa częstotliwość przełączania zmniejsza wymiar elementów magnetycznych (ok. 80%), a większa wydajność przekształtnika minimalizuje wymiary układu chłodzenia. Całkowita wydajność przetwornicy jest bardzo wysoka (94–96%). W pracy przedstawiono porównanie parametrów elementów Si i SiC, które są ważne dla nowoczesnych rozwiązań pojazdów elektrycznych. W artykule przedstawiono również parametry przetwornicy pomocniczej SiC, zaprojektowanej i wykonanej jako najnowocześniejszy produkt dla liniowych lokomotyw elektrycznych.
High energy efficiency and increasing the working frequency of the converter will make it possible to minimize the size of the cooling system and reduce energy consumption. Auxiliary converters using the SiC technology are a new quality. The reduction of weight and size is very significant (ca. 40–50%). Higher switching frequency reduces the size of magnetic components (ca. 80%), and higher converter efficiency minimizes the size of the cooling system. The overall efficiency of the converter is extremely high (94–96%). This paper presents comparison of Si and SiC parameters which are important for modern solutions, dedicated for railway traction vehicles. Paper presents also parameters of SiC auxiliary converter, designed and manufactured as state-of-the-art product for modern mainline electric locomotives.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 11; 41-44
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spice simulation of substrate potential shift in HVCMOS technologies
Autorzy:
Stefanucci, C.
Buccella, P.
Kayal, M.
Sallese, J.-M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397879.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
Smart Power ICs
HVCMOS modeling
vertical bipolar transistor
substrate potential shift
Smart Power
modelowanie HVCMOS
pionowy tranzystor bipolarny
Opis:
High voltage CMOS active devices inherently include a parasitic vertical PNP bipolar transistor. When activated it injects holes into the substrate causing a dangerous potential shift. In this work a spice-modeling approach based on transistor layout is presented to simulate substrate de-biasing in Smart Power ICs. The proposed model relies on a parasitic substrate network without the need of a parasitic BJT in HVCMOS compact models. The results are compared with TCAD simulations at different temperatures showing good agreement. Potential shift of the substrate is analysed for different geometrical configurations to estimate the effect of P+ grounding schemes and backside contact.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 4; 142-147
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies