Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "anisotropic wet etching" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching
Autorzy:
Kociubiński, A.
Duk, M.
Bieniek, T.
Janus, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308233.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
anisotropic wet etching
KOH
silicon technology
Opis:
The methods of parameter optimization in Etch3DTM simulator and the results of the comparison of simulations of silicon etching in KOH with experiments are presented. The aim of this study was to calibrate the tool to a set of process conditions that is offered by Institute of Electron Technology (ITE). The Taguchi approach was used to analyze the influence of every remove probability function (RPF) parameter on one or more output parameters. This allowed tuning the results of simulation to the results of real etching performed in ITE.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 65-70
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies