Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Vector Network Analyzer" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Measuring Impedances of DC-biased Inductors by Using Vector Network Analyzers
Autorzy:
Asmanis, G.
Stepins, D.
Asmanis, A.
Ribickis, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226614.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
vector network analyzer
impedance
inductor
measurements
accuracy
bias tee
Opis:
This paper is devoted to a detailed experimentally based analysis of applicability of vector network analyzers for measuring impedance of surface mount inductors with and without DC bias. The measurements are made using custom-made bias tees and a test fixture with an ordinary vector network analyzer. The main attention in the analysis is focused on measurement accuracy of an impedance of surface mount inductors. Measurement results obtained with a vector network analyzer will also be compared to those obtained by using an impedance analyzer based on auto-balancing bridge method.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2019, 65, 3; 375-380
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A six-port measurement device for high power microwave vector network analysis
Autorzy:
Kommey, Benjamin
Addo, Ernest Ofosu
Tamakloe, Elvis
Tchao, Eric Tutu
Nunoo-Mensah, Henry
Akowuah, Bright Yeboah
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/38436703.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Promocji Wiedzy
Tematy:
vector network analyzer
microwave device
S-Band network
reflection coefficient
waveguide
Opis:
The changes experienced in technology due to the third industrial revolution have over the years contributed immensely to the development of efficient devices and systems. As a result, solutions have been provided to challenges encountered in the heating industry. However, higher efficiency and better performance has undoubtedly been highly sort after. This paper presents the complete industrial development of a new system of a microwave device for use in S-band networks (2.45 GHz ISM band in this application): a vector network analyzer (VNA). The VNA, which is designed based on the six-port measurement principle, provides accurate measurements of both magnitude and phase of the load reflection coefficient. The device is designed to have high power handling capabilities and works under the full operating conditions of high-power microwave generators. Initial measurements show that the device perform stable and can perform temperature-independent measurements over protracted periods. The system is suited for on-line monitoring and control of network parameters in industrial waveguide applications.
Źródło:
Applied Computer Science; 2022, 18, 3; 105-129
1895-3735
2353-6977
Pojawia się w:
Applied Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vector Analysis of Electrical Networks for Temperature Measurement of MOS Power Transistors
Zastosowanie analizy wektorowej sieci elektrycznych do pomiaru temperatury tranzystorów MOS
Autorzy:
Torzyk, Błażej
Więcek, Bogusław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2068667.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
Vector Network Analyzer
IR camera measurement
S-parameter
MOS transistor
electrical impedance
VNA
Wektorowy Analizator Sieci
temperatura
parametry rozpraszania
parametry S
tranzystor MOS
impedancja elektryczna
pomiary termowizyjne
Opis:
The article presents the concept of using VNA (Vector Network Analyzer) to measure the temperature of the MOS transistor junction. The method assumes that the scattering parameters of the network consisting of the transistor depend on the temperature. The tests confirmed the influence of temperature on the S11 parameter and the input network capacity during ambient temperature changes in the range of 35-70°C. Measurements were made for the gate-source (G-S) input of the system. The measurements were carried-out with the transistor in the ON/OFF states. In order to validate the measurements, the temperature of the tested element was recorded with the MWIR Cedip-Titanium thermal imaging camera.
W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania wektorowego analizatora sieci VNA (ang. Vector Network Analyzer) do pomiaru temperatury złącza tranzystora MOS. Metoda zakłada, że parametry rozpraszania sieci elektrycznych wewnętrznych struktur tranzystora zależą od temperatury. Badania potwierdziły wpływ temperatury na parametr S11 oraz na pojemność wejściową przy zmianie wartości temperatury otoczenia w zakresie 35-70°C. Pomiary wykonano dla wejścia bramka-źródło (G-S) układu. Pomiary przeprowadzono z tranzystorem w stanach ON/OFF. W celu walidacji pomiarów, temperaturę badanego elementu rejestrowano kamerą termowizyjną MWIR Cedip-Titanium.
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2021, 25, 4; 83--87
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies