Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Silicon Carbide (SiC)" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-14 z 14
    Tytuł:
    Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System
    Autorzy:
    Zygmanowski, M.
    Michalak, J.
    Jeleń, M.
    Jarek, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/973060.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    IGBT
    Silicon Carbide (SiC)
    MOSFET
    Inverter
    Microgrid
    Opis:
    Three converter leg variants are analyzed for low power converter used for power electronic system for residential buildings. The two-level Si-IGBT and SiC-MOSFET converters are compared with Si-IGBT three-level T-type converter. Power losses generated in each of these converters over a predicted period of 20 years of operation are contrasted with the cost of converter options. The detailed selection procedure for output inductor is presented in this paper. This procedure shows the influence of the inductor parameters like number of turns, air gap length on its losses, cost and size. Theoretical approach is verified with simulations and experimental results.
    Źródło:
    Measurement Automation Monitoring; 2017, 63, 8; 282-287
    2450-2855
    Pojawia się w:
    Measurement Automation Monitoring
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characteristics and Applications of Silicon Carbide Power Devices in Power Electronics
    Autorzy:
    Kondrath, N.
    Kazimierczuk, M. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226774.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon carbide (SiC)
    SiC properties
    high voltage
    high-temperature
    high-frequency applications
    high-temperature electronics
    wide energy band-gap semiconductors
    Opis:
    Silicon carbide materials, with its high mechanical strength, high thermal conductivity, ability to operate at high temperatures, and extreme chemical inertness to most of the electrolytes, are very attractive for high-power applications. In this paper, properties, advantages, and limitations of SiC and conventional Si materials are compared. Various applications, where SiC power devices are attractive, are discussed.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 3; 231-236
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hybride Composite Armour Systems with Advanced Ceramics and Ultra-High Molecular Weight Polyethylene (UHMWPE) Fibres
    Hybrydowe, kompozytowe układy balistyczne z zaawansowaną ceramiką i włóknami UHMWPE
    Autorzy:
    Fejdyś, M.
    Kośla, K.
    Kucharska-Jastrząbek, A.
    Landwijt, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/234079.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
    Tematy:
    composite armour
    bullet proof vest
    multi-hit
    nonoxide ceramics
    silicon carbide (SiC)
    aluminium oxide (Al2O3)
    ultra-high molecular weight polyethylene (UHMWPE) fibres
    kompozyty włókniste
    kamizelka kuloodporna
    węglik krzemu
    SiC
    tlenek glinu
    AI2O3
    Opis:
    The aim of the research was to develop a new concept of hybride composite armour systems consisting of a ceramic and fibrous composite. Depending on the requirements for ballistic protection, armour systems may be designed to various configurations and weights based on the most suitable ceramic materials and backing. The article describes the development of a hybrid ceramic - multi-layered ultra-high molecular weight polyethylene (UHMWPE) composite armour made from silicon carbide (SiC) or aluminium oxide (Al2O3) of different thicknesses (3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 17.27 and 13.35 mm) and shapes (hexagonal and cylindrical) in combination with a polyethylene fibrous composite. Additionally research work developed a confinement system for the hybrid ceramic - multi-layered UHMWPE composite armour which significantly improves the ballistic performance of composite armour by creation of a uniform compression condition of the ceramic and by reducing its fragmentation upon impact. The ballistic armour strength was tested according to the PN-V-87000:2011, NIJ 0101.04 standard and NATO STANAG 4569 (AEP-55 Vol.1) standard for protection against more than one shot (multi-hit). The hybrid ceramic - multi-layered UHMWPE composite armour was combined with basic fibrous ballistic armours which exhibited a ballistic strength compatible with level IIIA according to the NIJ 0101.04 standard and classes K2 and O3 according to the PN-V-87000: 2011 standard.
    Celem badań było opracowanie nowej koncepcji hybrydowych, kompozytowych układów balistycznych na bazie ceramiki oraz kompozytów włóknistych. W zależności od wymagań ochrony balistycznej, układy balistyczne projektowano w różnych konfiguracjach i masach, wykorzystując odpowiednie materiały ceramiczne i te przeznaczone na tylną cześć pancerza. W artykule przedstawiono wyniki prac mające na celu opracowanie hybrydowych ceramiczno-polietylenowych kompozytów balistycznych wykonanych z ceramiki na bazie węglika krzemu (SiC) i tlenku glinu (Al2O3) o różnej grubości (3.0 mm, 3.5 mm 4.0 mm, 4.5 mm, 17.27mm, 13.35 mm) oraz kształcie (heksagonalny i cylindryczny), w połączeniu z włóknistym kompozytem polietylenowym. Dodatkowo praca badawcza doprowadziła do opracowania systemu zabezpieczającego hybrydowe ceramiczno-polietylenowe kompozyty balistyczne, który znacząco poprawił skuteczność balistyczną pancerzy kompozytowych poprzez wytworzenie jednorodnych warunków kompresji ceramiki, a także dzięki zmniejszeniu jej fragmentacji po uderzeniu. Badania odporności balistycznej pancerzy prowadzono zgodnie z normą PN-V-87000:2011, NIJ 0101.04 oraz procedurą badawczą opartą na normie NATO STANAG 4569 (AEP-55 Vol.1) w zakresie ochrony przed więcej niż jednym strzałem (multi-hit). Badania balistyczne hybrydowych ceramiczno-polietylenowych kompozytów balistycznych prowadzono w zestawieniu z opracowanymi podstawowymi włóknistymi pancerzami balistycznymi, wykazującymi odporność balistyczną zgodną z poziomem IIIA normy NIJ 0101.04 oraz klasami K2 i O3 wg PN-V-87000:2011.
    Źródło:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2016, 3 (117); 79-89
    1230-3666
    2300-7354
    Pojawia się w:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    TiAl-based Ohmic Contacts to p-type 4H-SiC
    Autorzy:
    Martychowiec, Agnieszka
    Kwietniewski, Norbert
    Kondracka, Kinga
    Werbowy, Aleksander
    Sochacki, Mariusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1844507.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ohmic contact
    SiC
    silicon carbide
    TiAl
    Opis:
    This paper describes successfully formed ohmic contacts to p-type 4H-SiC based on titanium-aluminum alloys. Four different metallization structures were examined, varying in aluminum layer thickness (25, 50, 75, 100 nm) and with constant thickness of the titanium layer (50 nm). Structures were annealed within the temperature range of 800°C - 1100°C and then electrically characterized. The best electrical parameters and linear, ohmic character of contacts demonstrated structures with Al layer thickness equal or greater than that of Ti layer and annealed at temperatures of 1000°C or higher.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 3; 459-463
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    SiC technology enters the market
    Autorzy:
    Kozłowska, Małgorzata
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/254085.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    SiC technology
    silicon carbide
    railway track
    technologia SiC
    węglik krzemu
    tory kolejowe
    Opis:
    Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9EN; 20-21
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
    Autorzy:
    Stęszewski, J.
    Jakubowski, A.
    Korwin-Pawlowski, M. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308627.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    silicon carbide
    SiC MOSFET
    4H-SiC
    6H-SiC
    Crosslight Apsys
    Silvaco Atlas
    Opis:
    A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 93-95
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ceramic and Glass Fibre Reinforced Flexible Composites for Particulate Filter Walls – A Novel Approach
    Opracowanie kompozytów giętkich wzmocnionych włóknami ceramicznymi i szklanymi do zastosowania w ścianach filtrów cząstek stałych
    Autorzy:
    Prabu, K.
    Srinivasan, J.
    Prakash, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/233341.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
    Tematy:
    PM
    particulate matters
    SiC
    silicon carbide
    cząstki stałe
    kompozyty giętkie
    Opis:
    Flexible composites from high performance fibres were developed and targeted to replace the wall of existing rigid ceramic Particulate Filters. The composites are made from E Glass fibre webs of different density in the middle, with standard SiC Ceramic fibres webs in in the outer layers, forming a sandwich structure. Different needling densities were applied to form nonwoven composites, and they were stitched diagonally on the surface at specified intervals with continuous glass fibre filament yarn. In total, nine novel flexible composites were developed and evaluated for their structural, surface, mechanical and thermal properties. Based on the results and statistical analysis, the B2 sample is considered to be taken for further research to develop Particulate Matter (PM) filters.
    W pracy opracowano giętkie kompozyty wzmocnione włóknami ceramicznymi i szklanymi do zastosowania w ścianach filtrów cząstek stałych. Kompozyty tworzące strukturę wielowarstwową zostały wykonane ze wstęg z włókna szklanego o różnej gęstości (warstwa wewnętrzna) i włókien ceramicznych (warstwa zewnętrzna). Zastosowano różne gęstości igłowania w celu utworzenia kompozytów włókninowych i zszyto je ukośnie na powierzchni w określonych odstępach za pomocą ciągłej przędzy z włókna szklanego. Opracowano dziewięć nowych giętkich kompozytów i oceniono ich właściwości: strukturalne, powierzchniowe, mechaniczne i termiczne. Na podstawie wyników i analizy statystycznej stwierdzono, że do dalszych badań w celu opracowania filtrów materii cząstek stałych (PM) należy wytypować próbkę B2.
    Źródło:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2019, 3 (135); 91-97
    1230-3666
    2300-7354
    Pojawia się w:
    Fibres & Textiles in Eastern Europe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Various Aspects of Application of Silicon Carbide in the Process of Cast Iron Melting
    Autorzy:
    Janerka, Krzysztof
    Kostrzewski, Łukasz
    Stawarz, Marcin
    Jezierski, Jan
    Szajnar, Jan
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2134113.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    cast iron
    ductile iron
    silicon carbide
    SiC
    cast iron melting
    Opis:
    The article discusses benefits associated with the use of silicon carbide in the process of melting gray cast iron and ductile cast iron in induction electric furnaces. It presents the analysis of the impact of various charge materials and the addition of a variable amount of SiC and FeSi to the fixed charge when melting cast iron of grades GJS 400-15 and GJS 500-7 on mechanical properties and microstructure. Moreover, the article includes an analysis of the efficiency of carburization and the increase in the content of silicon during the application of SiC. The article also presents the results of the study of primary modification using silicon carbide at the minimum temperature of Temin eutectic and Tsol solidus. Based on analysis of the literature, conducted research, and calculations, it was found that the addition of silicon carbide has a beneficial impact on the properties of melted cast iron. The addition of SiC in the charge increases the content of C and Si without increasing the amount of contaminations. The addition of SiC at reduced pig iron presence in the charge decreases production costs, while the use of SiC as an inoculant increases both Temin and Tsol, which is beneficial from the point of view of cast iron nucleation.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2022, 67, 3; 1093--1098
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/199922.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge termination
    silicon carbide
    4H-SiC
    p-i-n diode
    breakdown voltage
    JTE
    Opis:
    In this work, in order to obtain breakdown voltage values of the 4H-SiC p-i-n diodes above 1.7 kV, three designs have been examined: single-zone junction termination extention (JTE), double-zone JTE and a structure with concentric rings outside each of the areas of the double-zone JTE (space-modulated JTE). The influence of geometry and the level of p-type doping in the JTE area as well as the charge as the interface between the p-type JTE area and the passivation layer on the diode breakdown voltage was studied. The effect of statistical dispersion of drift layer parameters (thickness, doping level) on diodes breakdown voltage with various JTE structures was investigated as well. The obtained results showed that the breakdown volatge values for a diode with single zone JTE are very sensitive both to the dose of JTE area and charge accumulated at the JTE/dielectric interface. The use of a double zone or space-modulated JTE structures allows for obtaining breakdown voltage above 1.7 kV for a much wider range of doping parameters and with better tolerance to positive charge at the JTE/dielectric interface, as well as better tolerance to statistical dispersion of active layer parameters compared to a single zone JTE structure.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 367-375
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
    Autorzy:
    Bąba, Sebastian
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2173625.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    reliability engineering
    reliability modelling
    power MOSFET
    SiC
    silicon carbide
    inżynieria niezawodności
    modelowanie niezawodności
    węglik krzemu
    tranzystor mocy MOSFET
    Opis:
    The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137386
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
    Autorzy:
    Bąba, Sebastian
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2090738.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    reliability engineering
    reliability modelling
    power MOSFET
    SiC
    silicon carbide
    inżynieria niezawodności
    modelowanie niezawodności
    węglik krzemu
    tranzystor mocy MOSFET
    Opis:
    The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137386, 1--8
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
    Autorzy:
    Taube, A.
    Guziewicz, M.
    Kosiel, K.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Król, K.
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aluminum oxide
    MOS
    silicon carbide
    4H-SiC
    high-K dielectrics
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    dielektryki high-k
    Opis:
    The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Otrzymywanie i charakterystyka wodnych zawiesin węglika krzemu przeznaczonych do wytwarzania wyrobów metodą odlewania
    Preparation and characterisation of aqueous suspensions of silicon carbide for use in the manufacturing of products by the slip casting method
    Autorzy:
    Gnyla, Joanna
    Gubernat, Agnieszka
    Zych, Łukasz
    Lach, Radosław
    Zientara, Dariusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/168202.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
    Tematy:
    zawiesiny węglika krzemu
    NaOH
    TMAH
    potencjał dzeta
    lepkość pozorna
    aktywatory spiekania SiC
    spiekanie swobodne
    silicon carbide suspensions
    zeta potential
    apparent viscosity
    oxide sintering additives
    pressureless sintering
    Opis:
    W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości zawiesin o 30% udziale objętościowym fazy stałej, którą stanowiły proszki: SiC, Al2O3 i Y2O3 w funkcji dodatku upłynniaczy, tj. TMAH i NaOH w ilości od 0,0 do 1,0% mas. w przeliczeniu na masę fazy stałej. Na podstawie wyznaczonych krzywych lepkości i szybkości sedymentacji stwierdzono, że optymalna ilość upłynniaczy wynosi 0,4–0,6% mas. Wówczas zawiesiny wykazują pH z zakresu 10–11, a wartość potencjału dzeta cząstek gwarantuje ich stabilizację. Uzyskane wyniki badań dały podstawy do zaproponowania elektrostatycznego mechanizmu stabilizacji zawiesin przez oba upłynniacze. Do zawiesin wprowadzono dodatki tlenkowe i spoiwo, a następnie uformowano z nich wyroby (tygle) techniką odlewania. Celem wprowadzenia dodatków tlenkowych było aktywowanie spiekania węglika krzemu. Aktywatorami spiekania była mieszanina tlenków glinu i itru w stosunku masowym 3:2 i w ilości 10% mas. Jako dodatek ułatwiający formowanie zastosowano spoiwo akrylowe w ilości 0,5, 2, 5 i 10% mas. w odniesieniu do masy proszku SiC. Wyroby spiekano w temperaturze 2050 i 2150°C. Wytworzono w ten sposób materiały SiC o wysokiej gęstości i jednorodnej mikrostrukturze.
    The paper presents the results of investigations on the properties of suspensions with 30% volume fraction of solid phase which consisted of SiC, Al2O3 and Y2O3 powders as a function of dispersing agents i.e. TMAH and NaOH additive in the amount from 0.0 to 1.0 wt. % calculated on the basis of the solid phase mass. Based on the determined viscosity curves and sedimentation rate measurements, the optimum amount of dispersing agents was found to be 0.4–0.6 wt. %. The suspensions showed pH from the range 10–11 and the value of the zeta potential of particles guaranteed their stabilization. The obtained results gave rise to the proposal of an electrostatic mechanism of stabilization of the suspensions by both dispersing agents. Oxide additives and binders were added to the suspensions and then the products (crucibles) were formed using the slip casting technique. The purpose of introducing the oxide additives was to activate sintering of silicon carbide. The sintering activators were a mixture of aluminium and yttrium oxides in a mass ratio of 3:2 and in the amount of 10% by weight. Acrylic binder in the amount of 0,5, 2, 5 and 10 wt. % was used as an additive facilitating the formation of SiC powder. The products were sintered at 2050 and 2150°C. SiC materials of high density and homogeneous microstructure were produced in this way.
    Źródło:
    Szkło i Ceramika; 2019, R. 70, nr 3, 3; 10-15
    0039-8144
    Pojawia się w:
    Szkło i Ceramika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
    Single-phase inverter with active power decoupling
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    falownik jednofazowy
    odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
    sterowanie przekształtnikiem
    tranzystor z węglika krzemu
    SiC
    single-phase inverter
    decoupling of the alternating component of the instantaneous power
    converter control
    silicon carbide transistors
    Opis:
    Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
    In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-14 z 14

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies