This paper describes successfully formed ohmic contacts to p-type 4H-SiC based on titanium-aluminum alloys. Four different metallization structures were examined, varying in aluminum layer thickness (25, 50, 75, 100 nm) and with constant thickness of the titanium layer (50 nm). Structures were annealed within the temperature range of 800°C - 1100°C and then electrically characterized. The best electrical parameters and linear, ohmic character of contacts demonstrated structures with Al layer thickness equal or greater than that of Ti layer and annealed at temperatures of 1000°C or higher.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00