Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "SiC converter" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Technologia SiC wkracza na rynek
    SiC technology enters the market
    Autorzy:
    Kozłowska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/250082.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    przetwornica SiC
    pojazdy szynowe
    autobusy elektryczne
    SiC converter
    rolling stock
    electric buses
    Opis:
    Węglik krzemu to jedna z najbardziej perspektywicznych technologii w obszarze energoelektroniki dużych mocy, która ma dać impuls do rozwoju nowoczesnego taboru szynowego i autobusów elektrycznych. Zapowiadana od kilku lat rewolucja technologiczna staje się faktem – firma MEDCOM wprowadziła produkty SiC do seryjnej produkcji, a pierwsze pojazdy wyposażone w przetwornice bazujące na węgliku krzemu już wyjechały na kolejowe tory.
    Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9; 38-39
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Experimental study of snubber circuit design for SiC power MOSFET devices
    Autorzy:
    Niewiara, Ł. J.
    Skiwski, M.
    Tarczewski, T.
    Grzesiak, L. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/97236.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    DC\DC converter
    snubber circuit
    SiC MOSFET
    Opis:
    In this paper a design process of snubber circuit for DC\DC converter is presented. Computer simulation and experimental tests were carried out. Due to the presence of parasitic LC (inductance and capacitance) circuit in the power stage, it is necessary to use an additional snubber circuit for voltage overshoot and oscillations reduction. A simulation model of the converter with parasitic circuit was designed. Six topologies of snubber circuits (C, single C, RC, single RC, RCD, single RCD) were investigated in simulation tests. Simulation model of the proposed system has been investigated in Matlab/Simulink/PLECS environment. Input signal parameters like voltage overshoot, rise time, fall time were compared for considered snubber circuits. Experimental tests were carried out for the best simulation results. It confirm the proper choice of snubber circuit.
    Źródło:
    Computer Applications in Electrical Engineering; 2015, 13; 120-131
    1508-4248
    Pojawia się w:
    Computer Applications in Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Computer aided design of snubber circuit for DC/DC converter with SiC power MOSFET devices
    Autorzy:
    Niewiara, Ł.
    Skiwski, M.
    Tarczewski, T.
    Grzesiak, L. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378069.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    DC\DC converter
    snubber circuit
    SiC MOSFET
    Opis:
    In this paper a computer aided design of snubber circuit for DC\DC converter is presented. Due to the presence of parasitic LC circuit in the power stage (inductance and capacitance), it is necessary to use an additional snubber circuit for voltage overshoot and oscillations reduction. A simulation model of the converter with parasitic circuit was designed. Three types of snubber circuits (C, RC, RCD) were investigated in simulation tests. Simulation model of the proposed system has been investigated in Matlab/Simulink/PLECS environment. Input signal parameters like voltage overshoot, rise time, fall time were compared for considered snubber circuits. Experimental tests were carried out for the best simulation result. It confirm the proper choice of snubber circuit.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 77-83
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Silicon carbide based DC-DC converter – operating analysis
    Autorzy:
    Niewiara, Ł.
    Tarczewski, T.
    Grzesiak, L. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377549.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    DC\DC converter
    SiC MOSFETS
    high switching frequency
    Opis:
    In this paper operating analysis of DC-DC converter is presented. Silicon Carbide based DC-DC converter is investigated. SiC power switches (i.e. MOSFETs and diodes) were used. Synchronous buck topology is applied for converter structure. The DC-DC converter mathematical model is also presented. The parameters of LC circuit were calculated using shown equations. Working conditions determine the values of output LC circuit (inductance and capacitance). The analysis of working conditions is presented for different switching frequencies. The size of passive components (LC) is compared for different operating points. Experimental tests results were presented. Waveforms of voltage and current signals were also shown.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 88; 109-119
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of circuit and operation for DC–DC converter based on silicon carbide
    Autorzy:
    Niewiara, Ł. J.
    Tarczewski, T.
    Grzesiak, L. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/97287.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    DC\DC converter
    SiC MOSFETS
    high switching frequency
    DC–DC converter design
    snubber circuit
    Opis:
    In this paper operating analysis of DC–DC converter is presented. Silicon Carbide based DC–DC converter is investigated. SiC power switches (i.e. MOSFETs and diodes) were used. Synchronous buck topology is applied for converter structure. The DC–DC converter mathematical model is also presented. The parameters of LC circuit were calculated using shown equations. Working conditions determine the values of output LC circuit (inductance and capacitance). Real power semiconductors are equipped in output and input capacitances. This feature may influence the generated input signal. Parasitic capacitances and inductances of the paths causes oscillations and voltage overshoots of the input PWM signal. To avoid such phenomenon, it is necessary to use a snubber circuit. This issue is also presented. The analysis of working conditions is presented for different switching frequencies. The size of passive components (LC) is compared for different operating points. Experimental tests results were presented. Waveforms of voltage and current signals were also shown.
    Źródło:
    Computer Applications in Electrical Engineering; 2016, 14; 268-279
    1508-4248
    Pojawia się w:
    Computer Applications in Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
    Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
    Autorzy:
    Fatyga, K.
    Kwaśny, Ł.
    Stefańczak, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    IGBT
    SiC
    transistor
    MOSFET
    DC/DC converter
    tranzystor
    przekształtnik DC/DC
    Opis:
    This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
    W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of artificial bee colony algorithm to auto-tuning of state feedback controller for DC-DC power converter
    Autorzy:
    Tarczewski, T.
    Niewiara, Ł. J.
    Grzesiak, L M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1193254.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    artificial bee colony algorithm
    state feedback controller
    DC-DC power converter
    SiC MOSFET
    Opis:
    The article presents an auto-tuning method of state feedback voltage controller for DC-DC power converter. The penalty matrices employed for calculation of controller’s coefficients were obtained by using nature-inspired artificial bee colony (ABC) optimization algorithm. This overcomes the main drawback of state feedback control related to time-consuming trial-and-error tuning procedure. The optimization algorithm takes into account constraints of selected state and control variables of DC-DC power converter. In order to meet all control objectives (i.e., fast voltage response and chattering-free control signal) an appropriate performance index is proposed. Proper selection of state feedback controller (SFC) coefficients is proven by simulation and experimental tests of DC-DC power converter.
    Źródło:
    Power Electronics and Drives; 2016, 1, 36/2; 83-96
    2451-0262
    2543-4292
    Pojawia się w:
    Power Electronics and Drives
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Eksperymentalne porównanie modułów ładowania pojazdów elektrycznych wykonanych w technologii krzemowej i węglika krzemu
    Experimental comparison of EV charging modules with silicon and silicon carbide power transistors
    Autorzy:
    Piasecki, Szymon
    Załęski, Jarosław
    Jasiński, Marek
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2056411.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    ładowarka EV
    szybka ładowarka DC
    SiC MOSFET
    Si IGBT
    wysoka sprawność
    przekształtnik dwustopniowy AC-DC
    EV charger
    DC/DC
    fast DC charger
    high efficiency
    two-stages AC/DC converter
    Opis:
    Artykuł przedstawia porównanie sprawności modułów ładowarek o mocy 50 kW, składających się z przekształtników AC/DC i DC/DC. Zaprezentowane moduły zostały opracowane i wdrożone przez firmę Zakład Energoelektroniki Twerd Sp. z o.o. jako moduły szybkiego ładowania pojazdów elektrycznych zapewniające separację galwaniczną między obwodami AC i DC poprzez wysokoczęstotliwościowy transformator. Pierwszy z modułów wykonany jest w tradycyjnej technologii krzemowej (tranzystory IGBT) i topologii umożliwiającej jednokierunkowy przesył energii. Drugi moduł w swojej konstrukcji wykorzystuje tranzystory mocy z węglika krzemu (SiC) i umożliwia dwukierunkowy transfer energii. W artykule przybliżono topologie analizowanych przekształtników oraz zaprezentowano eksperymentalne porównanie sprawności obu modułów współpracujących z baterią pojazdu elektrycznego.
    The article presents a comparison of the efficiency of 50 kW charger modules, consisting of AC/DC and DC/DC converters. The presented modules were developed and implemented by Zakład Energoelektroniki Twerd Sp. z o.o. as fast charging modules for electric vehicles ensuring galvanic separation between AC and DC circuits through a high-frequency transformer. The first module is made in traditional silicon technology (IGBT transistors) and a topology that enables unidirectional energy transfer. The second module uses silicon carbide (SiC) power transistors in its design and enables bi-directional energy transfer. The article presents the topologies of the analyzed converters and presents an experimental comparison of the efficiency of both modules cooperating with the electric vehicle battery.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2021, 2, 126; 47--52
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
    Single-phase inverter with active power decoupling
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    falownik jednofazowy
    odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
    sterowanie przekształtnikiem
    tranzystor z węglika krzemu
    SiC
    single-phase inverter
    decoupling of the alternating component of the instantaneous power
    converter control
    silicon carbide transistors
    Opis:
    Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
    In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies