Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Schottky Diodes" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
    Badanie szumów RTS w diodach SiC spolaryzowanych w kierunku zaporowym
    Autorzy:
    Szewczyk, A.
    Stawarz-Graczyk, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266700.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    szumy RTS
    dioda Schottky'ego
    RTS noise
    Schottky diodes
    Opis:
    One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
    Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2014, 40; 103-106
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    DC characteristics of the SiC Schottky diodes
    Autorzy:
    Janke, W.
    Hapka, A.
    Oleksy, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/202279.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon carbide
    Schottky diodes
    static characteristics
    high-temperature
    Opis:
    The isothermal and non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes in the wide range of currents and ambient temperatures are investigated in this paper. The measurements of the diodes characteristics have been performed with the use of a pulse method, with fast registration of measurement points after the diode current turning on, or with the use of a fully static method, in which the self-heating phenomenon is taken into account. Apart from the measurements, the series of numerical experiments, giving the isothermal and non-isothermal characteristics as a result, were executed. The complex, accurate numerical procedures as well as simplified analytical calculations were implemented. A good conformity of all calculation and measurement results have been obtained. In the presented investigations, for relatively high currents and ambient temperatures, the influence of self-heating on the SiC Schottky diodes static characteristics is significant. The large (even 4 V for the ambient temperature 300.C ) values of voltages corresponding to the nominal diode currents have been observed.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 2; 183-188
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Temperature dependent electrical characteristics of Nichrome/4H-SiC Schottky barrier diodes
    Autorzy:
    Khanna, Shaweta
    Noor, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1076274.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    Nichrome
    Schottky Diodes
    Schottky barrier height
    ideality factor
    rapid thermal annealing
    Opis:
    Nichrome Schottky barrier diodes have been fabricated on 4H-SiC substrates to investigate the temperature dependant electrical characteristics of the fabricated contacts. The electrical parameters such as barrier height, ideality factor and donor concentration were found from the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Barrier Contacts showed non-ideal behaviour like lower value of barrier height and high value of ideality factor. A barrier height of 1.53eV obtained from C-V measurements and 0.79eV obtained from the I-V measurements with ideality factor of 1.96 for as-deposited diodes at room temperature. The diodes, therefore, were annealed in the temperature range from 25-400 ºC to see the effect of annealing temperature on these parameters. Schottky barrier height (SBH) and ideality factors were found temperature dependent. After rapid thermal annealing (RTA) upto 400 ºC barrier height of 1.27 eV from C-V measurements and the value of 1.13 eV were obtained from I-V measurements with ideality factor of 1.12. Since barrier height deduced from C-V measurements were consistently larger than those from I-V measurements. To remove this discrepancy we re-examined our results by including the effect of ideality factor in the expression of the saturation current. The insertion of ideality factor results in comparably good agreement between the values of barrier height derived by above two methods. We believe that the enhancement in the electrical parameters result from the improvement in the quality of interfacial layer.
    Źródło:
    World Scientific News; 2019, 116; 169-179
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Myśliwiec, M.
    Górecki, K.
    Kisiel, R.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220523.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Schottky diodes
    transient thermal impedance
    thermal measurements
    silicon carbide
    packaging
    Opis:
    This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 3; 451-459
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
    Autorzy:
    Sikorski, S.
    Jung, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378443.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Tematy:
    diody Schottky'ego
    modelowanie
    detektory z barierą Schottky'ego
    przyrządy półprzewodnikowe
    Schottky diodes
    modelling
    Schottky barrier photodiodes
    semiconductor devices
    Opis:
    The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 5; 1-5
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
    Autorzy:
    Kraśniewski, J.
    Janke, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118388.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    temperature-sensitive parameter calibration curves
    Silicon Carbide Schottky Barrier diodes
    krzywa kalibracyjna parametru termoczułego
    dioda Schottky z węglika krzemu
    Opis:
    Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
    Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 77-83
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies