Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "PZ" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 53
Tytuł:
Gain and Dark Current Studies on Planar Photodetectors Made on Annealed GaAs-on-Si
Autorzy:
Riesz, F.
Vo van, Tuven
Varrio, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933966.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.60.Gz
73.50.Pz
73.40.Sx
Opis:
Interdigital, planar photodetectors were fabricated from annealed GaAs/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy using alloyed AuGe/Ni and non-alloyed Cr/Au contacts. The dark current and optical gain of the Cr/Au devices is higher than that of the AuGe/Ni devices. Contact degradation due to annealing and a p-like background doping consistently explains our data. The gain-optical power relationship follows a power law with an exponent close to -1.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 889-892
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gain Studies on Photoconductors Made on Partly Compensated GaAs
Autorzy:
Riesz, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872925.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Pz
85.60.Gz
Opis:
The gain behavior of GaAs photoconductors realized on the partly compensated channel of a MESFET is studied. The gain versus light power dependence hints at the domination of the bimolecular recombination and the trap-mediated gain, and only a minor role of the surface photovoltaic effect. The possible correlation between dark current and gain mechanism is pointed out.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 373-376
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Structures and Devices Studied by Photocurrent Spectroscopy
Autorzy:
Mowbray, D. J.
Fry, P. W.
Skolnick, M. S.
Itskevich, I. E.
Harris, L.
Ashmore, A. D.
Finley, J. J.
Wilson, L. R.
Schumacher, K. L.
Barker, J. A.
O'Reilly, E. P.
Al-Khafaji, M.
Cullis, A. G.
Hopkinson, M.
Clark, J. C.
Hill, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2014190.pdf
Data publikacji:
2000-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
73.61.Ey
73.50.Pz
42.55.Px
Opis:
The power of photocurrent spectroscopy to study the electronic properties of InAs/GaAs self-assembled quantum dots is described. From comparison of results from different samples it is shown that photocurrent provides a direct means to measure absorption spectra of quantum dots. Studies in high electric field enable the electron-hole vertical alignment to be determined. Most surprisingly this is found to be opposite to that predicted by all recent predictions. Comparison with theory shows that this can only be explained if the dots contain significant amounts of gallium, and have a severely truncated shape. The nature of the ground and excited state transitions, carrier escape mechanisms from dots, in-plane wave function anisotropies and the modal gain of a quantum dot laser are determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 98, 3; 279-293
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Single-Bond Force Measured by Means of Scanning Force MicroscopyD
Autorzy:
Lekka, M.
Gryboś, J.
Lekki, J.
Stachura, Z.
Styczeń, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035535.pdf
Data publikacji:
2002-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Gy
07.10.Pz
Opis:
The aim of this investigation was to determine the adhesion force as a function of calcium dichloride concentration in water. The studies were performed with two surfaces carrying opposite charge in water solution: mica - as a negatively charged surface and glass covered with poly-L-lysine - as a positively charged surface, the latter due to the presence of amino groups. The surfaces were immersed in a CaCl$\text{}_{2}$ solution in the range of concentration varied from 0 to 100 mM. The scanning force microscopy was applied to determine the adhesion force by measurements of the pull-off force. Additionally, the values of the single bond force were estimated basing on the Poisson distribution of the number of binding sites.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 3; 355-364
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tuning of Spectral Sensitivity of AlGaN/GaN UV Detector
Autorzy:
Korona, K. P.
Drabińska, A.
Trajnerowicz, A.
Bożek, R.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036867.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Kp
73.50.Pz
78.40.Fy
Opis:
GaN/AlGaN photodetector that exhibits new interesting property is presented. Its spectral sensitivity depends upon bias voltage. Under positive or low negative bias the detector is sensitive mainly to the ultrafiolet radiation absorbed by AlGaN layer 3.7-3.8 eV. Under negative bias U$\text{}_{B}$ below -4 V, the detector is sensitive mainly to the radiation absorbed by GaN (3.4-3.6 eV). The effect can be explained based on numerical calculations of the electric field and potential profiles of this structure. The damping of GaN signal is attributed to activity of 2D electron gas formed on the GaN/AlGaN interface by spontaneous polarization. The reappearing of the signal is attributed to tunneling of holes through AlGaN, stimulated by a high electric field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 675-681
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 53

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies