Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "MWIR" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Fast Response Hot (111) HGCDTE MWIR Detectors
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Martyniuk, P.
    Kopytko, M.
    Kowalewski, A.
    Stępień, D.
    Kębłowski, A.
    Piotrowski, A.
    Piotrowski, J.
    Gawron, W.
    Rogalski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221254.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HgCdTe
    MWIR
    photodetector
    response time
    Opis:
    In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 3; 509-514
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Demonstration of HOT photoresponse of MWIR T2SLs InAs/InAsSb photoresistors
    Autorzy:
    Michalczewski, Krystian
    Tsai, T. Y.
    Martyniuk, P.
    Wu, C. H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201469.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HOT
    MWIR
    T2SLs
    InAs/InAsSb
    photoresistors
    fotorezystory
    Opis:
    We report on the photoresponse of mid-wavelength infrared radiation (MWIR) type-II superlattices (T2SLs) InAs/InAsSb high operating temperature (HOT) photoresistor grown on GaAs substrate. The device consists of a 200 periods of active layer grown on GaSb buffer layer. The photoresistor reached a 50% cut-off wavelength of 5 μm and 6 μm at 200 K and 300 K respectively. The time constant of 30 ns is observed at 200 K under 1 V bias. This is the first observation of the photoresponse in MWIR T2SLs InAs/InAsSb above 200 K..
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 1; 141-145
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Advances in type-II superlattice research at Fraunhofer IAF
    Autorzy:
    Müller, Raphael
    Daumer, Volker
    Hugger, Tsvetelina
    Kirste, Lutz
    Luppold, Wolfgang
    Niemasz, Jasmin
    Rehm, Robert
    Stadelmann, Tim
    Wobrock, Mark
    Yang, Quankui
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204206.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    metastructures for QE enhancement
    MWIR Ga-free T2SL nBn detectors
    MWIR/LWIR dual-band technology
    Opis:
    Current advances in type-II superlattice (T2SL) research at Fraunhofer IAF are elaborated on in this paper. First, the use of metastructures for quantum efficiency (QE) enhancement in the longwave infrared (LWIR) is presented. Finite element modelling results are reported on that suggest a potential for doubling of the QE at certain wavelengths with the investigated device structure. Next, characterisation results of midwave infrared (MIWR) InAs/InAsSb T2SL nBn detectors are shown. The low, diffusion-limited dark current above 120 K and a QE of 60% are comparable to the state-of-the-art. Finally, groundwork for InAs/GaSb T2SL MWIR/LWIR dual-band detector arrays based on a back-to-back heterojunction diode device concept is presented. The dry etching technology allows for steep etch trenches and full pixel reticulation with a fill factor of about 70% at 12 μm pitch. The detector characterisation at 77 K and ±250 mV bias demonstrates the bias-switchable operation mode with dark current densities of 6.1·10ˉ⁹ A/cm² in the MWIR and 5.3·10ˉ⁴ A/cm² in the LWIR.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144553
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
    Autorzy:
    Manyk, Tetiana
    Rutkowski, Jarosław
    Madejczyk, Paweł
    Gawron, Waldemar
    Martyniuk, Piotr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2074201.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    HgCdTe
    MWIR detectors
    dark current
    I-V characteristics
    recombination
    Opis:
    A theoretical analysis of the mid-wavelength infrared range detectors based on the HgCdTe materials for high operating temperatures is presented. Numerical calculations were compared with the experimental data for HgCdTe heterostructures grown by the MOCVD on the GaAs substrates. Theoretical modelling was performed by the commercial platform SimuAPSYS (Crosslight). SimuAPSYS fully supports numerical simulations and helps understand the mechanisms occurring in the detector structures. Theoretical estimates were compared with the dark current density experimental data at the selected characteristic temperatures: 230 K and 300 K. The proper agreement between theoretical and experimental data was reached by changing Auger-1 and Auger-7 recombination rates and Shockley-Read-Hall carrier lifetime. The level of the match was confirmed by a theoretical evaluation of the current responsivity and zero-bias dynamic resistance area product (R0A) of the tested detectors.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141596
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Microstructure and phase composition of the Ni-Si-B-Ag-based plasma spray deposit
    Mikrostruktura i skład fazowy natryskiwanego plazmowo stopu na osnowie niklu, krzemu, boru i srebra
    Autorzy:
    Ziewiec, K.
    Wojciechowska, M.
    Jasiński, M.
    Mucha, D.
    Lis, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/263986.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    amorphous/crystalline composites
    plasma spray
    MWIR
    scanning electron microscope (SEM)
    XRD (X ray diffraction)
    kompozyty amorficzno-krystaliczne
    natryskiwanie plazmowe
    kamera termowizyjna średniej podczerwieni
    SEM
    dyfrakcja rentgenowska
    Opis:
    The aim of this work is to study the possibility of obtaining an amorphous-crystalline composite starting from Ni-Si-B-based powder grade 1559-40 and silver powder. The process of plasma spray deposition was performed on a water-cooled copper substrate. The cooling rate was assessed using a mid-wave infrared MWIR camera. The microstructure of the deposit was studied using scanning electron microscope SEM with an energy dispersive spectrometer EDS. Phase identification was performed using X-ray diffraction XRD. The studies confirmed an amorphous-crystalline microstructure of the deposits. The predominant constituent of the microstructure was amorphous regions enriched in Ni, Si, and B, while the other constituent was Ag-rich crystalline inclusions identified as a face-centered cubic fcc.
    Celem pracy było zbadanie możliwości uzyskania kompozytu amorficzno-krystlicznego przy wykorzystaniu proszku na osnowie niklu, krzemu i boru gatunku 1559-40 oraz proszku srebra. Proces natryskiwania plazmowego przeprowadzono na płytce miedzianej chłodzonej wodą. Szybkość chłodzenia oszacowano za pomocą kamery termowizyjnej pracującej w zakresie środkowej podczerwieni. Mikrostruktura stopu uzyskanego po natrysku była badana za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego SEM wyposażonego w spektrometr z dyspersją energii promieniowania rentgenowskiego. Identyfikację fazową przeprowadzono przy użyciu dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania potwierdziły występowanie amorficzno-krystalicznej mikrostruktury w otrzymanych powłokach. Dominującym składnikiem mikrostruktury były obszary bogate w nikiel, krzem i bor, jednak obserwowano także krystaliczne wtrącenia srebra o strukturze regularnej ściennie centrowanej.
    Źródło:
    Metallurgy and Foundry Engineering; 2016, 42, 2; 87-94
    1230-2325
    2300-8377
    Pojawia się w:
    Metallurgy and Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies