In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00