Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "IGBT" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 38
Tytuł:
Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System
Autorzy:
Zygmanowski, M.
Michalak, J.
Jeleń, M.
Jarek, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/973060.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
IGBT
Silicon Carbide (SiC)
MOSFET
Inverter
Microgrid
Opis:
Three converter leg variants are analyzed for low power converter used for power electronic system for residential buildings. The two-level Si-IGBT and SiC-MOSFET converters are compared with Si-IGBT three-level T-type converter. Power losses generated in each of these converters over a predicted period of 20 years of operation are contrasted with the cost of converter options. The detailed selection procedure for output inductor is presented in this paper. This procedure shows the influence of the inductor parameters like number of turns, air gap length on its losses, cost and size. Theoretical approach is verified with simulations and experimental results.
Źródło:
Measurement Automation Monitoring; 2017, 63, 8; 282-287
2450-2855
Pojawia się w:
Measurement Automation Monitoring
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Impact of a Power Electronics Converter in Phase Failure Work on the Power System Network
Wpływ niepełnofazowej pracy energoelektronicznego przekształtnika sieciowego na system elektroenergetyczny
Autorzy:
Zieliński, D.
Przytuła, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397577.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
ENERGA
Tematy:
phase failure work
short circuit
IGBT protection system
VOC
NPC
praca niepełnofazowa
zwarcia
zabezpieczenia kluczy IGBT
Opis:
The paper presents the impact of phase failure work on power converters. The study includes a three-level NPC inverter (Neutral Point Clamped), controlled by Voltage Oriented Control (VOC). The NPC converter integrates renewable energy sources with the power grid. The article includes a discussion about the causes of phase failure work and an analysis of the converter’s failure and its impact on the power grid. The simulations were performed in MATLAB/Simulink. The study also includes the concept of an integrated protection for IGBTs, controlled by the DSP microprocessor system.
Artykuł przedstawia wpływ pracy niepełnofazowej na pracę przekształtnika energoelektronicznego. Do badań wykorzystano 3-poziomowy przekształtnik NPC (ang. Neutral Point Clamped), sterowany metodą napięciowo zorientowaną VOC (ang. Voltage Oriented Control). Przekształtnik ten pełni rolę sprzęgu, który integruje odnawialne źródła energii z siecią elektroenergetyczną. Artykuł zawiera omówienie przyczyn pracy niepełnofazowej oraz analizę wpływu awarii przekształtników na fragment sieci elektroenergetycznej. Symulacje przeprowadzono w środowisku MATLAB/Simulink. Badania obejmują również koncepcję zintegrowanego zabezpieczenia dla tranzystorów IGBT, sterowanego w układzie mikroprocesorowym DSP.
Źródło:
Acta Energetica; 2016, 3; 155-161
2300-3022
Pojawia się w:
Acta Energetica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ niepełnofazowej pracy energoelektronicznego przekształtnika sieciowego na system elektroenergetyczny
The impct of power electronics converter in phase failure work on the power system network
Autorzy:
Zieliński, D.
Przytuła, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268850.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
praca niepełnofazowa
zwarcia
zabezpieczenia kluczy IGBT
VOC
phase failure work
short-circuit
protection of IGBT
Opis:
Artykuł przedstawia wpływ pracy niepełnofazowej na pracę przekształtnika energoelektronicznego. Do badań wykorzystano trójpoziomowy przekształtnik NPC (ang. Neutral Point Clamped), sterowany metodą napięciowo zorientowaną Voltage Oriented Control (VOC). Przekształtnik ten pełni rolę sprzęgu, który integruje odnawialne źródła energii z siecią elektroenergetyczną. Artykuł zawiera omówienie przyczyn pracy niepełnofazowej oraz analizę wpływu awarii przekształtników na fragment sieci elektroenergetycznej. Symulacje przeprowadzono w środowisku MATLAB/Simulink. Badania obejmują również koncepcję zintegrowanego zabezpieczenia dla tranzystorów IGBT, sterowanego w układzie mikroprocesorowym DSP.
The paper presents the results and the analysis of the simulations during the power converter’s phase failure work and its impact on the power grid. There are the output current and voltage plots during disturbances in the article. They include open-circuit in one phase of the inverter, short-circuit of the converter’s branch, a system control failure and a ground fault of one phase that occur near the inverter. The numerical model, which is based on a research and simulations, is designed in the MATLAB/Simulink environment. It includes the three-level converter NPC (Neutral Point Clamped). It is controlled by VOC (Voltage Oriented Control) and build on the transistors IGBT. The systems like these are used to integrate the unstable renewable sources with the stable power grid, in the flexible alternating current transmission systems (FACTS) or in the converter station of High Voltage Direct Current systems (HVDC). The paper shows also the causes of the phase failure work and negative consequences for the converter’s components. The result of the research is the proposal model of an integrated protection of IGBT. The model of the protection of a transistor will be built and implemented to a DSP processor in the future.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 42; 223-226
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of Electrical Performances of Power Electronics Switches and an Effective Switch Selection Algorithm
Autorzy:
Zenk, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1031000.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
power electronics switches (PES)
switch selection algorithm (SSA)
IGBT
MOSFET
BJT
diode
Opis:
Electronics switches commonly used in power electronics circuits are the part of the electronics system depending on energy efficiency, circuit topology, switching matrix design, interaction with filter elements, and many other parameters. For the first new switch design prototype to identify of electrical efficiency of the semiconductor switch working with a system, it is very important that estimation of the variables saves time, labor, and economical resources. In this study, the new algorithm is proposed and applied to circuit estimate efficiency of power electronics switches. The current-voltage-power capacities, switching rate, power losses, physical dimensions, heating levels of power electronics switches used in the circuit are investigated and algorithmically estimated according to the result of experimental performance switches.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 897-901
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an igbt transistor
Model matematyczny silnika uniwersalnego zasilanego poprzez tranzystor IGBT przy wykorzystaniu zespolonych szeregów Fouriera
Autorzy:
Záskalický, P.
Kaňuch, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1369125.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
model matematyczny
silnik uniwersalny
tranzystory IGBT
IGBT transistor
universal motor
mathematical models
Opis:
The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 1, 94; 33-37
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ elementów obwodu elektrycznego na sprawność urządzenia spawalniczego
The influence of electrical circuit elements on the efficiency of welding machine
Autorzy:
Stopczyk, W.
Nawrocki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1368009.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
sprawność energetyczna
spawarka inwertorowa
IGBT
energy efficiency
inverter welder
Opis:
Rising energy costs and problems associated with load capacity of energy sources and environmental protection are the reasons for which it becomes expedient to search for new solutions of circuits welding equipment. Due to the relatively high power ratings of welding equipment, even a small increase in the efficiency of these devices can bring significant benefits. One way to increase the efficiency of welding machines are resonant power conversion techniques. The advantage of these circuits is elimination of switching losses and higher operating frequency compared to conventional circuits. In order to adequately take advantage of the resonance techniques to maximize efficiency of welding equipment, items to build a circuit welder should be selected. The article presents the results of research and discusses the influence of switching elements to improve the efficiency of welding equipment.
Rosnące koszty energii oraz problemy związane z obciążalnością źródeł energii i ochroną środowiska są powodami, dla których staje się celowe poszukiwanie nowych rozwiązań układowych urządzeń spawalniczych. Ze względu na stosunkowo duże moce znamionowe urządzeń spawalniczych, nawet niewielkie zwiększenie sprawności tych urządzeń może przynieść znaczące korzyści. Jednym ze sposobów pozwalających zwiększyć sprawność urządzeń spawalniczych są techniki rezonansowe konwersji energii. Zaletą tych układów jest eliminacja strat przełączania i wyższa częstotliwość pracy w porównaniu z układami klasycznymi. Aby dostatecznie wykorzystać zalety techniki rezonansowej i zmaksymalizować sprawność urządzenia spawalniczego należy właściwie dobrać elementy do budowy obwodu elektrycznego spawarki. W artykule zostały przedstawione wyniki badań oraz omówiony został wpływ elementów przełączających na poprawę sprawności urządzeń spawalniczych.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2015, 2, 106; 21-27
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza i diagnostyka uszkodzeń tranzystorów w przekształtniku sieciowym AC/DC
Analysis and diagnosis of IGBT faults in AC/DC line side converter
Autorzy:
Sobański, P.
Orłowska-Kowalska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813979.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
przekształtnik sieciowy AC/DC
metody bezczujnikowe
tranzystor IGBT
diagnostyka uszkodzeń
Opis:
In this paper a single IGBT open-circuit fault symptoms analysis in the voltage-oriented-control AC/DC converter was carried out. The aim of the present contribution was to confirm an effectiveness of the well-known diagnosis methods for open-switch faults in two level voltage inverter in case of the reversible AC/DC line side converter. Presented results have a comparative character and they were achieved by utilizing simulation model of the AC/DC converter control structure based on voltage sensor or sensor less control concept.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2013, 69, 33; 70--81
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Napięciowy algorytm diagnostyki uszkodzeń tranzystorów w przekształtniku sieciowym AC/DC
Transistor faults diagnostic algorithm for AC/DC line-side converter
Autorzy:
Sobański, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1817875.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
przekształtnik sieciowy AC/DC
diagnostyka uszkodzeń
awaria tranzystora IGBT
Opis:
In this paper, transistor faults diagnostic algorithm dedicated to AC/DC line side converter with grid voltage oriented control is presented. The proposed method is based on average values calculation of the power converter phase voltages and it provides fast and correct switch open-circuit faults identification in the case of an rectifier as well as an inverter mode of the power converter. In order to prove the method effectiveness, comprehensive simulation research has been conducted and chosen results are presented in this paper.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2015, 71, 35; 118--126
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie redundantnego falownika napięcia do zasilania silnika indukcyjnego napędzającego pojazd elektryczny
Application of redundant voltage inverter in induction motor drive
Autorzy:
Sobański, P.
Orłowska-Kowalska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813960.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
falowniki napięcia
uszkodzenia tranzystorów IGBT
układy odporne
redundantne układy mocy
wektorowa modulacja napięcia
Opis:
In this paper simulation results related to a model of a three-phase two-level redundant voltage inverter-fed induction motor drive are presented. The described system, due to its reconfigurable topology, is capable to operate properly during an inverter open-switch failure. A main focus of the study has been oriented to the drive control after a transistor fault identification. In the article, limitations of the control method and its range of effective application were specified.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2013, 69, 33; 44--53
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Study of electro-thermal stress of IGBT devices
Autorzy:
Shaban, M. A.
Ettomi, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377956.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
electro-thermal stress
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
Opis:
The aim of this paper is to present a new approach which consists to correlate or coupled the functional and electrical stress with temperature. This approach can be extremely useful in the predicting the stressing effect and the impact of IXGH-IGBT I-V characteristics on circuit degradation. Moreover, this new approach significantly improves such parameters likes (threshold voltage Vth, collector saturation current, the stress and enhanced collector leakage current) and provides new capability for use this power device IXGH-IGBT in an actual circuit environment and modules. We also explain the physical reasons behind the improvement obtained using functional electrical stress on the IGBTs for IXYS constructor with temperature. Moreover, the forward blocking capability of IXGH-IGBT under a coupled Functional - Electro stress at high temperature was analyzed using simulation. This paper gives a straight comparison in term of the stress for improving the switching speed of IGBT device. This study is essential to ensure product reliability and to the evaluation of hot carrier reliability in the early stages. Furthermore, our reliability study permits us to improve the implantation of the device in a circuit, as well as its use in industrial operating conditions. The need for good simulator (Spice, Spice) to carry out a reliability study is pointed out in this paper.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 275-284
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Eksperymentalne porównanie modułów ładowania pojazdów elektrycznych wykonanych w technologii krzemowej i węglika krzemu
Experimental comparison of EV charging modules with silicon and silicon carbide power transistors
Autorzy:
Piasecki, Szymon
Załęski, Jarosław
Jasiński, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2056411.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
ładowarka EV
szybka ładowarka DC
SiC MOSFET
Si IGBT
wysoka sprawność
przekształtnik dwustopniowy AC-DC
EV charger
DC/DC
fast DC charger
high efficiency
two-stages AC/DC converter
Opis:
Artykuł przedstawia porównanie sprawności modułów ładowarek o mocy 50 kW, składających się z przekształtników AC/DC i DC/DC. Zaprezentowane moduły zostały opracowane i wdrożone przez firmę Zakład Energoelektroniki Twerd Sp. z o.o. jako moduły szybkiego ładowania pojazdów elektrycznych zapewniające separację galwaniczną między obwodami AC i DC poprzez wysokoczęstotliwościowy transformator. Pierwszy z modułów wykonany jest w tradycyjnej technologii krzemowej (tranzystory IGBT) i topologii umożliwiającej jednokierunkowy przesył energii. Drugi moduł w swojej konstrukcji wykorzystuje tranzystory mocy z węglika krzemu (SiC) i umożliwia dwukierunkowy transfer energii. W artykule przybliżono topologie analizowanych przekształtników oraz zaprezentowano eksperymentalne porównanie sprawności obu modułów współpracujących z baterią pojazdu elektrycznego.
The article presents a comparison of the efficiency of 50 kW charger modules, consisting of AC/DC and DC/DC converters. The presented modules were developed and implemented by Zakład Energoelektroniki Twerd Sp. z o.o. as fast charging modules for electric vehicles ensuring galvanic separation between AC and DC circuits through a high-frequency transformer. The first module is made in traditional silicon technology (IGBT transistors) and a topology that enables unidirectional energy transfer. The second module uses silicon carbide (SiC) power transistors in its design and enables bi-directional energy transfer. The article presents the topologies of the analyzed converters and presents an experimental comparison of the efficiency of both modules cooperating with the electric vehicle battery.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2021, 2, 126; 47--52
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling and simulation of sinusoidal pulse width modulation controller for solar photovoltaic inverter to minimize the switching losses and improving the system efficiency
Autorzy:
Panneerselvam, Sivaraj
Kandasamy, Karunanithi
Perumal, Chandrasekar
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2135736.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
efficiency
IGBT
MOSFET
PV inverter
MATLAB/SIMULINK
SPWM controller
switching loss
Opis:
With the extinction of fossil fuels and high increase in power demand, the necessity for renewable energy power generation has increased globally. Solar PV is one such renewable energy power generation, widely used these days in the power sector. The inverters used for power conversion suffer from power losses in the switching elements. This paper aims at the detailed analysis on switching losses in these inverters and also aims at increasing the efficiency of the inverter by reducing losses. Losses in these power electronic switches vary with their types. In this analysis the most widely used semiconductor switches like the insulated gate bipolar transistor (IGBT) and metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are compared. Also using the sinusoidal pulse width modulation (SPWM) technique, improves the system efficiency considerably. Two SPWM-based singlephase inverters with the IGBT and MOSFET are designed and simulated in a MATLAB Simulink environment. The voltage drop and, thereby, the power loss across the switches are compared and analysed. The proposed technique shows that the SPWM inverter with the IGBT has lower power loss than the SPWM inverter with the MOSFET.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2022, 71, 3; 615--626
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przegląd dwupoziomowych falowników napięcia odpornych na uszkodzenia tranzystorów IGBT
Survey on two-level voltage inverters robust to IGBT faults
Autorzy:
Orłowska-Kowalska, T.
Sobański, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813976.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
falowniki napięcia
uszkodzenia tranzystorów IGBT
układy odporne
redundantne układy mocy
Opis:
This survey paper deals with the problem of fault tolerant control of AC motor drives. Basic problems have been formulated and the classification of fault tolerant control methods has been presented. The main attention was focused to the IGBT faults of the two-level voltage inverter supplying AC motor drives. The most popular inverter topologies suitable for post-fault operation of the drive system have been presented and discussed.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2013, 69, 33; 54--69
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Asynchroniczny napęd tramwaju z falownikami IGBT
Asynchrony drive of tramcar with IGBT converters
Autorzy:
Niewiadomski, M.
Dziuba, R.
Kundera, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/251243.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
falownik IGBT
napęd tramwaju
pojazd szynowy
silnik trakcyjny
Opis:
Rozwój energoelektroniki i zaawansowanych technologii, wykorzystywanych do sterowania układów przekształtnikowych, umożliwiły zbudowanie napędów trakcyjnych z silnikami prądu zmiennego. Zastąpienie napędu prądu stałego, przez napęd prądu zmiennego, pozwala zredukować koszty utrzymania w ruchu pojazdów napędzanych elektrycznie. Silniki klatkowe, stosowane w napędzie prądu zmiennego, charakteryzują się prostą i niezawodną konstrukcją, niskim kosztem wykonania, zwartą zabudową oraz łatwością obsługi i serwisu.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2004, 11, 1-2; 72-75
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New approach to power semiconductor devices modeling
Autorzy:
Napieralski, A.
Napieralska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308039.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
power device modeling
SPICE
circuit simulation
VDMOS
PIN diode
IGBT
web-based simulation
Opis:
The main problems occurring during high power device modeling are discussed in this paper. Unipolar and bipolar device properties are compared and the problems concerning high time-constant values related to the diffusion phenomena in the large base are explained. Traditional and novel concepts of power device simulation are presented. In order to make accurate and modern semiconductor device models widely accessible, a website has been designed and made available to Internet users, allowing them to perform simulations of electronic circuits containing high power semiconductor devices. In this software, a new distributed model of power diode has been included. Together with the existing VDMOS macromodel library, the presented approach can facilitate the design process of power circuits. In the future, distributed models of IGBT, BJT and thyristor will be added.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 80-89
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 38

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies