Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "CIGS" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Badania nad technologią otrzymywania cienkich warstw emitera metodą rozpylania magnetronowego dla zastosowań w ogniwach CIGS
    Research on the technology of obtaining thin layers of emitter in CIGS photovoltaic cells by using magnetron sputtering process
    Autorzy:
    Pietraszek, J.
    Gułkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/105005.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Tematy:
    CIGS
    CdS
    warstwa buforowa
    ogniwa fotowoltaiczne
    kąpiel chemiczna
    CBD
    rozpylanie magnetronowe
    ogniwa cienkowarstwowe
    buffer layer
    photovoltaic cells
    chemical bath deposition
    magnetron sputtering
    thin film cell
    Opis:
    Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne wykonane na bazie struktury CIGS (mieszaniny pierwiastków miedzi, indu, galu oraz selenu) należą do II generacji ogniw fotowoltaicznych. Wykazują one efektywność na poziomie zbliżonym do ogniw I generacji, lecz ze względu na niższe zużycie materiału, coraz częściej wypierają z rynku ogniwa krzemowe Artykuł przedstawia rezultaty badań dotyczących sposobu otrzymywania warstwy buforowej CdS (siarczku kadmu), zastosowanej w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych typu CIGS. Przyjęto dwa rozwiązania technologii nanoszenia: warstwa okna CdS uzyskana metodą rozpylenia magnetronowego oraz warstwa okna CdS uzyskana metodą kąpieli chemicznej (CBD– Chemical Bath Deposition). Struktura ta powinna posiadać odpowiednią wielkość przerwy energetycznej, która pozwali na większą absorpcję fotonów, a także wymaga się, aby była cienka (mniej niż 100 nm) i jednolita. Warstwy CdS zostały nałożone przez osadzanie w kąpieli chemicznej CBD na szklanych podłożach pokrytych Mo/CIGS (naniesione warstwy metodą sputteringu magnetronowego). Uzyskano dzięki temu warstwę emitera o grubości 80 nm po czasie osadzania 35 minut. Dla porównania warstwy CdS zostały nałożone poprzez sputtering magnetronowy na podłożu Mo/CIGS, uzyskanym tą samą metodą. Następnie oba rozwiązania zostały przebadane pod względem morfologii powierzchni na elektronowym mikroskopie skaningowym, jak również przeprowadzono analizy składu pierwiastkowego warstw. Zarówno jedna, jak i druga metoda prowadzi do otrzymania warstwy emitera CdS dla zastosowań w ogniwach CIGS.
    Thin-film photovoltaic cells created based on the structure of CIGS (a mixture of the elements copper, indium, gallium and selenium) belong to the second generation of photovoltaic cells. They show the effectiveness of a level similar to the cells of the first generation, but due to lower material consumption, they increasingly forcing out silicon solar cells. The article presents the results of research of the method for obtaining a CdS buffer layer, used in thin-film CIGS photovoltaic cells. Two technology solutions of application were adopted: layer of CdS window obtained by the magnetron sputtering and layer of CdS obtained by chemical method (CBD- Chemical Bath Deposition). CdS layer has been imposed by the deposition in the chemical bath on glass substrates covered with Mo/CIGS (layers applied by magnetron sputtering). Allowing an emitter layer having a thickness of 80 cm after 35 minutes of deposition time. For comparison, a CdS layer was applied by magnetron sputtering on the substrate Mo/CIGS obtained by the same method. Subsequently, both solutions were examined in the SEM microscope to check the surface morphology, and also to analysis the elemental composition of the layers. Both methods leads to receive CdS emitter layer for use in CIGS cells.
    Źródło:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury; 2017, 64, 1; 173-180
    2300-5130
    2300-8903
    Pojawia się w:
    Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Impact of the saturation current IS and ideality factor N on the performance of the characteristic (I-V) of a solar cell
    Wpływ prądu nasycenia IS i współczynnika doskonałości złącza n na charakterystykę (I-V) ogniwa słonecznego
    Autorzy:
    Khalis, M.
    Masrour, R.
    Mir, Y.
    Zazoui, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/29520331.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    dark
    illumination current–voltage
    Si
    GaAs
    CIGS
    current saturation
    ideality factor
    defect
    neural network method
    aktualne nasycenie
    współczynnik idealności
    wada
    metoda sieci neuronowej
    Opis:
    The performance of a solar cell mainly is due to the quality of the starting material. During the production of the solar cell, several defects in different regions of the material appear. These defects degrade the efficiency of the solar cell. Thorough knowledge of the physical properties of defects requires highly sophisticated electrical current-voltage (I-V) characterization techniques that provide information on the physical origin of the defects. The characteristic (I-V) of the cell is governed by several parameters, such as the saturation current Is and the ideality factor n which are the indicators of the quality of the solar cell. These parameters significantly reflect the existence of defects in the material. On the other hand, the use of such a characteristic to go back to the nature of the defects is not widespread because it lacks a data base between the main defects and the modification of the characteristic (I-V). To extract the different parameters, we developed a method based on artificial neurons in Matlab code, then we applied this method to the following cells: GaAs, Si-mono and polycrystalline and CIGS thin-film cells by applying the model with two diodes. The results obtained demonstrate that the behavior of the ideality factor and the saturation current vary from one cell to another. This variance is important for polycrystalline Si and CIGS cells. Thus, this model is the most suitable for the diagnosis of the characteristics (IV) for Si and GaAs, but remains incoherent (Mismatches) to describe the characteristic of the CIGS cell because of the non-uniform presence of shunt defects which allowed us to add another component of the leakage current. Finally, this method correlates with the experimental characteristic (I-V).
    Zachowanie się ogniw słonecznych zależy w dużej mierze od jakości materiału. W procesie wytwarzania baterii może pojawić się szereg wad w różnych jej częściach. Te wady obniżają wydajność ogniwa. Dokładna analiza właściwości fizycznych wad wymaga dokładnego określenia charakterystyki prądowonapięciowej (I-V), która dostarczyłaby informacji o przyczynie tych wad. Charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V) baterii zależy od szeregu parametrów takich jak prąd nasycenia Is, i współczynnik doskonałości złącza n, które są wskaźnikami jakości baterii. Te parametry dobrze odzwierciedlają istnienie wad w materiale. Z drugiej strony, ze względu na brak danych dotyczących korelacji między głównymi wadami i zmianami charakterystyk (IV), wykorzystanie tych charakterystyk do określenia natury powstałych wad nie jest rozpowszechnione. Aby rozróżnić wpływ różnych parametrów opracowano metodę wykorzystującą sztuczną sieć neuronową i oprograowanie MatLab. Tę metodę zastosowano do następujących ogniw słonechnych: GaAs, Si-mono and polikrystaliczny oraz cienkie warstwy CIGS popraz zaqstosowanie modelu z dwoma diodami. Uzyskane wyniki wykazały, że zachowanie się współczynnika doskonałości złącza i prądu nasycenia zmienia się dla różnych ogniw. Te różnice są ważne zarówno dla ogniw Si jak i CIGS. Stąd opracowany model jest najbardziej przydatny do diagnozowania charakterystyk (I-V) dla ogniw Si i GaAs, ale jest niespójny przy opisie ogniw CIGS, ponieważ występują w nich w sposób nierównomierny wady powodujące zwarcie elektrod. To pozwoliło Autorom dodać prąd upływu, jako dodatkowy parameter modelu. W artykule potwierdzono zgodność opracowanej metody z doświadczalnymi charakterystykami (I-V).
    Źródło:
    Computer Methods in Materials Science; 2019, 19, 4; 163-169
    2720-4081
    2720-3948
    Pojawia się w:
    Computer Methods in Materials Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies