Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "67.85.De" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Studies of the Hydrodynamic Properties of Bose-Einstein Condensate of $\text{}^{87}Rb$ Atoms in a Magnetic Trap
    Autorzy:
    Bylicki, F.
    Zawada, M.
    Gawlik, W.
    Noga, A.
    Zachorowski, J.
    Jastrzębski, W.
    Szczepkowski, J.
    Witkowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813495.pdf
    Data publikacji:
    2008-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    03.75.Hh
    03.75.Kk
    67.85.Bc
    67.85.De
    Opis:
    We report details of the apparatus and the experimental procedure leading to production of the Bose-Einstein condensate of $\text{}^{87}Rb$ atoms. Basic hydrodynamic properties of the condensate, like quadrupole oscillations and free fall expansion, are investigated. They provide also characteristics of the magnetic trap crucial for interpretation of future experiments.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 2; 691-705
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Trapping and Propagation of Nonresonantly Driven One-Dimensional Exciton-Polariton Condensate
    Autorzy:
    Opala, A.
    Pieczarka, M.
    Sęk, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1033879.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    67.85.De
    71.36.+c
    03.75.Kk
    Opis:
    We study theoretically a nonresonant optical creation of a one-dimensional exciton-polariton condensate in a semiconductor microcavity. The polariton condensate is treated in the mean-field approach, taking into consideration an antitrapping potential created by the reservoir of noncondensed particles. Polariton condensates are excited by multiple lasers, with a combination of continuous wave and pulsed sources. The proposed pump-probe configuration leads to the realisation of various experimental schemes, e.g. optical trapping of a polariton condensate in real space. Moreover, it can be utilised for investigation of elementary excitations in the time domain when polariton condensates from two sources interact with each other.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 401-404
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interplay between Internal and External Electric Field Studied by Photoluminescence in InGaN/GaN Light Emitting Diodes
    Autorzy:
    Staszczak, G.
    Khachapuridze, A.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Piotrzkowski, R.
    Perlin, P.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492901.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Fi
    78.67.De
    85.60.Bt
    85.60.Jb
    Opis:
    We have studied a series of polar InGaN/GaN light emitting diodes, consisting of either a blue (440-450 nm) quantum well, or combination of blue and violet (410 nm) quantum wells (with indium content 18% and 10%, respectively). The blue quantum well was always placed close to p-type region of the particular LED. We found that the electroluminescence induced by low current is characterized by light emission from the blue quantum well only. In comparison, optical excitation of our LEDs leads to light emission with energies characteristic either for blue and/or violet quantum wells. The corresponding microphotoluminescence spectra evolve depending on external polarization and variable light intensity of excitation supplied by He-Cd laser. Interplay between built-in electric field and externally applied polarization/screening decides about the band structure profiles and thus radiative recombination mechanisms.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 891-893
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics
    Autorzy:
    Monroy, E.
    Guillot, F.
    Leconte, S.
    Bellet-Amalric, E.
    Nevou, L.
    Doyennette, L.
    Tchernycheva, M.
    Julien, F. H.
    Baumann, E.
    Giorgetta, F.
    Hofstetter, D.
    Dang, Le Si
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046980.pdf
    Data publikacji:
    2006-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.21.Fg
    78.67.De
    85.60.Gz
    85.35.Be
    81.15.Hi
    81.07.St
    Opis:
    Thanks to their large conduction band offset (~1.8 eV for the GaN/AlN system) and subpicosecond intersubband scattering rates, III-nitride heterostructures in the form of quantum wells or quantum dots are excellent candidates for high-speed unipolar devices operating at optical-fiber telecommunication wavelengths, and relying on the quantum confinement of electrons. In this work, we present the plasma-assisted molecular-beam epitaxial growth of quantum well infrared photodetector structures. The growth of Si-doped GaN/AlN multiple quantum well structures is optimized by controlling substrate temperature, metal excess and growth interruptions. Structural characterization confirms a reduction of the interface roughness to the monolayer scale. P-polarized intersubband absorption peaks covering the 1.33-1.91μm wavelength range are measured on samples with quantum well thickness varying from 1 to 2.5 nm. Complete intersubband photodetectors have been grown on conductive AlGaN claddings, the Al mole fraction of the cladding matching the average Al content of the active region. Photovoltage measurements reveal a narrow (~90 meV) detection peak at 1.39μm at room temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 295-301
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
    Autorzy:
    Wójcik-Jedlińska, A.
    Muszalski, J.
    Bugajski, M.
    Łukowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    78.67.De
    42.55.Sa
    42.55.Xi
    Opis:
    In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies