Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zdunek, K." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Influence of Plasma Dynamics on Material Synthesis Product of IPD Process
Autorzy:
Rabiński, M.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011041.pdf
Data publikacji:
1999-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.05.Tp
52.30.-q
52.35.Py
52.75.Rx
Opis:
In the present work we discuss recent studies concerning plasma dynamics influence on the material synthesis product of the impulse plasma deposition process. Conditions favourable for evaluation of the Rayleigh-Taylor instability on the current sheet surface were found during the computational studies of plasma movement in the coaxial accelerator. Appearance of this phenomenon explains non-uniform phase composition and morphology of coatings. By modifying the design of the plasma accelerator, we succeeded in reducing substantially Rayleigh-Taylor instability and in obtaining α-Al$\text{}_{2}$ O$\text{}_{3}$ coatings instead of common γ-Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 2; 319-324
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Physical Phenomena in Z-pinch Plasma of Impulse Plasma Deposition Process
Autorzy:
Rabiński, M.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035475.pdf
Data publikacji:
2002-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.05.Tp
52.30.-q
52.35.Py
52.77.Dq
Opis:
In the present paper we propose a model of physical phenomena behind the front face of the electrodes in an impulse plasma accelerator. The model is based on the results of recent experimental observations and measurements. It correlates plasma dynamics with mechanism of phenomena in a column of pinching plasma. On the contrary to the previous model the current one suggests the series of relatively short pulses of metallic ions from the erosion of electrode material. Till now the pinch was treated rather as a nearly continuous source of metallic plasma, feeding the process with ions from the erosion of electrode material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 2; 193-197
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
Autorzy:
Szmidt, J.
Werbowy, A.
Dusiński, E.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308421.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MIS transistor
reliability
Al2O3 films
RPP method
Opis:
The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the low-energy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [žm/žm] and 200/20 [žm/žm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Physical Modelling of the Production of an Alloy Vapour Source for the Synthesis of Dielectric Material
Autorzy:
Nadolski, M.
Stradomski, G.
Zdunek, K.
Okrasa, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355587.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
aluminum-silicon alloy
magnetron sputtering processes
gravity casting
die casting
Opis:
The paper reports the results of a physical modelling study of the production of a hypereutectic aluminium alloy to be used formaking an alloy vapour source for operation in the magnetron. Within the study, targets from a hypereutectic aluminium-silicon alloy were made in laboratory conditions. Thus obtained material was subjected to heat treatment, porosity analysis, and the assessment of the microstructure and fitness for being used in the magnetron. The process of melting the hypereutectic Al-Si alloy was carried out at the Department of Foundry of the Czestochowa University of Technology. The investigation into the production of the alloy vapour source for the synthesis of the dielectric material from the hypereutectic aluminium alloy has confirmed.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 1; 201-206
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The role of magnetic energy on plasma localization during the glow discharge under reduced pressure
Autorzy:
Chodun, R.
Nowakowska-Langier, K.
Zdunek, K.
Okrasa, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147975.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
glow discharge
grounded magnetron
magnetron sputtering
Opis:
In this work, we present the first results of our research on the synergy of fields, electric and magnetic, in the initiation and development of glow discharge under reduced pressure. In the two-electrode system under reduced pressure, the breakdown voltage characterizes a minimum energy input of the electric field to initiate and sustain the glow discharge. The glow discharge enhanced by the magnetic field applied just above the surface of the cathode influences the breakdown voltage decreasing its value. The idea of the experiment was to verify whether the contribution of potential energy of the magnetic field applied around the cathode is sufficiently effective to locate the plasma of glow discharge to the grounded cathode, which, in fact, is the part of a vacuum chamber wall (the anode is positively biased in this case). In our studies, we used the grounded magnetron unit with positively biased anode in order to achieve favorable conditions for the deposition of thin films on fibrous substrates such as fabrics for metallization, assuming that locally applied magnetic field can effectively locate plasma. The results of our studies (Paschen curve with the participation of the magnetic field) seem to confirm the validity of the research assumption. What is the most spectacular – the glow discharge was initiated between introduced into the chamber anode and the grounded cathode of magnetron ‘assisted’ by the magnetic field (discharge did not include the area of the anode, which is a part of the magnetron construction).
Źródło:
Nukleonika; 2016, 61, 2; 191-194
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure and Electrical Resistivity Dependence of Molybdenum Thin Films Deposited by DC Modulated Pulsed Magnetron Sputtering
Autorzy:
Wicher, B.
Chodun, R.
Nowakowska-Langier, K.
Okrasa, S.
Król, K.
Minikayev, R.
Strzelecki, G.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/350987.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
magnetron sputtering
modulated pulse magnetron sputtering
plasma&films characterization
Opis:
This work reports the results of a study of Mo thin films synthesis by DC Pulsed Magnetron Sputtering method (PMS), operating at pulse main frequency of 100 kHz and modulated by the additional modulation frequency, driving in the range of 5-1000 Hz (modulated Pulse Magnetron Sputtering – mPMS). We have studied the influence of mPMS on plasma chemical reactions and mechanisms of layer growth using optical emission spectroscopy technique. Our experiment showed strong influence of mPMS method, on the morphology (scanning electron microscopy), phase composition (X-ray diffractometry) and electric properties (4-point probes method) of nanocrystalline and amorphous Mo films. From the utilitarian point of view, low value of resistivity – 43,2 μΩcm of synthesized Mo films predestines them as back contacts for thin solar cells CIGS. Our results revealed that additional modulation frequency should be considered as an important factor for optimization of films synthesis by means of PMS-based methods.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2018, 63, 3; 1339-1344
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of turgor and cell size on the cracking of potato tissue
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25276.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
cell size
failure
cracking
potato tuber
cell structure
plant tissue
potato
mechanical property
tissue
plant material
intracellular pressure
turgor
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 1
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Acoustic emission as a method for the detection of fractures in the plant tissue caused by the external forces
Autorzy:
Zdunek, A.
Konstankiewicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25704.pdf
Data publikacji:
1997
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
potato tissue
deformation
stress level
acoustic emission
mechanical parameter
cell structure
plant tissue
Źródło:
International Agrophysics; 1997, 11, 3
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of structural parameters of potato tuber cells on their mechanical properties
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25366.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
food product
cell
cell structure
potato
vegetable
mechanical property
structural parameter
fruit
tuber
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 4
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantitative method for determining cell structural parameters of plant tissues
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24956.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
quantitative method
plant tissue
cell structure
potato
parenchyma
tuber
image analysis
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 3
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Suburban areas of historical value as an important element of the ecological buffer of Warsaw
Podmiejskie obszary o walorach zabytkowych jako istotny element ekologicznej otuliny Warszawy
Autorzy:
Zdunek-Wielgołaska, J.
Kantorowicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2084006.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
suburbs
Warsaw
historic landscape
cultural landscape
natural landscape
climate change
Opis:
The article aims to identify areas of historical, cultural, and landscape values that are located in the suburban area of Warsaw and which may play an essential role in stabilizing the urban ecosystem of Warsaw in the future. Since it turns out that the most effective form of preserving these values is to take them under legal protection, the article shows good and bad practices in this area, identifying the most significant threats and indicating opportunities and scenarios worth considering for the future. Finally, the purpose of the article is to draw attention to the importance of spatial and scenic connections, emphasizing the importance of the surrounding landscape, which was once an immanent feature of, e.g. suburban estates. The hypothesis is that in the face of progressing climate change and melting natural resources, it is worth paying attention to the importance of all urban ecosystem elements, even smaller ones, because they are a component of a larger whole and are required for ecological balance. Existing resources should be strengthened and protected, and new places for protection should be sought. Such sites may be the former foregrounds, the immediate surroundings of monuments, which in the past functioned as larger compositions and should be protected as such.
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Architectura; 2020, 19, 4; 27-35
1644-0633
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Architectura
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wstęp do analizy odkształceń fotelika samochodowego do przewozu dziecka w trakcie kolizji na podstawie wykonanych symulacji
Introduction in to the analysis of the deformation of a child car seat during a collision based on simulations
Autorzy:
Zdunek, B.
Sawala, K.
Taryma, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/316885.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
fotelik
symulacje
przemieszczenia
naprężenia
child car seat
simulations
displacements
stresses
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki symulacji statycznej i dynamicznej fotelika samochodowego do przewozu dziecka.
The article presents the results of static and dynamic simulations of the child car seat.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 8; 216-221
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of water potential on the failure of potato tissue
Autorzy:
Haman, J.
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25420.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
failure
production process
water potential
acoustic emission
mechanical parameter
quality
potato
tissue
plant material
Źródło:
International Agrophysics; 2000, 14, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies