Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zdunek, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 36
Tytuł:
Acoustic emission as a method for the detection of fractures in the plant tissue caused by the external forces
Autorzy:
Zdunek, A.
Konstankiewicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25704.pdf
Data publikacji:
1997
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
potato tissue
deformation
stress level
acoustic emission
mechanical parameter
cell structure
plant tissue
Źródło:
International Agrophysics; 1997, 11, 3
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of water potential on the failure of potato tissue
Autorzy:
Haman, J.
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25420.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
failure
production process
water potential
acoustic emission
mechanical parameter
quality
potato
tissue
plant material
Źródło:
International Agrophysics; 2000, 14, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of structural parameters of potato tuber cells on their mechanical properties
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25366.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
food product
cell
cell structure
potato
vegetable
mechanical property
structural parameter
fruit
tuber
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 4
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of turgor and cell size on the cracking of potato tissue
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25276.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
cell size
failure
cracking
potato tuber
cell structure
plant tissue
potato
mechanical property
tissue
plant material
intracellular pressure
turgor
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 1
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quantitative method for determining cell structural parameters of plant tissues
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24956.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
quantitative method
plant tissue
cell structure
potato
parenchyma
tuber
image analysis
Źródło:
International Agrophysics; 2001, 15, 3
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
Autorzy:
Szmidt, J.
Werbowy, A.
Dusiński, E.
Zdunek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308421.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MIS transistor
reliability
Al2O3 films
RPP method
Opis:
The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the low-energy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [žm/žm] and 200/20 [žm/žm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cell structural parameter of potato tuber tissue
Autorzy:
Konstankiewicz, K.
Czachor, H.
Gancarz, M.
Krol, A.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24511.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
physical property
cell structure
potato
tissue
image analysis
tuber
Źródło:
International Agrophysics; 2002, 16, 2
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of plant tissue images obtained by confocal tandem scanning reflected light microscope
Autorzy:
Gancarz, M.
Konstankiewicz, K.
Pawlak, K.
Zdunek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25430.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
plant cell
confocal microscopy
plant tissue
structural parameter
image analysis
Źródło:
International Agrophysics; 2007, 21, 1
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New nondestructive method based on spatial-temporal speckle correlation technique for evaluation of apples quality during shelf-life
Autorzy:
Zdunek, A.
Muravsky, L.I.
Frankevych, L.
Konstankiewicz, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24712.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Źródło:
International Agrophysics; 2007, 21, 3; 305-310
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Opracowanie miejskiej ortofotomapy satelitarnej na podstawie wysokorozdzielczego zobrazowania quickbird-2
Redaction of urban satellite ortophotomap on the base of quickbird-2 vhr imagery
Autorzy:
Plichta, A.
Wyczałek, I.
Wyczałek, E.
Zdunek, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/341299.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Uniwersytet Przyrodniczy we Wrocławiu
Tematy:
QuickBird
osnowa fotogrametryczna
korekcja obrazu
analiza dokładności ortofotomapy
GCP/ICP
image rectification
orthophotomap accuracy assessment
Opis:
Dynamika rozwoju miast wymaga ciągłej bieżącej aktualizacji lokalnego systemu informacji przestrzennej. To z kolei skłania do poszukiwania efektywnych, niezbyt drogich źródeł danych o zachodzących zmianach. Niezawodnym źródłem informacji topograficznej są obrazy teledetekcyjne, pozyskiwane zarówno z pułapu lotniczego, jak i satelitarnego. W Poznaniu rokrocznie gromadzone są zdjęcia lotnicze, na podstawie których aktualizowane są zapisy w bazie mapy miejskiej, a co kilka lat odnawiana jest ortofotomapa. Jest to jednak przedsięwzięcie drogie i pracochłonne, na co nie stać mniejszych społeczności. W ramach prac badawczych realizowanych na Politechnice Poznańskiej, prowadzone są próby oceny możliwości wykorzystania do tego celu wysokorozdzielczych obrazów satelitarnych. Głównym zaś celem jest wykorzystanie przetworzonego do postaci ortogonalnej obrazu do detekcji zmian obiektów topograficznych zapisanych w bazie danych systemu. O jakości tych prac decyduje przede wszystkim jakość ortofotomapy, zarówno pod względem geometrycznym, jak radiometrycznym. Przedmiotem niniejszej pracy jest przedstawienie wniosków z zastosowanej procedury ortorektyfikacji obrazu QuickBird OrthoReady, obejmującej również jego wyostrzenie, generowanie DTM i kontrolę bezwzględnej dokładności wykonania ortofotomapy. Obszarem testowym jest fragment miasta o wymiarach 5×5 km.
The dynamic of urban development requires continuous and instant updating of domestic spatial information system, e.g. Urban GIS. It inclines to search for effective, not too expensive data sources that show changes of various objects. Reliable sources of topographic information are remote sensing images gained from aerial as well as satellite altitude. Every year aerial photos are gathered in Poznan, which are then used to actualize dates in the city map base. Every couple of years the orthophotomap is also renewed. However, that is an expensive and labor-consuming task, stand on those smallest communities can't afford. Research works conducted in Poznan University of Technology attempt to estimate the capabilities of using very high resolution (VHR) satellite images for this purpose. The main target is usage an ortho-rectified images to detect the changes of topographic objects recorded in Urban GIS database. First of all, quality of the orthophotomap determines quality of these works, as well in geometric as radiometric respect. The aim of this work is to give the answer about usefulness of an employed procedure for the QuickBird image rectification, including pansharpening, DTM generation and assessment of an absolute accuracy of the created orthophotomap. Test area encircles 5x5 km part of a city recorded in QuickBird-2 OrthoReady Standard Imagery.
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Geodesia et Descriptio Terrarum; 2007, 6, 1; 25-37
1644-0668
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Geodesia et Descriptio Terrarum
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Data processing of the ASG-EUPOS network test campaign
Autorzy:
Jaworski, L.
Świątek, A.
Zdunek, R.
Zieliński, J. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/225178.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Warszawska. Wydział Geodezji i Kartografii
Tematy:
ASG-EUPOS
GNSS
sieci geodezyjne
geodetic networks
Źródło:
Reports on Geodesy; 2008, z. 2/85; 113-124
0867-3179
Pojawia się w:
Reports on Geodesy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Turgor and temperature effect on fracture properties of potato tuber [Solanum tuberosum cv. Irga]
Autorzy:
Zdunek, A.
Gancarz, M.
Cybulska, J.
Ranachowski, Z.
Zgorska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/26406.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Źródło:
International Agrophysics; 2008, 22, 1; 89-97
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 36

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies