Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Z. R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-25 z 1469
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial Lateral Overgrowth - a Tool for Dislocation Blockade in Multilayer Systems
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969007.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
81.15.Lm
68.60.Bs
61.72.Ff
Opis:
Results on epitaxial lateral overgrowth of GaAs layers are reported. The methods of controlling the growth anisotropy, the effect of substrate defects filtration in epitaxial lateral overgrowth procedure and influence of the mask on properties of epitaxial lateral overgrowth layers will be discussed. The case of GaAs epitaxial lateral overgrowth layers grown by liquid phase epitaxy on heavily dislocated GaAs substrates was chosen as an example to illustrate the processes discussed. The similarities between our results and those reported recently for GaN layers grown laterally by metallorganic vapour phase epitaxy will be underlined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 219-227
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroepitaxial Growth of GaSb and AlGaSb Thick Epitaxial Layers
Autorzy:
Zytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934052.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
Semi-bulk epitaxial layers of GaSb and AlGaSb up to 3 and 1 mm thick, respectively, were successfully grown by the liquid phase electroepitaxy on GaSb substrates. The growth procedure allowed us to achieve high crystallographic perfection as well as compositional uniformity of ternary layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 965-968
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Substrate Defects Filtration During Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968454.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
Opis:
Results on the growth of GaAs on (001) GaAs substrates by the epitaxial lateral overgrowth technique are reported. We show that the ratio of normal to lateral growth rates in the epitaxial lateral overgrowth process can be controlled by the crystallographic orientation of the seeds and by Si adding to the melt. Experimental data showing that the dislocations threading from the substrate are efficiently filtered and cannot propagate to the epitaxial lateral overgrowth layers are presented. These findings prove that the epitaxial lateral overgrowth process is the powerful method to grow epilayers with low dislocation density on high dislocation density substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1079-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of optical-microwave mixing process in electro-optical modulators
Autorzy:
Galwas, B.A.
Szczepaniak, Z.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308368.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
electro-optical modulator
nonlinear effects
microwave-optical mixing
Opis:
The principle of operation and the general parameters of the electro-optical Mach-Zehnder modulators are reminded in the paper. With the use of the mathematical relationships describing the transmission of the optical signal through the modulator, the theoretical model of the optical signal transmission with two modulating signals at two frequencies will be presented. The theoretical relationships describing the efficiency of the optical-microwave mixing and frequency multiplying in the two-tone operation will be derived. The analysis and the simulations will be performed for different operating points, where the nonlinearity of the transmission characteristic is specially strong.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 2; 57-63
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-devices for optical controlling of microwave circuits
Autorzy:
Szczepaniak, Z.R.
Galwas, B.A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309090.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microwave optoelectronic switch
photodiode
phototransistor
Opis:
The most important optical devices which can be used for controlling microwave circuits will be presented in the paper. The performance and the parameters of the devices such as semiconductor microwave optoelectronic switches, photodiodes and phototransistors were described. The influence of the optical illumination on their microwave parameters will be described in details, including the our own investigations and simulations results. Several applications of such devices and their potential possibilities will be presented.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 3; 86-94
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fault detection and isolation for power electronic systems featuring parameter uncertainty
Detekcja i lokalizacja uszkodzeń układu energoelektronicznego zawierającego niedokładnie określone parametry
Autorzy:
Juszczyk, W.
Kich, Z.R.
Zając, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159700.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
system diagnostyczny
układy energoelektroniczne
Opis:
An assumption was made in this paper that monitoring both the converter and its control means actually continuous formulation (i.e. repeatedly) of diagnoses of their states automatically via a suitable computer diagnostic system. In other words it is diagnosing on-line carried out in real time. The authors assume that mainly the operating signals are used for diagnostic purposes since it is not recommendable to disturb the process with any additional test signals. This paper presents a fault detection and isolation scheme for systems with modeling uncertainties where not all the state variables are measurable. The proposed fault diagnosis architecture consists of a fault detection estimator and a set of isolation estimators. Each estimator corresponds to a specific fault type. Employing orthogonal transforms made it possible to depict the power electronics state variable in terms of appropriate linear combination of base functions, so far approximated by a time set. There were families of binary orthogonal Walsh and Haar functions used in the investigation. The presented approach may be considered a numeric-analytical method. The investigation of power electronic converter signals was carried out using fast processing algorithms.
W pracy przyjęto, że monitorowanie przekształtnika i jego sterowania jest prowadzone w sposób ciągły (cyklicznie) poprzez automatyczne formułowanie diagnoz jego stanu przez komputerowy system diagnostyczny. Innymi słowy diagnozowanie jest prowadzane w czasie rzeczywistym. Autorzy zakładali, że jako sygnały diagnostyczne użyte będą sygnały procesu, ponieważ wprowadzanie dodatkowych sygnałów testowych mogło by zakłócać jego dynamikę. Praca przedstawia układ wykrywania i lokalizacji uszkodzeń układu energoelektronicznego zawierającego niedokładnie określone parametry przy braku możliwości pomiaru wszystkich zmiennych stanu. Zaproponowana architektura diagnostyki uszkodzeń obejmuje estymator ich wykrywania oraz zbiór estymatorów lokalizacji. Każdy estymator lokalizacji odpowiada konkretnemu typowi uszkodzenia. Zastosowanie przekształceń ortogonalnych umożliwia przedstawienie zmiennej stanu układu energoelektronicznego w postaci odpowiednich kombinacji liniowej funkcji bazowych, dotychczas aproksymowanej szeregiem czasowym. W badaniach zastosowano rodziny binarnych funkcji ortogonalnych Walsha i Haara. Opisane podejście można zaliczyć do metod analityczno - numerycznych. Badanie własności sygnałów przekształtników energoelektronicznych przeprowadzono w oparciu o opracowane przez autorów algorytmy szybkich przekształceń.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2003, 218; 61-78
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tolerance of Paramysis lacustris and Limnomysis benedeni (Crustacea, Mysida) to sudden salinity changes: implications for ballast water treatment
Autorzy:
Ovcarenko, I.
Audzijonyte, A.
Gasiunaite, Z.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/48901.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Oceanologii PAN
Tematy:
experiment
Curonian Lagoon
Ponto-Caspain mysid
mysid
Paramysis lacustris
Baltic Sea
Crustacea
Sopot
invasive species
conference
Mysida
Limnomysis benedeni
salinity tolerance
Opis:
In order to draw implications for ballast water management, we tested the tolerance of two Ponto-Caspian mysid species Paramysis lacustris and Limnomysis benedeni to sudden salinity changes. The naturally stenohaline P. lacustris was more susceptible to higher salinities; its mortality rate at 19 PSU was 60%, whereas exposure to 23 PSU was 100% lethal. The euryhaline L. benedeni survived in salinities of up to 19 PSU, but experienced 100% mortality at 34 PSU. The return of both mysid species to fresh water after the 24 h exposure to higher salinities did not prevent further mortality. Considering the rather high short-term salinity tolerance of both species, a salinity of at least 30 PSU should be used as an appropriate biocide.
Źródło:
Oceanologia; 2006, 48, S
0078-3234
Pojawia się w:
Oceanologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:
A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fault detection in power electronics systems based on qualitative and quantitative models
Detekcja uszkodzeń w układach energoelektronicznych oparta na modelach jakościowych i ilościowych
Autorzy:
Juszczyk, W.
Kich, Z.R.
Zając, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158608.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Opis:
It is assumed in this paper that monitoring both the converter and its control states means continuous formulation (i.e. in a repeatable way) of a diagnosis of the plant's state automatically via a suitable computer diagnostic system. In other words it is on-line diagnosing carried out in real time. The authors assume that mainly the operating signals are used for diagnostic purposes since it is not recommendable to disturb the process with any additional test signals. Implementation of the orthogonal expansion made it possible to depict the system state approximated by a sequence of its values' observations in a form of some linear combination of basic functions. Complete families of binary orthogonal Walsh and Haar functions are emploed. The employed research methods may be considered numeric-analytical ones. The investigation of the signal properties in power electronics inverters was carried out using fast processing algorithms (both in serial and parallel modes). Along with the simulational modeling the presented approach made it possible to execute a complex fault detection and isolation for a typical arrangement of the inverter. The fast transform algorithm used in this paper is based on the Haar matrix factorization.
Przyjęto, że monitorowanie stanu wybranego przekształtnika i jego układu sterowania jest powtarzalnym cyklicznie w sposób automatyczny komputerowym formułowaniem diagnoz o jego stanie. Innymi słowy jest to diagnozowanie prowadzone na bieżąco w czasie rzeczywistym. Autorzy założyli, że do celów diagnostyki układów energoelektronicznych wykorzystywane są głównie sygnały robocze, niewskazanym jest bowiem zakłócanie procesu dodatkowymi sygnałami testowymi. Przedstawione typowe schematy możliwych testów diagnostycznych używanych do oceny własności wybranych sygnałów przekształtnika, oraz sklasyfikowano spotykane w literaturze metody detekcji uszkodzeń, które mogą znaleźć zastosowanie do oceny niezawodności działania podobnych układów energoelektronicznych. Przedstawiono schemat blokowy procesu monitorowania przekształtnika. Szczególną uwagę zwrócono na przyczyny istnienia opóźnień czasowych powstawania symptomów. Sklasyfikowano czynniki od których zależą te opóźnienia. Zaproponowano formalizację opisu stanu pracy przekształtnika i opisu możliwych testów diagnostycznych. Do badań wybrano testy oparte na zastosowaniu analizy spektralnej sygnałów. Obiektem badań był typowy prostownik sterowany. Zastosowanie teorii rozwinięć ortogonalnych umożliwiło przedstawienie stanu układu aproksymowanego ciągiem obserwacji jego wartości w postaci pewnej kombinacji liniowej funkcji bazowych. W badaniach zastosowano pełne rodziny binarnych funkcji ortogonalnych Walsha i Haara. Użyty w tej pracy algorytm szybkiego przekształcenia oparto na faktoryzacji macierzy Haara. Zastosowane metody badawcze można zaliczyć do metod numeryczno-analitycznych. Badania własności sygnałów prostownika przeprowadzono w oparciu o wykorzystanie szybkich algorytmów przetwarzania (w wersjach szeregowej i równoległej). Wykazały one swą przydatność dla formułowania diagnoz o miejscach i zakresach pojawiania się typowych uszkodzeń w zasilaniu, sterowaniu czy też obciążeniu prostownika. W połączeniu z modelowaniem symulacyjnym prezentowane podejście pozwoliło na przeprowadzenie kompleksowego procesu detekcji i lokalizacji uszkodzeń dla typowego układu prostownika sterowanego.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2002, 211; 167-202
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena wybranych odmian jeczmienia jarego [Hordeum vulgare L.], zgromadzonych w banku genow, pod wzgledem odpornosci na maczniaka prawdziwego [Erysiphe graminis f.sp. hordei]
Autorzy:
Nadziak, J
Malysa, M.
Bilinski, Z.R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/810149.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
odpornosc na choroby
Erysiphe graminis f.sp.hordei
hodowla roslin
choroby roslin
maczniak prawdziwy
odpornosc roslin
choroby grzybowe
jeczmien jary
odmiany roslin
banki genow
Opis:
W przeprowadzonych w latach 1996-1998 trzech doświadczeniach polowych badano odporność jęczmienia jarego na mączniaka prawdziwego (Erysiphe graminis f. sp. hordei). Łącznie przebadano 120 form dwurzędowych jęczmienia i 26 form wielorzędowych. Odporność badanych genotypów określono poprzez powierzchnię pod krzywą rozwoju choroby w sezonie wegetacji. Testowane w 3 doświadczeniach odmiany jęczmienia istotnie różniły się pod względem odporności polowej na mączniaka prawdziwego. Część badanych genotypów posiadała zidentyfikowane główne geny odporności o zróżnicowanej efektywności. Natomiast odporność części odmian może mieć charakter rasowo- niespecyficzny. We wszystkich 3 doświadczeniach można wyróżnić odmiany o wysokim poziomie odporności na mączniaka prawdziwego. Stanowić one mogą cenne źródła dla hodowli odpornościowej i powinny być wykorzystywane w programach hodowlanych.
Spring barley resistance to powdery mildew (Erysiphe graminis f. sp. hordei) was estimated in 3 field experiments during 3 years. 120 two-row and 26 six-row spring barley varieties were tested for mildew resistance. The level of powdery mildew severity was determined by the area under disease progress curve. The tested varieties signifficantly differed in the level of resistance to powdery mildew. Some of the varieties have the major resistance genes of differentiated effectivenes. However, there were also the varieties the resistance of which was not race-specific. The experiments showed that among the tested barley varieties collected in the gene bank there are genotypes of high resistance to powdery mildew. These varieties may beavaluable source of resistance breeding and should be included into breeding programmes.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1998, 463; 423-435
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoinduced Defects Creation on Sulfur Passivated Surface of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Gomez, D.
Briones, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968456.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Dv
68.45.Da
Opis:
We report on photoinduced defect creation on the sulfurized (100) GaAs surface. The process manifests itself by unrecoverable temporal decrease in the photoluminescence intensity of the GaAs surface treated by (NH$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$S$\text{}_{x}$ solution. The results are discussed in terms of a photoinduced process of the As$\text{}_{Ga}$ antisite generation on the sulfurized surface of GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Faraday Rotation in Multiple Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:
Dudziak, E.
Bożym, J.
Pruchnik, D.
Wasilewski, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952529.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ls
73.20.Dx
78.66.Fd
Opis:
We report on the results of first measurements of the Faraday rotation of modulated n-doped multiple quantum wells of GaAs/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.312). The measurements have been performed in the magnetic fields up to 13 T at the temperature of 2 K, in the spectral region of interband transitions. A rich structure of magneto-excitons has been found in the measured spectra. Faraday rotation (phase) measurements are proposed as an alternative method to photoluminescence excitation for investigations of magneto-excitons in quantum wells. The dependence of the measured Faraday rotation on magnetic field and hypothetical connections with quantum Hall effect are also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1022-1026
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Picosecond Transient Absorption Spectra and the Twisted Intramolecular Charge Transfer Phenomenon
Autorzy:
Dobkowski, J.
Grabowski, Z. R.
Jasny, J.
Zieliński, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933607.pdf
Data publikacji:
1995-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
06.60.In
36.20.Kd
Opis:
An improved model of a computer-controlled picosecond absorption spectrometer was designed and constructed. Its operation is described, and applied to the measurement of transient spectra of p-N, N-dioctylamino-acetophenone. The spectroscopy and photophysics of this compound are compared to the other compounds exhibiting the dual fluorescence, assigned usually to the adiabatic formation of the "twisted" intramolecular charge transfer excited state. The data are discussed in relation to alternative suggestion of an inversion of the pyramidal amino nitrogen atom. The whole evidence supports the decoupling of the π-electronic systems of D+ and A- in the D+-A- polar excited state, in full accord with the "twisted" intramolecular charge transfer model. The peculiar behaviour of the long alkyl -NR2 derivatives (favouring the "twisted" intramolecular charge transfer state emission) seems to be primarily due to the decreasing oxidation potential of such electron donor groups.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 3; 455-468
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-25 z 1469

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies