Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Yagmurcukardes, N." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Improvement of Anode/HTL Interface Properties Using Self-Assembled Monolayer in Organic Electronic Devices
Autorzy:
Yaman, M.
Yagmurcukardes, N.
Havare, A.
Aydin, H.
Ocakoglu, K.
Okur, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400034.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
Opis:
Fabrication and characterization of highly efficient organic light-emitting diode with surface modification of indium tin oxide anodes by using self-assembled monolayer technique have been studied. Four different self-assembled molecules, K-28 ruthenium complex, octadecylamine hydrochloride, octadecyltrichlorosilane and mercaptohexdecanoic acid are used to modify ITO surface to improve the interface properties. Space charge limited currents measurements have been used to evaluate carrier mobility under steady state current. The results show that the surface properties such as the stability of ITO anode layer have significant effects on charge injection in organic light-emitting diode devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 459-460
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs
Autorzy:
Havare, A.
Okur, S.
Yagmurcukardes, N.
Can, M.
Aydin, H.
Seker, M.
Demic, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400033.pdf
Data publikacji:
2013-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Hb
73.20.Mf
73.21.-b
73.22.-f
73.25.+i
73.40.Ei
73.40.Jn
73.40.Ns
Opis:
In order to understand the electronic properties of the organic Schottky diode, ITO/TPD/Al and ITO/SAM/TPD/Al organic Schottky devices were fabricated to obtain current-voltage characteristics. From the slopes and y-axis intercepts of the plots, the values of the ideality factor, barrier heights of the ITO/SAM/TPD/Al diode were determined as 2.03 and 0.56 eV, respectively. The surface characterizations of modified and unmodified ITO were performed via atomic force microscopy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 456-458
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies