Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Xiong, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Structural Changes in Flash Lamp Annealed Amorphous Si Layers Probed by Slow Positron Implantation Spectroscopy
    Autorzy:
    Anwand, W.
    Schumann, Th.
    Brauer, G.
    Skorupa, W.
    Xiong, S.
    Wu, C.
    Gebel, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812451.pdf
    Data publikacji:
    2008-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Ba
    78.70.Bj
    81.05.Ea
    81.07.Bc
    Opis:
    Flash lamp annealing was applied to the modification of thin amorphous Si layers on $SiO_2$ and glass. Slow positron implantation spectroscopy was used for the characterisation of the microstructure before and after flash lamp annealing. Changes in the structure down to a depth of some micrometres below the surface observed with slow positron implantation spectroscopy will be presented and discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 5; 1273-1278
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Power Density on Diffusion Length and Energy Gap of a-Si:H and nc-Si:H Thin Films Prepared by PECVD Technique
    Autorzy:
    Badran, R.
    Al-Amodi, H.
    Yaghmour, S.
    Shaklan, S.
    Bruggemann, R.
    Han, X.
    Xiong, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1419002.pdf
    Data publikacji:
    2012-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.-e
    78.20.Ci
    73.61.Jc
    78.30.Ly
    Opis:
    The increase in power density of 0.3, 0.5, 0.6, and 0.7 W $cm^{-2}$ for hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon (a-Si:H and nc-Si:H) thin film samples prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition technique causes an increase in crystalline volume fraction when the silane concentration is fixed. This increase in crystalline volume fraction is correlated to the absorption coefficient and refractive index which are determined from ellipsometric measurements. The crystallinity of samples is studied by both Raman and X-ray diffraction techniques. A mild change in the optical energy gap around an average value of 1.8 eV is noticed due to the observed change in the degree of crystallinity of the samples when power density increases. Moreover, the ambipolar diffusion length measured by the steady-state photocarrier grating technique is found to change with the increase in power density. The values of some obtained optical parameters are compared to a standard crystalline sample.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 3; 576-580
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Genetic analysis of 38 double-flowered amaryllis (Hippeastrum hybridum) cultivars based on SRAP markers
    Autorzy:
    Xiong, M.
    Yang, S.
    Wang, Y.
    Chen, D.
    Wang, X.
    Zhou, D.
    Wei, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/12994499.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
    Źródło:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus; 2021, 20, 3; 15-25
    1644-0692
    Pojawia się w:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies