Structural Changes in Flash Lamp Annealed Amorphous Si Layers Probed by Slow Positron Implantation Spectroscopy

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Structural Changes in Flash Lamp Annealed Amorphous Si Layers Probed by Slow Positron Implantation Spectroscopy
Autorzy:: Anwand, W.
Schumann, Th.
Brauer, G.
Skorupa, W.
Xiong, S.
Wu, C.
Gebel, T.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1812451.pdf
Data publikacji:: 2008-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.80.Ba
78.70.Bj
81.05.Ea
81.07.Bc
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 5; 1273-1278
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Flash lamp annealing was applied to the modification of thin amorphous Si layers on $SiO_2$ and glass. Slow positron implantation spectroscopy was used for the characterisation of the microstructure before and after flash lamp annealing. Changes in the structure down to a depth of some micrometres below the surface observed with slow positron implantation spectroscopy will be presented and discussed.

Informacja

Powiązane pozycje