Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Witkowski, E." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Sprawozdania z piśmiennictwa polskiego w dziedzinie nauk matematyczno-fizycznych za rok 1891
Revue de travaux scientifiques polonais publiés en 1891 sur les sciences mathématiques et physiques
Autorzy:
Biernacki, Wiktor
Birkenmajer, L.
Ciemniewski, M.
Czajewicz, A.
Dickstein, S.
Dziwiński, B.
Gosiewski, Wł.
Natanson, E.
Natanson, Wł.
Witkowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1975599.pdf
Data publikacji:
1893
Wydawca:
Towarzystwo Naukowe Warszawskie
Źródło:
Prace Matematyczno-Fizyczne; 1893, 4, 1; 185-230
0867-5570
Pojawia się w:
Prace Matematyczno-Fizyczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sprawozdania z piśmiennictwa polskiego w dziedzinie nauk matematyczno-fizycznych za rok 1892
Revue de travaux scientifiques polonais publiés en 1891 sur les sciences mathématiques et physiques
Autorzy:
Biernacki, Wiktor
Birkenmajer, L.
Czajewicz, A.
Dickstein, S.
Gosiewski, Wł.
Hołowiński, A.
Klecki, L.
Kramsztyk, S.
Natanson, E.
Natanson, Wł.
Słowikowski, J.
Witkowski, A.
Znatowicz, Br.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1976904.pdf
Data publikacji:
1894
Wydawca:
Towarzystwo Naukowe Warszawskie
Źródło:
Prace Matematyczno-Fizyczne; 1894, 5, 1; 191-239
0867-5570
Pojawia się w:
Prace Matematyczno-Fizyczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sprawozdania z piśmiennictwa polskiego w dziedzinie nauk matematyczno-fizycznych za rok 1895
Revue des travaux scientifiques polonais publiés en 1895 sur les sciences mathématiques et physiques
Autorzy:
Biernacki, W.
Dickstein, S.
Ernst, M.
Estreicher, T.
Gosiewski, Wł.
Kępiński, S.
Natanson, E.
Natanson, Wł.
Rudzki, M. P.
Witkowski, A.
Żorawski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1981337.pdf
Data publikacji:
1897
Wydawca:
Towarzystwo Naukowe Warszawskie
Źródło:
Prace Matematyczno-Fizyczne; 1897, 8, 1; 193-243
0867-5570
Pojawia się w:
Prace Matematyczno-Fizyczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Obserwacje nad biologią rzęsistka bydlęcego Trichomonas bovis
Nabljudenija po biologii Trichomonas bovis
Remarks on the biology of Trichomonas bovis
Autorzy:
Czarnowski, A.
Witkowski, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/837047.pdf
Data publikacji:
1956
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Źródło:
Annals of Parasitology; 1956, 02, 5
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Obserwacje nad biologią rzęsistka bydlęcego Trichomonas bovis
Nabljudenija po biologii Trichomonas bovis
Remarks on the biology of Trichomonas bovis
Autorzy:
Czarnowski, A.
Witkowski, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2180511.pdf
Data publikacji:
1956
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Źródło:
Wiadomości Parazytologiczne; 1956, 02, 5; 193
0043-5163
Pojawia się w:
Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie podatności sprzętu na zakłócenia promieniowane
Autorzy:
Sowa, Andrzej E.
Więcek, Mieczysław.
Witkowski, Jerzy S.
Powiązania:
Biuletyn Wyższa Oficerska Szkoła Radiotechniczna, 1997, nr 1, s. 227-232
Data publikacji:
1997
Tematy:
Radiolokacja materiały konferencyjne
Opis:
Rys., tab.; Bibliogr.; Streszcz.; Materiały z VIII Konferencji Naukowej "Sterowanie i Regulacja w Radiolokacji i Obiektach Latających".
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badanie podatności sprzętu na zakłócenia przewodzone
Autorzy:
Sowa, Andrzej E.
Więcek, Mieczysław.
Witkowski, Jerzy S.
Powiązania:
Biuletyn Wyższa Oficerska Szkoła Radiotechniczna, 1997, nr 1, s. 233-240
Data publikacji:
1997
Tematy:
Radiolokacja materiały konferencyjne
Opis:
Rys., tab.; Bibliogr.; Streszcz.; Materiały z VIII Konferencji Naukowej "Sterowanie i Regulacja w Radiolokacji i Obiektach Latających".
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Dalmierz laserowy do zastosowań robotycznych
Laser rangefinder for robotics applications
Autorzy:
Pliński, E.
Witkowski, J.
Wołczowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151538.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Opis:
Krótko omówiono optyczne techniki pomiaru odległości możliwe do zastosowań w robotyce. Zaprezentowano nową konstrukcję dalmierza laserowego opartą na metodzie modulacji amplitudy. Omówiono zasadę działania skonstruowanego dalmierza wraz z algorytmem sterowania pomiarem. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów odległości.
The paper briefly discuses optical techniques of distance measurement useful for robotics applications. A new construction of a laser rangefinder based on the method of amplitude modulation is presented. The principle of operation of the rangefinder as well as algorithm of measurement control are described. Experimentally measurement results have been provided.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 1999, R. 45, nr 8, 8; 43-47
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Profesor Jerzy Zdzisław Holzer (1930-2001)
Professor Jerzy Zdzisław Holzer (1930-2001)
Autorzy:
Kotowska, Irena E.
Witkowski, Janusz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/574772.pdf
Data publikacji:
2005-12-31
Wydawca:
Szkoła Główna Handlowa w Warszawie. Kolegium Analiz Ekonomicznych
Opis:
Prof. Jerzy Zdzisław Holzer, through his studies and academic career, was linked with the Warsaw School of Economics (SGH) for more than 50 years. He worked at SGH from September 1950, when he became a junior assistant at the Faculty of Statistics, until his sudden death on Sept. 29, 2001. The author presents the professor’s biography and scientific achievements, both at home and abroad, and his contribution to the academic community, including his work as director of the Institute of Statistics and Demography in 1978-1999. Prof. Holzer set up a team of demographers and prepared them for work on the international arena. Managing demographic research in Poland and establishing ties with international researchers, Prof. Holzer contributed to the development of Polish demography and its international acclaim. The article sheds new light on the life of this internationally-renowned scholar, showing him as a wonderful man loved and admired by his students, colleagues and friends. These warm feelings climaxed after the professor’s death. In a series of recollections published in a special issue of Studia Demograficzne (No. 2/140 of 2001), Holzer is portrayed as a “humanist sensu largo,” as Prof. J. Tazbir put it. He was a man of extensive scientific interests, profound knowledge and wisdom, concerned about the common good, well-wishing and showing respect for everyone around him. These accounts yield the image of a steadfast man of indomitable spirit, faithful to his value system and principles. His reliability and responsible treatment of his duties met with general appreciation and admiration. He always set high requirements not only for others but first of all for himself. As a result, whatever he turned his hand to was remarkably proficient. Statements by various people from both the Polish and European demographic communities-representing different disciplines of the professor’s endeavor-add up to a surprisingly uniform image of Prof. Holzer as a truly exceptional figure.
Źródło:
Gospodarka Narodowa. The Polish Journal of Economics; 2005, 204, 11-12; 65-88
2300-5238
Pojawia się w:
Gospodarka Narodowa. The Polish Journal of Economics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Sawicki, M.
Paszkowicz, W.
Łusakowska, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Kowalik, I.
Kowalski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
Autorzy:
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Łuka, G.
Paszkowicz, W.
Domagała, J.
Przeździecka, E.
Łusakowska, E.
Witkowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
72.80.Ey
Opis:
The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Measurements at Liquid Helium Temperature of Poly- and Monocrystalline ZnO Films
Autorzy:
Witkowski, B.
Wachnicki, Ł.
Jakieła, R.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492546.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Hk
77.55.hf
68.37.Hk
61.72.Ff
Opis:
Scanning electron microscopy, cathodoluminescence and secondary ion mass spectroscopy investigations are used to study an inter-link between structural quality, elements distribution and light emission properties of ZnO poly- and monocrystalline films grown by the atomic layer deposition. Cathodoluminescence and scanning electron microscopy investigations were performed at liquid helium temperature for four different types of ZnO films deposited on different substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-028-A-030
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling for Checking Uniformity of ZnO and ZnCoO Thin Films
Autorzy:
Witkowski, B. S.
Łukasiewicz, M. I.
Wolska, E. A.
Kopalko, K.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048105.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
78.30.Fs
78.60.Hk
Opis:
We employ scanning electron microscopy and cathodoluminescence for evaluation of uniformity of ZnCoO films obtained by the atomic layer deposition. Cathodoluminescence quenching by Co ions allows us to detect (regions of weaker light emission) Co accumulations, with the resolution limited by diffusion length of secondary carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 675-677
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Dużyńska, A.
Domagala, J.
Witkowski, B.
Krajewski, T.
Przeździecka, E.
Guziewicz, M.
Wierzbicka, A.
Kopalko, K.
Figge, S.
Hommel, D.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Aa
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Structural Characterization of Zinc Oxide Nanostructures Obtained by Atomic Layer Deposition Method
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Witkowski, B.
Gierałtowska, S.
Kopalko, K.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492916.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Bc
82.47.Rs
68.55.-a
81.15.Aa
Opis:
Zinc oxide is a II-VI semiconductor material which is gaining increasing interest in various fields such as biology, medicine or electronics. This semiconductor reveals very special physical and chemical properties, which imply many applications including a transparent electrode in solar cells or LED diodes. Among many applications, ZnO is also a prospective material for sensor technology, where developed surface morphology is very advantageous. In this work we present ZnO nanowires growth using atomic layer deposition method. ZnO nanowires were obtained using controlled physical properties. As a substrate we used gallium arsenide with gold-gallium eutectic droplets prepared on the surface at high temperature. To obtain the eutectic solution there was put a gold thin film on GaAs through the sputtering and then we annealed the sample in a nitrogen gas flow. The so-prepared substrate was applied for growth of ZnO nanowires. We used deionized water and zinc chloride as oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture serves as a catalyst for the ZnO nanowires growth. Au-Ga droplets flow on the front of ZnO nanowires. Scanning electron microscopy images show ZnO nanorods in a form of crystallites of up to 1 μm length and a 100 nm diameter. It is the first demonstration of the ZnO nanowires growth by atomic layer deposition using the vapour-liquid-solid approach.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies