Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Witkowski, E." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Photoluminescence and Chromaticity Properties of ZnO Nanopowders Made by a Microwave Hydrothermal Method
Autorzy:
Wolska, E.
Sibera, D.
Witkowski, B.
Yatsunenko, S.
Pełech, I.
Narkiewicz, U.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492917.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.-n
61.43.Gt
81.07.Wx
78.55.Et
Opis:
Four series of ZnO nanopowders obtained by a microwave hydrothermal method are examined. Two different solvents (ethanol and distilled water) and different values of pressure during heating in the reactor were used. The obtained nanopowders show a bright emission covering visible light spectral region, including the band edge emission. Results of scanning electron microscopy, X-ray diffraction, photo- and cathodoluminescence investigations and also CIE1961 chromaticity diagram are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 908-910
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO Nanopowders by a Microwave Hydrothermal Method - Influence of the Precursor Type on Grain Sizes
Autorzy:
Wolska, E.
Witkowski, B. S.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048108.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.-n
61.43.Gt
81.07.Wx
78.55.Et
Opis:
Two series of ZnO nanopowders obtained by a microwave hydrothermal method are examined. We used two different zinc precursors (zinc chloride (ZnCl$\text{}_{2}$) and zinc nitrate hexahydrate (N$\text{}_{2}$O$\text{}_{6}$Zn·6H$\text{}_{2}$O)). Both types of nanopowders show a bright emission in a visible light, including the band edge emission, which indicates their good crystallographic quality. Results of scanning electron microscopy, photo- and cathodoluminescence investigations are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 683-685
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Absorption Fine Structure Investigation of the Low Temperature Grown ZnCoO Films
Autorzy:
Wolska, A.
Klepka, M.
Witkowski, B.
Witkowski, M.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431568.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Dm
75.50.Pp
68.55.-a
Opis:
ZnO based diluted magnetic semiconductors are intensively investigated for possible spintronic applications. In the present work we investigate the ZnCoO layers grown at low temperature by atomic layer deposition. The local atomic structure of a series of layers with different Co concentration is investigated by the X-ray absorption fine structure measurements. Two groups of ZnCoO layers are investigated - the ones with an uniform Co distribution and highly nonuniform films. For uniform samples we observe that a majority of Co atoms is built into the ZnO matrix substituting the Zn atoms. In contrast, for the nonuniform samples, metallic Co inclusions are also observed. These results are in strong correlation with the magnetic properties of the films studied separately. Samples with the uniform Co distribution (Co substitutes Zn in ZnO) are paramagnetic, whereas the nonuniform ones show a ferromagnetic response.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 883-887
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling for Checking Uniformity of ZnO and ZnCoO Thin Films
Autorzy:
Witkowski, B. S.
Łukasiewicz, M. I.
Wolska, E. A.
Kopalko, K.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048105.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
78.30.Fs
78.60.Hk
Opis:
We employ scanning electron microscopy and cathodoluminescence for evaluation of uniformity of ZnCoO films obtained by the atomic layer deposition. Cathodoluminescence quenching by Co ions allows us to detect (regions of weaker light emission) Co accumulations, with the resolution limited by diffusion length of secondary carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 675-677
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Measurements at Liquid Helium Temperature of Poly- and Monocrystalline ZnO Films
Autorzy:
Witkowski, B.
Wachnicki, Ł.
Jakieła, R.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492546.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Hk
77.55.hf
68.37.Hk
61.72.Ff
Opis:
Scanning electron microscopy, cathodoluminescence and secondary ion mass spectroscopy investigations are used to study an inter-link between structural quality, elements distribution and light emission properties of ZnO poly- and monocrystalline films grown by the atomic layer deposition. Cathodoluminescence and scanning electron microscopy investigations were performed at liquid helium temperature for four different types of ZnO films deposited on different substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-028-A-030
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zołzy - problem wciąż aktualny
Strangles, still important equine disease
Autorzy:
Witkowska-Pilaszewicz, O.
Wieteska, M.
Dlugolecka, E.
Strypikowska, L.
Koziol, S.
Mickiewicz, M.
Witkowski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/858607.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Krajowa Izba Lekarsko-Weterynaryjna
Źródło:
Życie Weterynaryjne; 2017, 92, 01
0137-6810
Pojawia się w:
Życie Weterynaryjne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of n-ZnO/p-GaN Heterojunction for Optoelectronic Applications
Autorzy:
Wachnicki, L.
Gieraltowska, S.
Witkowski, B.
Figge, S.
Hommel, D.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399138.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Kk
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
An important feature of zinc oxide and gallium nitride materials are their similar physical properties. This allows to use them as a p-n junction materials for applications in optoelectronics. In earlier work we presented use of ZnO as a transparent contact to GaN, which may improve external efficiency of LED devices. In this work we discuss properties of a n-ZnO/p-GaN heterostructure and discuss its optimization. The heterostructure is investigated by us for possible applications, e.g. in a new generation of UV LEDs or UV light detectors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 869-872
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Dużyńska, A.
Domagala, J.
Witkowski, B.
Krajewski, T.
Przeździecka, E.
Guziewicz, M.
Wierzbicka, A.
Kopalko, K.
Figge, S.
Hommel, D.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Aa
61.05.cp
81.05.Dz
Opis:
Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Structural Characterization of Zinc Oxide Nanostructures Obtained by Atomic Layer Deposition Method
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Witkowski, B.
Gierałtowska, S.
Kopalko, K.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492916.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Bc
82.47.Rs
68.55.-a
81.15.Aa
Opis:
Zinc oxide is a II-VI semiconductor material which is gaining increasing interest in various fields such as biology, medicine or electronics. This semiconductor reveals very special physical and chemical properties, which imply many applications including a transparent electrode in solar cells or LED diodes. Among many applications, ZnO is also a prospective material for sensor technology, where developed surface morphology is very advantageous. In this work we present ZnO nanowires growth using atomic layer deposition method. ZnO nanowires were obtained using controlled physical properties. As a substrate we used gallium arsenide with gold-gallium eutectic droplets prepared on the surface at high temperature. To obtain the eutectic solution there was put a gold thin film on GaAs through the sputtering and then we annealed the sample in a nitrogen gas flow. The so-prepared substrate was applied for growth of ZnO nanowires. We used deionized water and zinc chloride as oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture serves as a catalyst for the ZnO nanowires growth. Au-Ga droplets flow on the front of ZnO nanowires. Scanning electron microscopy images show ZnO nanorods in a form of crystallites of up to 1 μm length and a 100 nm diameter. It is the first demonstration of the ZnO nanowires growth by atomic layer deposition using the vapour-liquid-solid approach.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie podatności sprzętu na zakłócenia promieniowane
Autorzy:
Sowa, Andrzej E.
Więcek, Mieczysław.
Witkowski, Jerzy S.
Powiązania:
Biuletyn Wyższa Oficerska Szkoła Radiotechniczna, 1997, nr 1, s. 227-232
Data publikacji:
1997
Tematy:
Radiolokacja materiały konferencyjne
Opis:
Rys., tab.; Bibliogr.; Streszcz.; Materiały z VIII Konferencji Naukowej "Sterowanie i Regulacja w Radiolokacji i Obiektach Latających".
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Badanie podatności sprzętu na zakłócenia przewodzone
Autorzy:
Sowa, Andrzej E.
Więcek, Mieczysław.
Witkowski, Jerzy S.
Powiązania:
Biuletyn Wyższa Oficerska Szkoła Radiotechniczna, 1997, nr 1, s. 233-240
Data publikacji:
1997
Tematy:
Radiolokacja materiały konferencyjne
Opis:
Rys., tab.; Bibliogr.; Streszcz.; Materiały z VIII Konferencji Naukowej "Sterowanie i Regulacja w Radiolokacji i Obiektach Latających".
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
Autorzy:
Snigurenko, D.
Kopalko, K.
Krajewski, T.
Łuka, G.
Gierałtowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Dybko, K.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
81.15.Gh
Opis:
Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling Analysis of Zinc Oxide Films Grown at Low Temperature by Atomic Layer Deposition
Autorzy:
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Guziewicz, E.
Gierałtowska, S.
Krajewski, T.
Luka, G.
Wachnicki, L.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400467.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.hf
81.05.Dz
81.15.Hi
68.55.ag
82.80.Yc
61.85.+p
Opis:
The results of the Rutherford backscattering/channeling study of ZnO layers are presented. ZnO layers were deposited on the silicon single crystals and GaN epitaxial layers at low temperature by atomic layer deposition. Deposition temperature varied between 100 and 300°C. A random spectra analysis was performed to determine layer thickness and composition. In turn, analysis of the aligned spectra allows us to study evolution of ingrown defects. The Rutherford backscattering study supports the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurements, performed separately, that the ZnO-ALD layers deposited at low temperature contain a higher oxygen content. Composition measurements, performed as a function of growth temperature, show that oxygen content decreases with the increasing temperature of the atomic layer deposition growth process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 899-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dalmierz laserowy do zastosowań robotycznych
Laser rangefinder for robotics applications
Autorzy:
Pliński, E.
Witkowski, J.
Wołczowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/151538.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Opis:
Krótko omówiono optyczne techniki pomiaru odległości możliwe do zastosowań w robotyce. Zaprezentowano nową konstrukcję dalmierza laserowego opartą na metodzie modulacji amplitudy. Omówiono zasadę działania skonstruowanego dalmierza wraz z algorytmem sterowania pomiarem. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów odległości.
The paper briefly discuses optical techniques of distance measurement useful for robotics applications. A new construction of a laser rangefinder based on the method of amplitude modulation is presented. The principle of operation of the rangefinder as well as algorithm of measurement control are described. Experimentally measurement results have been provided.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 1999, R. 45, nr 8, 8; 43-47
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
Autorzy:
Pietruszka, R.
Łuka, G.
Witkowski, B. S.
Kopalko, K.
Zielony, E.
Biegański, P.
Płaczek-Popko, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
fotowoltaika
tlenek cynku
metoda osadzania warstw atomowych
photovoltaic
zinc oxide
Opis:
Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 113-123
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies