Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Willander, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Optical Properties of InAs Quantum Dots
Autorzy:
Willander, M.
Zhao, Q. X.
Jacob, A. P.
Wang, S. M.
Wei, Y. Q.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035579.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.67.Hc
78.55.Cr
Opis:
InAs quantum dots grown on GaAs substrate were investigated by optical spectroscopy. We particularly emphasized on the photoluminescence intensity, the stability of the photoluminescence intensity versus temperatures and wavelength of the InAs dot emission at various thermal treatments and different structures. We found that hydrogen can strongly passivate nonradiative centers without causing any structure degradation, and both n- and p-type modulation doping can reduce the decrease in the photoluminescence intensity when the sample temperature increases from the helium temperature to room temperature. The emission wavelength and the efficiency of the InAs quantum dots can also be manipulated by choosing proper materials of cap layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 567-576
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
CdSe Layers of Below Critical Thickness in ZnSe Matrix: Intrinsic Morphology and Defect Formation
Autorzy:
Sedova, I.
Shubina, T.
Sorokin, S.
Sitnikova, A.
Toropov, A.
Ivanov, S.
Willander, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992185.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
Opis:
Three main stages of the intrinsic morphology transformation of MBE grown CdSe fractional monolayers in ZnSe with increase in their nominal thickness w in the 0.1-3.0 monolayer range were found using both structural and optical characterization techniques. Emergence of the extended (15-30 nm) CdSe-enriched quantum-dot-like pseudomorphic islands at w>0.7 monolayer with the density increasing up to 2.5×10$\text{}^{10}$ cm$\text{}^{-2}$ at w=2.8 monolayer is clearly displayed in the optical properties of CdSe fractional monolayer nanostructures. The below critical thickness CdSe fractional monolayers having extremely high quantum efficiency can be very perspective as an active region of ZnSe-based blue-green lasers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 519-525
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies