Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wierzbicka, E." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Wpływ SZŚ na osiągane przez przedsiębiorstwa efekty rzeczowe i ekologiczne
Impact of the environmental management system on the tangible and ecological effects accomplished by enterprises
Autorzy:
Mazur-Wierzbicka, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/271693.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Górnośląska Wyższa Szkoła Pedagogiczna im. Kardynała Augusta Hlonda
Tematy:
system zarządzania środowiskowego
SZŚ
przedsiębiorstwo
ochrona środowiska
environment management system
EMS
environment protection
Opis:
W dobie widocznej ekologizacji gospodarki przedsiębiorstwa coraz częściej podejmują dobrowolne działania proekologiczne. Jednym z dobrowolnych narzędzi jakie są do dyspozycji przedsiębiorstw w ramach wykazywanej przez nie chęci bycia "środowiskowo przyjaznym" jest system zarządzania środowiskowego (SZŚ) wg normy ISO 14001. Celem wdrażania i utrzymywania przez przedsiębiorstwa SZŚ jest cel ekologiczny - minimalizacja negatywnego oddziaływania przedsiębiorstwa na środowisko przyrodnicze. Oprócz celu ekologicznego SZŚ pozwala przedsiębiorstwom, w których funkcjonuje na osiąganie różnych korzyści. Analizując praktyczne funkcjonowanie SZŚ w przedsiębiorstwach można zatem postawić sobie pytanie: jakie efekty rzeczowe i ekologiczne uzyskuje przedsiębiorstwo dzięki funkcjonującemu w nim SZŚ? Odpowiedź na to pytanie starano się uzyskać przeprowadzając badania w przedsiębiorstwach przemysłu chemicznego. W toku przeprowadzonych badań stwierdzono, iż przedsiębiorstwa, w których funkcjonuje System Zarządzania Środowiskowego według normy ISO 14001 osiągają wymierne efekty rzeczowe i ekologiczne, jednak nie jest to w pełni zasługą samego SZŚ.
In the age of apparent ecologisation of economy, enterprises increasingly undertake voluntary pro-ecological actions, for example by implementing environment management system (EMS) based on the norm ISO 14001. The environment management system based on the norm ISO 14001 ought to be treated as an instrument, which should be of advantage both to environment and the enterprise itself. Realisation of laid out targets contained in the environmental policy requires larger or smaller financial expenditures to be incurred. The assessment performed EMS from the point of view of ecological results and real effects shows that owing to operating EMS an enterprise receives a number of direct and indirect benefits.
Źródło:
Problemy Ekologii; 2007, R. 11, nr 1, 1; 31-34
1427-3381
Pojawia się w:
Problemy Ekologii
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Problem emisji odorow - prezentacja zagadnienia na przykladzie przetworstwa odpadow zwierzecych
Autorzy:
Szklarczyk, M
Wierzbicka, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/806723.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
odpady zwierzece
stezenie zapachu
odor
przetwarzanie odpadow
dezodoryzacja
olfaktometria
emisja odorow
odpady poubojowe
Opis:
Przedstawiono charakter negatywnego oddziaływania odorów. Zaprezentowano sposób określania wielkości stężenia odorów. Opisano problem emisji na przykładzie zakładów przetwórstwa odpadów poubojowych. Określono wielkości emisji dla różnych przypadków rozwiązań technologicznych. Wskazano sposoby dezodoryzacji rozpatrywanych gazów.
Negative results of odor emission and a method for determining odour concentration are presented in the paper. The problem of odour emission is discussed on the example of the slaughterhouse offal processing. Odor emission amount was determined for different technological solutions, and effective methods for gas deodorization were proposed.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 2005, 505; 423-430
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The role of Cryptosporidium parvum and rotaviruses in diarrhoea of infants
Autorzy:
Spiewak, E.
Malafiej, E.
Wierzbicka, E.
Zieba, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/837716.pdf
Data publikacji:
1998
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Tematy:
Cryptosporidium parvum
disease
parasitic agent
diarrhea
Źródło:
Annals of Parasitology; 1998, 44, 3
0043-5163
Pojawia się w:
Annals of Parasitology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Funkcjonalizowany nanonapełniacz polimerów – otrzymywanie, charakterystyka i zastosowanie
Functionalized nanofiller for polymers – preparation, properties and application
Autorzy:
Wierzbicka, E.
Legocka, I.
Wardzińska-Jarmulska, E.
Szczepaniak, B.
Krzyżewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/945854.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Tematy:
nanonapełniacze
haloizyt
napełniacze o strukturze organiczno-nieorganicznej
modyfikacja polimerów
nanofillers
halloysite
organic-inorganic hybrid fillers
modification of polymers
Opis:
Przedstawiono badania dotyczące modyfikacji polimerów funkcjonalizowanym nanonapełniaczem. Scharakteryzowano strukturę i właściwości natywnego haloizytu oraz metodykę otrzymywania i właściwości haloizytu modyfikowanego mocznikiem. Zbadano właściwości mechaniczne nanokompozytów żywicy epoksydowej (EP) z modyfikowanym haloizytem. Omówiono wytrzymałość mechaniczną nanokompozytów żywic: mocznikowo-formaldehydowej (UF) oraz fenolowo-formaldehydowej (PF), modyfikowanych na etapie syntezy za pomocą funkcjonalizowanego haloizytu o strukturze hybrydowej. Przedstawiono wpływ zastosowanego nanonapełniacza na ograniczenie emisji formaldehydu z żywic fenolowo-formaldehydowych i mocznikowo-formaldehydowych.
The study on the modification of polymers using afunctionalized nanofiller has been described. The structure and properties of the native halloysite as well as the methods of preparation and the properties of halloysite modified by urea were characterized. The mechanical properties of the composites based on epoxy resin, urea-formaldehyde resin and phenol-formaldehyde resin containing from 1 to 4 wt % urea-modified halloysite, added in situ during the resin synthesis, were investigated. The effect of urea-modified halloysite on reducing the formaldehyde emission from phenol- and urea-formaldehyde resins has been demonstrated.
Źródło:
Polimery; 2016, 61, 10; 670-676
0032-2725
Pojawia się w:
Polimery
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modified halloysite as a filler for epoxy resins
Autorzy:
Legocka, I.
Wierzbicka, E.
Al-Zahari, T. J. M.
Osawaru, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778887.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
minerał warstwowo-rurowy
modyfikacja chemiczna
modyfikacji za pomocą ultradźwięków
napełnianie żywic epoksydowych
właściwości mechaniczne i termiczne
layered-tubular mineral
chemical modification
modification with ultrasounds
filling of epoxy resins
mechanical and thermal properties
Opis:
The modification methods of halloysite and further applications of the modified mineral as a filler for epoxy resins have been presented. The advantage of ultrasound treatment prior to chemical modification with an organic compound in order to obtain a hybrid filler was confirmed. The analysis of the composites obtained with the use of the modified halloysite (3–5 wt.% range) as a filler for epoxy resins indicates an improved interphase interaction and mechanical properties in comparison to the composites based on neat halloysite.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2011, 13, 3; 47-52
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray Topographic Studies of Defect Structure in $YVO_4$ Crystals
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Łukasiewicz, T.
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Lefeld-Sosnowska, M.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812259.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The perfection of $YVO_4$ crystals, which are predicted to replace formerly used YAG garnets due to higher quantum efficiency and lower excitation level, was studied. The investigations of Czochralski grown undoped $YVO_4$ single crystals were performed mainly by means of X-ray topographic methods. Both synchrotron and conventional X-ray sources were used. The study revealed relatively high density of weak point-like contrasts which can be most probably interpreted as dislocation outcrops. In regions of the crystal close to its boundary we observed glide bands. It was also found that in some regions the dislocations form local subgrain boundaries. The white beam back reflection and monochromatic beam topography allowed to evaluate a local misorientation which not exceeded several angular minutes. No segregation fringes were observed proving a good homogeneity of chemical composition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 455-461
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna defektów sieci krystalicznej w monokryształach MgAl2O4 i ScAlMgO4 otrzymywanych w różnych warunkach technologicznych
X-ray diffraction topography of lattice defects in MgAl2O4 and ScAlMgO4 crystals grown under different technological conditions
Autorzy:
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Wierzchowski, W.
Kisielewski, J.
Świrkowicz, M.
Szyrski, W.
Romaniec, M.
Mazur, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192366.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
topografia rentgenowska
MgAl2O4
ScAlMgO4
defekty krystaliczne
metoda Czochralskiego
X-ray diffraction topography
crystal lattice defects
Czochralski method
Opis:
Za pomocą konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej scharakteryzowana została realna struktura monokryształów spinelu magnezowego MgAl2O4 i monokryształów ScAlMgO4 (SCAM). Badania uzupełniające prowadzono za pomocą dyfraktometrii wysokorozdzielczej, skaningowej mikroskopii elektronowej, mikroanalizy rentgenowskiej oraz metod polaryskopowych. Topogramy MgAl2O4 wskazują na jakość kryształów pozwalającą na przeprowadzenie szczegółowych badań realnej struktury metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej. W żadnej z badanych próbek nie zaobserwowano kontrastów pochodzących od pasm segregacyjnych. Topogramy badanych kryształów ujawniają obecność rdzenia w centralnej części próbek, często z wyraźnie zaznaczonymi obszarami ściankowanymi odpowiadającymi wzrostowi na niskowskaźnikowych płaszczyznach krystalograficznych. W zewnętrznej części rdzenia zaobserwowano liczne kontrasty dyfrakcyjne związane najprawdopodobniej z defektami objętościowymi typu solute trails oraz wyraźne kontrasty związane z grupą dyslokacji. Za pomocą topografii dwukrystalicznej ujawniono naprężenia związane z rdzeniem oraz defektami objętościowymi solute trails. Ze względu na tendencję do rozwarstwiania się kryształu ScAlMgO4 badania przeprowadzono na wybranych próbkach otrzymanych przez mechaniczne rozdzielenie materiału. Topogramy dwukrystaliczne ujawniły kontrast dyfrakcyjny odzwierciedlający poszczególne warstwy materiału. Szczegóły rozdzielania się warstw ujawniły obserwacje SEM.
Conventional X-ray diffraction topography was used for characterization of the real structure of MgAl2O4 and ScAlMgO4 (SCAM) single crystals. Complementary investigations were performed by means of high resolution X-ray diffractometry, scanning electron microscopy and polariscopic methods. The obtained topographs indicated a good crystallographic quality of the examined MgAl2O4 crystals. In all investigated crystals no segregation fringes were observed. A distinct core region was revealed in all samples, often including three or more facetted regions. Some contrast connected with solute trails and groups of dislocations were observed in the region outside the core. The double-crystal topographs indicated the presence of distinct residual strains connected with the core and other defects. In view of the tendency for ScAlMgO4 to split into layers, the investigations were performed using the samples obtained by mechanical cleavage. The double-crystal topographs revealed diffraction contrast corresponding to consecutive “layers” of the material. The details of splitting were shown by SEM investigation, which also confirmed the homogeneity of the crystal.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 1, 1; 29-39
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of oxide crystals by means of synchrotron and conventional X-ray diffraction topography
Badanie monokryształów tlenkowych za pomocą synchrotronowej i konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
Autorzy:
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Wieteska, K.
Wierzbicka, E.
Mazur, K.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192397.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
X-ray diffraction topography
crystal lattice defects
Czochralski method
dyfrakcyjna topografia rentgenowska
defekty sieci krystalicznej
metoda Czochralskiego
Opis:
X-ray diffraction topography, exploring both conventional and synchrotron sources of X-rays, has been widely used for the investigation of the structural defects in crystals of oxides. The majority of bulk oxide crystals have been grown by the Czochralski method from a melted mixture of high purity oxides. Some important oxide crystals like quartz and ZnO have been obtained by the hydrothermal method. In the case of crystals grown by the first method, synchrotron diffraction topography can be and was used for studying individual dislocations and their complexes (e.g. glide bands, sub-grain boundaries), individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. What is more, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of the defects, which becomes useful for improving the growth technology. In the present paper the possibilities of the diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the oxide crystals, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates. the majority of the results refer to oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology (ITME). The synchrotron investigations included in the paper were performed by the authors at the HASYLAB Synchrotron Laboratory in Hamburg.
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna, wykorzystująca zarówno konwencjonalne, jak i synchrotronowe źródła promieniowania rentgenowskiego, jest od wielu lat z powodzeniem stosowana do badania defektów strukturalnych w różnego rodzaju monokryształach. Szeroką grupę tych materiałów stanowią kryształy tlenkowe, które w większości są otrzymywane metodą Czochralskiego ze stopionej mieszaniny tlenków o wysokiej czystości. Do otrzymywania kryształów tlenków, takich jak kwarc i ZnO, stosuje się metodę hydrotermalną. rentgenowska topografia dyfrakcyjna może być wykorzystana do badania indywidualnych dyslokacji i ich kompleksów (np. pasma poślizgowe, granice niskokątowe), pojedynczych bloków, zbliźniaczeń, struktury domenowej i różnych efektów segregacyjnych. Wszystkie te defekty mogą wpływać negatywnie na jednorodność i właściwości kryształów. Badania topograficzne mogą również dostarczyć informacji dotyczących przyczyn powstawania defektów, co przydatne jest w doskonaleniu technologii. W niniejszej pracy omówiono możliwości topografii dyfrakcyjnej na podstawie przeprowadzonych badań szeregu kryształów tlenkowych, w szczególności granatów, ortowanadianów, mieszanych niobianów wapnia, baru i strontu oraz glinianów prazeodymu i lantanu. Większość wyników dotyczy monokryształów tlenków otrzymywanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME). uwzględnione badania synchrotronowe zostały przeprowadzone przez autorów w Laboratoriom Synchrotronowym HASYLAB w Hamburgu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies