Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wesołowski, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 38
Tytuł:
Visible Light Emission from Porous Silicon
Autorzy:
Bugajski, M.
Wesołowski, M.
Lewandowski, W.
Ornoch, J.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924257.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.65.-s
Opis:
The aim of this paper is the study of porous Si prepared by preferential anodic dissolution in concentrated HF acid solutions. Porous silicon layers exhibited extremely efficient luminescence in the 700-900 nm range at room temperature. Basic characteristics of this luminescence strongly suggest the intrinsic origin of the process, directly related to quantum confinement. The additional transmission-electron-microscopy and electron-diffraction studies - were performed to support hypothesis that luminescence originates from silicon nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 914-918
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
2-(2-Butoksyetoksy)etanol – metoda oznaczania
2-(2-Buthoxyethoxy)etanol – determination metod
Autorzy:
Wesołowski, W.
Kucharska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/138252.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
2-(2-butoksyetoksy)etanol
glikol butoksydietylowy
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
diethylene glycol monobutyl ether
air analysis
workplace
gas chromatography
2-(2-butoxyethoxy)ethanol
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń par 2-(2-butoksyetoksy)etanolu w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na adsorpcji par 2-(2-butoksyetoksy)etanolu na węglu aktywnym, wyekstrahowaniu substancji mieszaniną dichlorometanu i metanolu oraz analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 10 mg/m3 powietrza.
The method is based on the adsorption of 2-(2-buthoxyethoxy)ethanol on charcoal, desorption with 5% solution of methanol in dichloromethane and a gas chromatographic analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 10 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2004, 4 (42); 31-37
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Warstwa polityków: ewolucja bez postępu
Political Class: Evolution without Progress
Autorzy:
Wesołowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2138598.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
political elite
political party
transformation
former democratic opposition camp
Solidarity camp
privatization
parliament
populism
legitimization
programs of social and political change
government
European Union
elita polityczna
partia polityczna
transformacja
obóz byłej opozycji demokratycznej
obóz solidarności
prywatyzacja
parlament
populizm
legitymizacja
programy zmian społecznych i politycznych
rząd
Unia Europejska
Opis:
The article discusses the processes of formation of a political stratum in Poland and the results of their actions in the years 1989-2004. The author points to several (direct and indirect) causes of the deficiencies of that stratum: party fragmentation, insufficient programmatic work, fluidity in the composition of successive parliaments. This last development negatively affects the quality of legislative work. At the same time, instability of the executive branch has an adverse impact on the quality of governance. As a consequence of these developments democratic legitimacy of the system is under pressure, populism creeps in and oligarchic tendencies appear in economy. The author suggests that if the political stratum is to perform beneficial role for the social and political system, the party structure and quality of work of individual members must improve. At the end of the article the author discusses the conditions of democratic consolidation and the conditions of effective functioning of Polish politicians in the institutions of European Union.
Podstawowe tezy artykułu mówią o procesach kształtowania się warstwy polityków oraz rezultatach ich działań w Polsce w latach 1989-2004. Fragmentaryzacji a partii oraz niedostateczna praca programowa są wskazane jako przyczyny (pośrednie i bezpośrednie) niepowodzeń, które objawiają się w wielu dziedzinach. Artykuł przedstawia dane o niekorzystnym kształtowaniu się składu kolejnych parlamentów oraz ich płynności, co nie stwarza dobrych podstaw do efektywnej pracy legislacyjnej. Równolegle wskazana jest zmienność rządów jako negatywna cecha rządzenia. Zagrożona jest demokratyczna legitymizacja systemu. Ujawniają się populizm oraz oligarchizacja życia gospodarczego. Artykuł sugeruje potrzebę doskonalenia całej struktury partyjnej oraz merytorycznego doskonalenia się warstwy polityków, jeśli mają oni spełniać właściwą rolę w systemie politycznym i społecznym. W końcowych częściach artykułu dyskutowany jest problem warunków konsolidacji demokratycznej oraz warunków efektywnego funkcjonowania polskich polityków w instytucjach Unii Europejskiej.
Źródło:
Studia Socjologiczne; 2004, 3(174); 19-61
0039-3371
Pojawia się w:
Studia Socjologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Akrylan hydroksypropylu (mieszanina izomerów) – metoda oznaczania
Hydroxypropyl acrylate – determination method
Autorzy:
Kucharska, M.
Wesołowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/138387.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
akrylan hydroksypropylu
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
hydroxypropyl acrylate
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń akrylanu hydroksypropylu (HPA) w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na adsorpcji par akrylanu hydroksypropylu na węglu aktywnym, desorpcji dichlorometanem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 0,2 mg/m3.
The method is based on the adsorption of hydroxypropyl acrylate on charcol, desorption with dichloromethane and gas chromatographic (GC-MSD) analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 0.2 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2006, 1 (47); 5-11
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dezfluran – metoda oznaczania
Desflurane – determination method
Autorzy:
Wesołowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/137234.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
dezfluran
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
desflurane
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń dezfluranu w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na adsorpcji par dezfluranu na węglu aktywnym, desorpcji toluenem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 4 mg/m3.
This method is based on the adsorption of desflurane on petroleum charcoal, desorption with toluene and a gas chromatographic (GC-MSD) analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 4 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2007, 1 (51); 113-119
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Izofluran – metoda oznaczania
Isoflurane – determination method
Autorzy:
Kucharska, M.
Wesołowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/138080.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
izofluran
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
isoflurane
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń par izofluranu w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na adsorpcji par izofluranu na węglu aktywnym, desorpcji toluenem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 1 mg/m3.
This method is based on the adsorption of isoflurane on petroleum charcoal, desorption with toluene and a gas chromatographic (GC-MSD) analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 1 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2007, 1 (51); 133-139
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:
Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:
Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
Autorzy:
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Zynek, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Kościewicz, K.
Czołak, D.
Nizel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
epitaksja związków półprzewodnikowych
technologia MOCVD
struktura półprzewodnikowa
struktura fotoniczna
zastosowanie komputerów
studnia kwantowa
metody numeryczne
Opis:
Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sewofluran – metoda oznaczania
Sevoflurane – determination method
Autorzy:
Kucharska, M.
Wesołowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/137224.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
sewofluran
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
evoflurane
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metoda polega na adsorpcji par sewofluranu na węglu aktywnym, desorpcji toluenem i analizie otrzymanego roztworu metodą chromatografii gazowej. Oznaczalność metody wynosi 2 mg/m3.
This method is based on the adsorption of sevoflurane on petroleum charcoal, desorption with toluene and gas chromatographic (GC-MSD) analysis of the resulting solution. The determination limit of this method is 2 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2008, 1 (55); 49-55
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural and Optical Properties of Antimony-Containing Epitaxial Layers Grown on GaSb by MOCVD
Autorzy:
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807649.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
81.05.Ea
68.55.A-
68.55.ag
68.55.J-
68.55.Nq
Opis:
Experimental results on MOCVD epitaxy of some antimonides on GaSb substrates are presented. Specific technological problems, which effect in narrow window of process parameters, were overcome and good quality of GaSb/GaSb, InGaSb/GaSb and InGaAsSb/GaSb layers was obtained. Structural, optical and electrical characterisation data are shown and discussed. Developed technology can state a ground work for realisation of antimonide-based optoelectronic devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-62-S-64
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Trichloro(fenylo)metan – metoda oznaczania
Trichlorotoluene – determination method
Autorzy:
Wesołowski, W.
Kucharska, M.
Gromiec, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/138040.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
trichloro(fenylo)metan
substancje rakotwórcze
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
trichlorotoluene
cancerogenic substances
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń trichloro(fenylo)metanu w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na adsorpcji par trichloro(fenylo)metanu na węglu aktywnym, desorpcji toluenem i analizie otrzymanego roztworu za pomocą chromatografii gazowej z detekcją wychwytu elektronów. Oznaczalność metody wynosi 0,2 g/m3.
The method is based on the adsorption of –trichlorotoluene [trichloro(phenylo)methane] on charcol, de-sorption with toluene and gas chromatographic (GC-ECD) analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 0.2 μg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2009, 1 (59); 181-188
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Octan 2-etoksyetylu – metoda oznaczania
2-Ethoxyethyl acetate – determination method
Autorzy:
Wesołowski, W.
Kucharska, M.
Gromiec, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/137563.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
octan 2-etoksyetylu
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
2-ethoxyethyl acetate
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń octanu 2-etoksyetylu w powietrzu na stanowiskach pracy. Metoda polega na adsorpcji par octanu 2-etoksyetylu na węglu aktywnym, desorpcji dichlorometanem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 0,1 mg/m3 (dla próbki o objętości 10 l).
The method is based on the adsorption of 2-ethoxyethyl acetate on activated charcoal, desorption with dichloromethane and gas chromatographic (GC-MSD) analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 0.1 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2010, 1 (63); 177-183
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Octan 2-metoksyetylu – metoda oznaczania
2-Methoxyethyl acetate – determination method
Autorzy:
Kucharska, M.
Wesołowski, W.
Gromiec, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/137773.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
octan 2-metoksyetylu
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
2-methoxyethyl acetate
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń octanu 2-metoksyetylu w powietrzu na stanowiskach pracy. Metoda polega na adsorpcji par octanu 2-metoksyetylu na węglu aktywnym, desorpcji dichlorometanem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 0,05 mg/m3 (dla próbki o objętości 10 l).
The method is based on the adsorption of 2-methoxyethyl acetate on activated charcoal, desorption with dichloromethane and gas chromatographic (GC-MSD) analysis of the resulting solution. The determination limit of the method is 0.05 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2010, 1 (63); 185-192
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tioacetamid – metoda oznaczania
Thioacetamide – determination method
Autorzy:
Wesołowski, W.
Kucharska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/138200.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
tioacetamid
substancje rakotwórcze
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
thioacetamide
cancerogenic substances
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń tioacetamidu w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na zatrzymaniu aerozolu tioacetamidu na filtrze z włókna szklanego, eluacji acetonem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 0,01 mg/m3.
Air samples are collected by drawing a know volume of air through glass microfibre filters. Samples are extracted with acetone by means of an ultrasonic bath. The obtained extracts are analyzed with gas chromatography with mass spectrometry (GC-MS). The determination limit of the method is 0.01 mg/m3.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2010, 1 (63); 213-219
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Uwodornione terfenyle – metoda oznaczania
Hydrogenated terphenyls – determination method
Autorzy:
Wesołowski, W.
Kucharska, M.
Gromiec, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/137925.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Centralny Instytut Ochrony Pracy
Tematy:
uwodornione terfenyle
analiza powietrza
stanowisko pracy
chromatografia gazowa
hydrogenated terphenyls
air analysis
workplace
gas chromatography
Opis:
Metodę stosuje się do oznaczania stężeń aerozolu uwodornionych terfenyli oraz izomerów terfenylu w powietrzu na stanowiskach pracy podczas przeprowadzania kontroli warunków sanitarnohigienicznych. Metoda polega na zatrzymaniu aerozolu uwodornionych terfenyli oraz izomerów terfenylu na filtrze z włókna szklanego oraz żywicy XAD-2, ekstrakcji dichlorometanem i analizie chromatograficznej otrzymanego roztworu. Oznaczalność metody wynosi 1 mg/m3 powietrza, zaś najmniejsze stężenia izomerów terfenylu, jakie można oznaczyć w tych samych warunkach, wynoszą odpowiednio: 0,0001 mg/m3 izomeru orto-, 0,0005 mg/m3 izomeru meta- i 0,0004 mg/m3 izomeru para-terfenylu.
Air samples are collected by drawing a known volume of air through glass fibre filters in series with XAD-2 tubes. Samples are extracted in an ultrasonic bath with 2 ml dichloromethane. The obtained extracts are analyzed with gas chromatography using a mass detector (GC-MSD). The determination limit of this method is 1 mg/m3 for hydrogenated terphenyls and 0.0001 mg/m3 for o- terphenyl, 0.0005 mg/m3 for m-terphenyl, 0.0004 mg/m3 for p-terphenyl.
Źródło:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2010, 1 (63); 227-236
1231-868X
Pojawia się w:
Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 38

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies