Structural and Optical Properties of Antimony-Containing Epitaxial Layers Grown on GaSb by MOCVD

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Structural and Optical Properties of Antimony-Containing Epitaxial Layers Grown on GaSb by MOCVD
Autorzy:: Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807649.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.15.Gh
81.05.Ea
68.55.A-
68.55.ag
68.55.J-
68.55.Nq
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-62-S-64
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Experimental results on MOCVD epitaxy of some antimonides on GaSb substrates are presented. Specific technological problems, which effect in narrow window of process parameters, were overcome and good quality of GaSb/GaSb, InGaSb/GaSb and InGaAsSb/GaSb layers was obtained. Structural, optical and electrical characterisation data are shown and discussed. Developed technology can state a ground work for realisation of antimonide-based optoelectronic devices.

Informacja

Powiązane pozycje