Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Weber, E.R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    A New Type of Semi-Insulating Materials
    Autorzy:
    Leon, R. P.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921578.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    Opis:
    The introduction of Cu in InP at 700°C and higher temperatures results in both initially p-type and n-type InP become semi-insulating. It is also observed that thermally stable In-Cu rich precipitates form, that the concentration of deep levels is negligible and that InP:Cu samples exhibit inhomogeneities and anomalous transport behavior. The buried Schottky barrier model is the only model thus far studied which is consistent with these experimental observations. This model has general applicability, and its possible relevance to other semiconductors is examined. The conditions necessary for forming quasi-intrinsic semiconductors by metallic precipitation are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 664-669
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Defects in Low-Temperature GaAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Muszalski, J.
    Kamińska, M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923822.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    72.80.Ey
    Opis:
    Conductivity of GaAs layers grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperature (190-200°C) and then annealed at few different temperatures (between 300 and 600°C) were studied. It was confirmed that electron transport is due to hopping between arsenic antisite defects. Parameters describing hopping conductivity and their dependence on temperature of annealing are discussed. Other deep defects with activation energies of 0.105, 0.30, 0.31, 0.47, 0.55 eV were found using photoinduced current transient spectroscopy measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 821-824
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron Paramagnetic Resonance Study of Se-Doped AlSb: Evidence for Negative-U of the DX Center
    Autorzy:
    Stallinga, P.
    Walukiewicz, W.
    Weber, E.R.
    Becla, P.
    Lagowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1943839.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    76.30.Da
    Opis:
    A metastable electron paramagnetic resonance signal is observed in Se doped AlSb. After illumination a strong, persistent electron paramagnetic resonance signal with an isotropic g-factor of 1.949 is observed. The absence of any electron paramagnetic resonance when cooled in the dark is direct evidence for the negative-U model. The electron paramagnetic resonance arises from the effective-mass state of the defect, which is not filled at thermal equilibrium. An analysis of the lineshape reveals that the linewidth is determined by hyperfine interactions. The extend of the wave function is found to be comparable to the prediction for the effective-mass state.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1043-1047
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
    Autorzy:
    Karpińska, K.
    Godlewski, M.
    Żytkiewicz, Z. R.
    Chen, W. M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    76.70.Hb
    78.55.Cr
    Opis:
    The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and Electrical Measurements of Low-Temperature InAlAs
    Autorzy:
    Korona, K. P.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Kamińska, M.
    Baranowski, J. M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923833.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    73.60.Br
    78.55.Cr
    Opis:
    Photoluminescence, photocurrent, thermally stimulated current and photoinduced current transient spectroscopy measurements done on molecular beam epitaxy In$\text{}_{0.52}$Al$\text{}_{0.48}$As layer, lattice matched to InP are reported. The investigated layers were grown on semi-insulating InP wafers, at temperature range from 215 to 450°C. It was found that the Fermi level was pinned to a dominant midgap center (most likely similar to EL2 center). Moreover, there were at least 7 other defects but with much smaller concentrations. Their activation energies were equal to 0.076, 0.11, 0.185, 0.295, 0.32 and 0.40 eV. The layers exhibited a very low luminescence and a small photocurrent.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 825-828
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    FFirst TSC and DLTS Measurements of Low Temperature GaAs
    Autorzy:
    Muszalski, J.
    Babiński, A.
    Korona, K. P.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Kamińska, M.
    Weber, E. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891236.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.-i
    72.80.Ey
    Opis:
    The first thermally stimulated current (TSC) and deep level transient spectroscopy (DLTS) studies performed on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperatures (LT GaAs) are reported. TSC experiments, conducted on as grown and 400-580°C annealed layers showed domination of arsenic antisite (EL2-like) defect and supported its key role in hopping conductivity. DLTS studies, performed on Si doped and annealed at 800°C layers revealed substantially lower concentration of EL2-like defect and an electron trap of activation energy ΔE = 0.38 eV was found.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 413-416
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Superconductivity in Indium Diffused GaAs
    Autorzy:
    Baranowski, J. M.
    Wójcik, P.
    Palczewska, M.
    Jabłoński, R.
    Weber, E. R.
    Yau, W. P.
    Sohn, H.
    Werner, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921582.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.70.Mq
    76.20.+q
    Opis:
    Superconductivity of indium diffused GaAs was investigated. The superconductivity in these samples was identified by the magnetic susceptibility and the characteristic field modulated microwave absorption. The static magnetic susceptibility was measured from 40 K down to 2.5 K. The result shows two distinctive diamagnetic contributions within 7 K-2.5 K range. These diamagnetic contributions were correlated with the excess of In and Ga metal in GaAs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 670-673
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fungi assemblages of the phyllosphere of eastern purple coneflower (Echinacea purpurea (L.) Moench.) depending on the rate of nitrogen
    Zbiorowiska grzybów fyllosfery jeżówki purpurowej (Echinacea purpurea (L.) Moench.) w zależności od dawki azotu
    Autorzy:
    Moszczyńska, E.
    Pląskowska, E.
    Matkowski, K.
    Biesiada, A.
    Weber, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11542439.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
    Opis:
    The fungi of phyllosphere may affect the plants health status and the yield obtained from the crop. Species composition of mycobiota infesting the plant`s phyllosphere is not only dependent on the atmospheric factors, but also on the nitrogen fertilization. The field experiment was set up in Psary near Wrocáaw, in the years 2007–2009. The aim of the study was to determine the species composition of the phyllospheric fungi of the purple coneflower depending on the nitrogen rate: 50 kg N·ha-1 and 200 kg N·ha-1. The fungi species most abundantly isolated from the coneflower phyllosphere were Cladosporium herbarum, Alternaria alternata and Cladosporium cladosporioides. The abundance of the isolated fungi taxa was significantly lower in 2008, compared to the other two years. The atmospheric conditions in 2007 encouraged development of Fusarium spp. During the three-year experiment Gibberella intricans predominated in the coneflower phyllosphere. The lower level of nitrogen (50 kg N·ha-1) favoured the increased incidence of Cladosporium spp., Gibberella intricans, F. sporotrichioides, F. oxysporum, F. culmorum, Gibberella avenacea and Gibberella zeae.
    Grzyby fyllolsfery mogą wpływać na stan zdrowia roślin oraz plon uzyskiwany z uprawy. Skład gatunkowy grzybów infekujących z fyllosfery może być zależny od czynników atmosferycznych lub nawożenia azotem. Doświadczenie zostało założone w latach 2007–2009 w Psarach pod Wrocławiem. Celem badań było określenie składu gatunkowego grzybów fyllosfery Echinacea purpurea w zależności od zastosowanej dawki azotu 50 kg N·ha-1 i 200 kg N·ha-1. Z powierzchni liści jeżówki purpurowej najliczniej byáy izolowane Cladosporium herbarum, Alternaria alternata i Cladosporium cladosporioides. W 2008 r. uzyskano istotnie mniejszą liczebność wyizolowanych grzybów. Warunki atmosferyczne w 2007 r. były korzystne dla rozwoju grzybów rodzaju Fusarium. W czasie trzyletnich badań w fyllosferze jeżówki dominował Gibberella intricans. Mniejsza dawka azotu (50 kg N·ha-1) sprzyjała wzrostowi liczebności Cladosporium spp., Gibberella intricans, F. sporotrichioides, F. oxysporum, F. culmorum, Gibberella avenacea i Gibberella zeae.
    Źródło:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus; 2013, 12, 4; 153-162
    1644-0692
    Pojawia się w:
    Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interakcja odmian pszenicy ozimej z warunkami środowiska w kształtowaniu poziomu plonowania na podstawie wyników PDO na dolnym Śląsku
    Interaction of winter wheat varieties with conditions of the habitat in the formation of the yielding levels on the basis of post-registratioin cultivat testing in lower Silesia
    Autorzy:
    Weber, R.
    Zalewski, D.
    Bujak, H.
    Kaczmarek, J.
    Śmiałek, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/11236525.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
    Tematy:
    pszenica ozima
    srodowisko naturalne
    Dolny Slask
    odmiany roslin
    Porejestrowe Doswiadczalnictwo Odmianowe
    plonowanie
    nawozenie azotem
    ochrona roslin
    choroby grzybowe
    warunki glebowe
    uprawa roslin
    nawozenie makroelementami
    dobor odmian
    Źródło:
    Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio E. Agricultura; 2011, 66, 2; 1-10
    0365-1118
    Pojawia się w:
    Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio E. Agricultura
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Diffraction Studies of Nanocrystals: Theory and Experiment
    Autorzy:
    Palosz, B.
    Grzanka, E.
    Gierlotka, S.
    Stel'makh, S.
    Pielaszek, R.
    Bismayer, U.
    Neuefeind, J.
    Weber, H.-P.
    Palosz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035453.pdf
    Data publikacji:
    2002-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.46.+w
    Opis:
    Based on theoretical calculations of powder diffraction data it is shown that the assumption of the infinite crystal lattice for small particles is not justified, leads to significant changes of the diffraction patterns, and may lead to erroneous interpretation of the experimental results. An alternate evaluation of diffraction data of nanoparticles, based on the so-called "apparent lattice parameter", alp, is proposed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 1; 57-82
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Sorption of pendimethalin by humin fraction isolated from the mollic horizon of Chernozems
    Autorzy:
    Mielnik, L.
    Bejger, R.
    Ukalska-Jaruga, A.
    Ćwieląg-Piasecka, I.
    Weber, J.
    Jerzykiewicz, M.
    Kocowicz, A.
    Jamroz, E.
    Dębicka, M.
    Bekier, J.
    Podlasiński, M.
    Debaene, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/53591982.pdf
    Data publikacji:
    2024
    Wydawca:
    Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
    Opis:
    The aim of the research was to investigate interactions between pendimethalin (PE), an active substance of plant protection products, and the humin fraction (HM), which is the most recalcitrant component of soil organic matter. The soil material used for the study was collected from the mollic horizon of two Chernozems different in physicochemical properties. HM was obtained in the solid state after discarding humic acid (HA) and fulvic acid (FA) and digesting the mineral fraction in an HF-HCl mixture. Pure PE and two commercial products containing the substance (Penfox 330 EC and Stomp Aqua 455 SC), dissolved in hexane and added to the HM, were used in the research. The batch sorption experiment was carried out in accordance with OECD Guidelines for the Testing of Chemicals No.106. Spectroscopic methods (UV-Vis-nearIR and fluorescence) were used to assess the molecular characteristics of HM exposed to pesticides. The study showed significant differences in the molecular structures of the tested HM as a result of interactions with the pesticides used. The results revealed that PE had a different effect than the commercial products, and proved that the composition of commercial products significantly modified the strength and ability of organic matter to bind pesticides. This is probably related to the presence of adjuvants that are more competitive in forming bonds with the active sorption sites of HM, and thus strengthen or weaken the process of forming pesticide-HM complexes. As a result, the diversity of the molecular structure of HM and the presence of accompanying substances in commercial pesticide products interact, leading to different sorption mechanisms and durability of the resulting products.
    Źródło:
    Journal of Elementology; 2024, 29, 1; 37-55
    1644-2296
    Pojawia się w:
    Journal of Elementology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies