Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wójcik-Jedlińska, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The role of photoluminescence excitation spectroscopy in investigation of quantum cascade lasers properties
Autorzy:
Wójcik-Jedlińska, A.
Gradkowski, K.
Kosiel, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378431.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
lasery
AlGaAs
lasery kaskadowe
fotoluminescencja
modelowanie numeryczne
spektroskopa
lasers
Quantum Cascade Laser (QCL)
photoluminescence
numerical simulations
spectroscopy
Opis:
The properties of quantum cascade laser (QCL) structures have been investigated by optical technique based on spontaneous emission measurements: photoluminescence excitation (PLE) spectroscopy. Three types of test structures used for obtaining final QCL device were examined , i.e., single sequence of coupled quantum wells, which form an active region of the device, 30 sequences of this active region separated by 25 nm thick AlGaAs barriers and finally complete, undoped structure consisting of 30 of sequences repeated active regions and superlattice injectors. The results has been compared with numerical simulations. The role of such measurements has also been discussed.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 10; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
Autorzy:
Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.
Łukowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
85.35.Be
78.67.De
42.55.Sa
42.55.Xi
Opis:
In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies