Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Vasil'evskii, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Electron Transport in Modulation-Doped InAlAs/InGaAs/InAlAs Heterostructures in High Electric Fields
Autorzy:
Požela, K.
Požela, J.
Jucienė, V.
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Sužiedėlis, A.
Žurauskienė, N.
Stankevič, V.
Keršulis, S.
Paškevič, Č.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505525.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Ht
72.10.Di
73.21.Fg
73.63.Hs
73.40.Kp
Opis:
The following peculiarities of electron transport in $In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ quantum wells with δ-Si-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As$ barriers at high electric fields are discovered: (1) an enhancement of electron mobility by inserting the InAs phonon wall into the $In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ quantum well, as well as increasing the InAs content in the modulation-doped $In_{0.8}Ga_{0.2}As//In_{0.7}Al_{0.3}As$ heterostructure; (2) a large decrease in electron mobility and a change of electron density with increasing electric field in the range of 1-4 kV/cm; (3) a magnetic field dependence of the threshold electric field for intervalley scattering of electrons; and (4) microwave current oscillations in high electric fields.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 170-172
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies