Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Szmidt, J. K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-15 z 15
    Tytuł:
    A Note on radiation conditions for narrow-band random waves generated in fluid of constant depth
    Autorzy:
    Szmidt, J. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/241111.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Budownictwa Wodnego PAN
    Tematy:
    radiation conditions
    narrow-band random waves
    semi-infinite layer
    fluids
    finite difference method
    Opis:
    In the paper, the generation of narrow-band random waves in a semi-infinite layer of fluid is considered. The problem is formulated in a discrete space of chosen points by means of the finite difference method. The main goal of the investigations is to construct radiation boundary conditions which enable us to replace the infinite fluid area with a finite domain. The investigations are illustrated with experimental results and numerical examples confirming efficiency of the discrete model developed in the paper.
    Źródło:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics; 2001, 48, 4; 39-55
    1231-3726
    Pojawia się w:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    An Approximate solution to the Boussinesq type equations describing periodic waves
    Autorzy:
    Szmidt, J. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/240984.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Budownictwa Wodnego PAN
    Tematy:
    Boussinesq type equations
    shallow water
    Opis:
    The paper concerns the non-linear problem of description of shallow-water waves of finite amplitude. The description is based on the conservation-law formulation, which seems to be particularly convenient in constructing an approximate solution of the problem considered. The analysis is confined to the one-dimensional case of waves propagating in water of constant depth. In the model considered, vertical acceleration of the fluid is taken into account, and thus, the fundamental equations of the problem are similar to those given by Boussinesq (Abbott 1979). The equations differ from those frequently used in shallow-water hydrodynamics which are based on the assumption of hydrostatic pressure. An approximate solution of the problem is constructed by means of a perturbation scheme with the third order expansion of the equations with respect to a small parameter. It is demonstrated that the solution procedure may be successfully applied only within a certain range of the two ratios defining wave height to water depth and the depth to wave length, respectively.
    Źródło:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics; 2003, 50, 3; 269-285
    1231-3726
    Pojawia się w:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On the transformation of long gravity waves on a sloping beach
    Autorzy:
    Szmidt, J.K.
    Hedzielski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/49151.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Oceanologii PAN
    Tematy:
    long wave
    gravity wave
    transformation
    wave transformation
    sloping beach
    wave gauge
    propagation
    investigation
    experimental measurement
    Opis:
    The transformation of long water waves arriving at a sloping beach is investigated. An approximate theory is presented for plane periodic waves propagating in water of non-uniform depth. The theoretical description of the phenomenon, based on certain kinematic assumptions, is formulated in the material variables, and the solution is constructed by applying the Hamilton variational principle. In order to assess the accuracy of the formulation and to learn more about long wave transformation, experimental measurements were carried out in a laboratory flume. In the experiments, a water wave, generated by a piston-type wave maker placed at one end of the flume, propagated towards a rigid inclined ramp installed at the other end of the flume. The wave transformation along the direction of its propagation was recorded by a set of wave gauges installed along the flume. The wave run- up on the sloping beach was measured with a special conductivity gauge placed alongside the ramp. Comparison of the theoretical results with experimental data indicates that the proposed theoretical formulation provides a good description of the main features of wave transformation behaviour over a sloping beach, except in the vicinity of the shore point, where some discrepancies occur.
    Źródło:
    Oceanologia; 2010, 52, 3; 363-389
    0078-3234
    Pojawia się w:
    Oceanologia
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Approximate solution to standing water waves of finite amplitude in material description
    Autorzy:
    Szmidt, J. K.
    Hedzielski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/241204.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Budownictwa Wodnego PAN
    Opis:
    An analysis is given of standing water waves of finite amplitude growing in time. In the model considered, a piston-type wave maker generates the waves in a rectangular fluid domain. The frequency of the generation corresponds to water waves of lengths equal to double length of the fluid domain. In this way the case of resonance the obtained and the amplitude of the generated standing wave grew in time. The analysis has been confined to the second order approximation expressed in the material variables. Theoretical results have been compared with experimental data.
    Źródło:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics; 2002, 49, 4; 55-75
    1231-3726
    Pojawia się w:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On variational formulation in water wave mechanics
    Autorzy:
    Wilde, P.
    Szmidt, J. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/241323.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Budownictwa Wodnego PAN
    Tematy:
    water wave
    variational formulation
    spatial and material description
    Opis:
    In this paper variational formulations for surface gravitational waves in inviscid incompressible fluids are investigated. The formulations are introduced with the help of the principle of virtual work. The starting point are equations of motion multiplied by a field of virtual displacements and integrated over the region occupied by the fluid. In derivations of the virtual work equation careful attention is paid to mutual relations between Eulerian and Lagrangian descriptions. The integration of the equation with respect to time leads to the expression for the Lagrangian function and then the Hamilton's principle. The case of a potential flow and spatial description provides a generalisation of the Lagrangian given by Luke (1967).
    Źródło:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics; 2004, 51, 1; 55-74
    1231-3726
    Pojawia się w:
    Archives of Hydro-Engineering and Environmental Mechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Vibrations of a plate in fluid and associated damping due to energy transmission by dilatational waves
    Autorzy:
    Wilde, P.
    Szmidt, J. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/280228.pdf
    Data publikacji:
    1999
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
    Tematy:
    vibrations
    fluid
    damping
    silatational waves
    Opis:
    The paper presents a solution to the problem of harmonic vibrations of a plate submerged in an unbounded medium of inviscid compressible fluid. The solution is obtained, as a limiting case, by means of a solution to the problem of an infinite elliptic cylinder vibrating in the fluid. The latter problem is solved with the help of the Fourier method of separation of variables in the elliptic coordinate system. For comparison purposes, a similar problem of circular cylinder vibrating in the fluid is also investigated. From the discussion presented it follows, that the fluid compressibility is essential in estimating hydrodynamical forces, especially in calculating damping of plate vibrations for higher frequencies.
    W pracy przedstawiono rozwiązanie zagadnienia drgań harmonicznych płyty zanurzonej w nieograniczonym obszarze ściśliwej cieczy nielepkiej. Rozwiązanie to otrzymano za pomocą przejścia granicznego w zbudowanym rozwiązaniu dla nieskończonego walca eliptycznego drgającego w cieczy. Ten ostatni problem rozwiązano za pomocą metody Fouriera rozdzielenia zmiennych w eliptycznym układzie współrzędnych. Dla porównania, wyznaczono również rozwiązanie dla drgań walca kołowego zanurzonego w cieczy. Z przedstawionej dyskusji wynika, że ściśliwość cieczy jest podstawowym parametrem w opisie sił hydrodynamicznych, a szczególnie -- --tłumienia drgań płyty dla wyższych częstości.
    Źródło:
    Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 1999, 2; 267-282
    1429-2955
    Pojawia się w:
    Journal of Theoretical and Applied Mechanics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation on the Mechanisms of Nitrogen Shallow Implantation Influence on Trap Properties of $SiO_2$/n-Type 4H-SiC Interface
    Autorzy:
    Król, K.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1363825.pdf
    Data publikacji:
    2014-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Qv
    68.55.ag
    72.20.-i
    72.25.-b
    Opis:
    Silicon carbide (SiC) is the only wide-bandgap semiconductor capable of forming native dielectric layer of $SiO_2$ by thermal oxidation. This unique property of SiC combined with its high thermal conductivity and high critical field makes this semiconductor material suitable for high power electronic devices. Unfortunately, the state-of-the art technology does not use the full benefits of the material, especially in the case of MOSFET transistors. This is caused by insufficient electrical parameters of $SiO_2$/SiC interface. Two-component structure of the material and its high density result in high level of interface traps reducing the surface mobility and thus increasing series resistance of the device. One of the proposed methods of reducing the trap density in SiC MOS structure is a shallow nitrogen implantation prior to oxidation. This technique is based on the observation that introducing nitrogen into the $SiO_2$/SiC system results in significant reduction of trap states density and increase of the channel effective mobility. The shallow implantation technique has been reported to be as much effective as nitric oxide annealing which is one of the most effective techniques for oxide quality improvement in case of SiC. Unlike the diffusion based techniques, like postoxidation annealing, implantation of the nitrogen prior oxidation has the possibility of nitrogen concentration control near the oxide interface during oxidation process itself. This property is important since it was shown that the improvement degree is directly proportional to amount of nitrogen built in the vicinity of $SiO_2$/SiC interface during oxidation. However, previous investigations about this technique were inconclusive about the influence of implantation parameters and process conditions on observed effects. Both improvement and deterioration of interface quality was observed by different researchers. This behavior was never explained clearly. The primary objective of this research is to analyze the impact of implantation conditions on electrical properties of $SiO_2$/SiC MOS structure. This analysis is used to evaluate a hypothetical description of physical phenomena during oxidation of shallowly implanted substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1033-1037
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reliability of MIS transistors with plasma deposited Al2O3 gate dielectric film
    Autorzy:
    Szmidt, J.
    Werbowy, A.
    Dusiński, E.
    Zdunek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308421.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    MIS transistor
    reliability
    Al2O3 films
    RPP method
    Opis:
    The paper presents the parameters of MIS transistors with plasma deposited thin film aluminum oxide gate insulator. Al2O3 films were synthesized by means of the low-energy, low-temperature reactive pulse plasma (RPP) method. Investigated transistors, with channel width to length (W/L) ratios of 200/10 [žm/žm] and 200/20 [žm/žm] were manufactured in a standard microelectronic technological laboratory. In order to determine the most important parameters of produced devices there were measured their electrical characteristics. The distribution of the threshold voltage values was studied on a representative set of over two hundred structures.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 70-75
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Phosphorus Incorporation into $SiO_2$/4H-SiC (0001) Interface on Electrophysical Properties of MOS Structure
    Autorzy:
    Król, K.
    Konarski, P.
    Miśnik, M.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1376053.pdf
    Data publikacji:
    2014-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.16.Pr
    77.84.Bw
    77.55.Dj
    Opis:
    This paper describes the influence of phosphorus incorporation into $SiO_2$/4H-SiC system. The main scope is an analysis of the slow responding trap states (near interface traps) since the influence of phosphorus technology on fast traps has already been investigated by numerous research groups. Two different phosphorus incorporation methods were incorporated - the diffusion-based process of $POCl_3$ annealing and ion implantation. We have shown that regardless of method used a new distinct near interface trap center can be found located approximately at $E_{V}$ + 3.0 eV. This trap can be related to the incorporated phosphorus amount as shown through secondary ion mass spectroscopy measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1100-1103
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Depth Profile Analysis of Phosphorus Implanted SiC Structures
    Autorzy:
    Konarski, P.
    Król, K.
    Miśnik, M.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Turek, M.
    Żuk, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402214.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.49.Sf
    68.55.Ln
    82.80.Ms
    85.40.Ry
    Opis:
    Secondary ion mass spectrometry depth profile analyses were performed on two sets of 4H-SiC(0001) substrate samples implanted with phosphorus. Both sets were processed under the same conditions. We implanted the samples with 100 keV (10¹¹-10¹⁴ cm¯²) phosphorus ions through the thin chemical vapor deposition deposited silicon dioxide stopping mask in order to obtain an ultra-shallow implantation profile. After phosphorus implantation, secondary ion mass spectrometry depth profile analysis was performed on the first set of samples and the second set was subjected to thermal oxidation procedure at 1200°C in order to create a dielectric layer. The aim of the oxidation process was formation of the silicon dioxide layer enriched with phosphorus: the element, which is considered to be suitable for trap density reduction. Ion implantation parameters as well as oxidation and chemical etching procedures were examined for the proper incorporation of phosphorus into the subsurface structure of the silicon oxide. Secondary ion mass spectrometry depth profile analysis was performed with Physical Electronics 06-350E sputter ion gun and QMA-410 Balzers quadrupole mass analyser. The analytical parameters such as: 1.7 keV Ar⁺ ion beam digitally scanned over 3×3 mm² area and ion erosion rate of 1.4 nm/min and sampling rate of 0.3 nm, were suitable for samples oxidized after ion implantation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 864-866
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
    The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
    Autorzy:
    Caban, P.
    Kościewicz, K.
    Strupiński, W.
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    LP MOVPE
    GaN
    4H-SiC
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
    The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capillary Microfluidic Sensor for Determining the Most Fertile Period in Cows
    Autorzy:
    Borecki, M.
    Korwin-Pawlowski, M.
    Bebłowska, M.
    Szmidt, M.
    Urbańska, K.
    Kalenik, J.
    Chudzian, Ł.
    Szczepański, Z.
    Kopczyński, K.
    Jakubowski, A.
    Szmidt, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506725.pdf
    Data publikacji:
    2010-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.81.Pa
    87.85.fk
    47.35.Pq
    07.05.Mh
    Opis:
    This paper presents a new method of optoelectronic determination of cow fertility, based on a microfluidic fiber-optic capillary sensor. The current state of the art of fiber-optic capillary sensors is discussed briefly along with aspects of instrumentation and applications. Unlike classical fiber-optic sensors which are based on changes in light propagation inside the fiber in response to external conditions, optical capillary sensors rely on changes of light transmission within capillaries filled with the liquid to be analyzed. This approach opens up interesting new possibilities for the application of capillary microfluidic sensors, while raising specific issues relating to their construction, materials and technology. The investigated sensor uses light switching forced by local heating in a capillary filled with bovine vaginal fluid. The dynamically recorded data were processed in an artificial neural network. We were able to observe changes in the cow's fertility cycle allowing us to identify when an individual cow was in the middle part of standing estrus which is most situated for insemination.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1093-1099
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The role of jasmonates in the formation of a compound of chalcones and flavans with phytoalexin-like properties in mechanically wounded scales of Hippeastrum × hybr. bulbs
    Autorzy:
    Wilmowicz, E.
    Frankowski, K.
    Grzegorzewska, W.
    Kesy, J.
    Kucko, A.
    Banach, M.
    Szmidt-Jaworska, A.
    Saniewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/19110.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Źródło:
    Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica; 2014, 56, 1
    0001-5296
    Pojawia się w:
    Acta Biologica Cracoviensia. Series Botanica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pathomorphological changes in the small intestine and liver of the European beaver (Castor fiber L. 1758): a case study
    Zmiany patomorfologiczne w jelicie cienkim i wątrobie bobra europejskiego (Castor fiber L. 1758): studium przypadku
    Autorzy:
    Niemiec, T.
    Sikorowski, K.
    Struzynski, W.
    Pasko, S.
    Bartyzel, B.J.
    Szmidt, M.
    Balcerak, M.
    Januta, G.
    Bielecki, W.
    Koczon, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2516.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Tematy:
    pathomorphological change
    small intestine
    liver
    European beaver
    Castor fiber
    parasite
    Opis:
    Pathomorphological Changesin the Small Intestine and Liver of the European Beaver (Castor fiber L. 1758): a case study.The aim of thestudy was to examine and describe the morphology and patomorphology of small intestine and liver of European beaver (Castor fiber). In natural environment beavers are in constant contact with various both internal and external parasites. Histological analysis revealed the pathological changes within the digestive track and liver indicating long-term inflammation. It was hypothesized that the observed inflammation was caused by the parasites not related to beavers so far.
    Zmiany patomorfologiczne w jelicie cienkim i wątrobie bobra europejskiego (Castor fiber): studium przypadku. Celem pracy była ocena patomorfologiczna jelita cienkiego i wątroby bobra europejskiego (Castor fiber). W naturalnym środowisku bobry mają stały kontakt z pasożytami wewnętrznymi i zewnętrznymi. Ocena preparatów histologicznych wykazała zmiany patologiczne w obrębie układu pokarmowego i wątroby wskazując na przewlekły stan zapalny. Założono hipotezę, że przyczyną obserwowanych patologicznych zmian w tkanek jest zapalenie wywołane pasożytami jakich wcześniej nie stwierdzano u bobrów.
    Źródło:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Animal Science; 2016, 55[2]
    1898-8830
    Pojawia się w:
    Annals of Warsaw University of Life Sciences - SGGW. Animal Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Gain prediction theory of single foil gas electron multiplier detector
    Teoria wzmocnienia jednofoliowego detektora z gazowym powielaniem elektronów
    Autorzy:
    Domański, G.
    Szabatin, R.
    Kalenik, J.
    Jaworski, A.
    Wróblewski, P.
    Smolik, W.
    Kurjata, R.
    Konarzewski, B.
    Dziewiecki, M.
    Marzec, J.
    Zaremba, K.
    Ziembicki, M.
    Rychter, A.
    Kryszyn, J.
    Brzeski, P.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408074.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    Gas Electron Multiplier
    ionizing radiation detector
    detektor z gazowym powielaniem elektronów
    detektor promieniowania
    Opis:
    Gain prediction theory of single foil Gas Electron Multiplier detector was developed. Gas electron multiplier (GEM) detector with single foil was developed. Soft X-ray spectra with an energy of 5.9 keV emitted by the isotope Fe-55 were measured. On this basis, the dependence of gain and energy resolution from the detector voltage was determined. The simple theory of gain dependence on various detector parameters was developed. Preliminary results of the study confirmed the potential usefulness of the GEM detector as a substitute for the multiwire proportional chamber.
    Opracowano teorię wzmocnienia jednofoliowego detektora z gazowym powielaniem elektronów. Opracowano detektor z gazowym powielaniem elektronów z pojedynczą folią. Zmierzono widmo miękkiego promieniowania X, o energii 5,9 keV, emitowanego przez izotop Fe-55. Na tej podstawie wyznaczono zależność wzmocnienia i energetycznej zdolności rozdzielczej od napięcia zasilającego detektor. Opracowano prosta teorią zależności wzmocnienia od różnych parametrów detektora. Wstępne rezultaty badań potwierdzają potencjalną przydatność detektora GEM jako substytutu wielodrutowej komory proporcjonalnej.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2017, 7, 1; 130-132
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-15 z 15

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies