Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sarzała, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Thermal problems in arsenide VECSELs
    Zagadnienia cieplne w arsenkowych laserach typu VECSEL
    Autorzy:
    Sokół, A.
    Sarzała, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296424.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    VECSEL
    laser półprzewodnikowy
    gospodarka cieplna
    GaInNAs
    semiconductor disk laser
    heat management
    thermal management
    Opis:
    Different aspects of thermal management of GaAs-based vertical-external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs) are described and analyzed by example of typical configurations of GaInNAs/GaAs multiple-quantum-well (MQW) VECSEL. Simulations of two-dimensional heat-flux spreading within investigated structures have been carried out with the aid of the self-consistent thermal finite-element method. Influence of pumping-beam and heat spreader properties on maximal temperature increase have been studied and different heat management techniques have been compared.
    W pracy zostały opisane i przeanalizowane wybrane aspekty dotyczące własności cieplnych optycznie pompowanych laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z zewnętrzną pionową wnęką rezonansową (VECSELs, ang. vertical-external-cavity surface-emitting lasers) na podłożu z GaAs. Obliczenia wykonano dla typowych konfiguracji montażowych lasera typu VECSEL z obszarem czynnym w postaci wielokrotnej studni kwantowej wykonanej w systemie materiałowym GaInNAs/GaAs. Do symulacji dwuwymiarowego rozpływu ciepła wykorzystano samouzgodniony model cieplny oparty na metodzie elementów skończonych (MES) , przy pomocy którego porównano własności cieplne poszczególnych struktur oraz określono wpływ parametrów wiązki pompującej (moc, średnica) i heat spreadera (przewodność cieplna, grubość) na maksymalny przyrost temperatury w ich wnętrzach.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 53-63
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers
    Autorzy:
    Piskorski, Ł.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/175109.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    material parameters
    computer simulation
    mid-infrared devices
    GaSb-based lasers
    Opis:
    The proper modelling of semiconductor device operation with full complexity of many interrelated physical phenomena taking place within its volume is possible only when the material parameters which appear in each part of the self-consistent model are known. Therefore, it is necessary to include in calculations the material composition, temperature, carrier concentration, and wavelength dependences in electrical, thermal, recombination and optical models. In this work we present a complete set of material parameters which we obtained basing mostly on the experimental data found in several dozen publications. To refine the number of equations, we restrict the material list to those which are typically used in edge-emitting lasers and vertical-cavity surface-emitting lasers designed for mid-infrared emission.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 227-240
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    GaInNAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 2.33 μm
    Autorzy:
    Piskorski, Ł.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/199958.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    simulation of a diode-laser operation
    QW VCSELs
    mid-infrared radiation
    dilute nitrides
    Opis:
    In the present paper, the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination model is used to determine the optimal structure of the possible GaInNAs quantum-well (QW) tunnel-junction (TJ) vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with single-fundamental-mode operation at 2.33 μm wavelength suited for carbon monoxide sensing applications. From among various considered structures, the diode laser with 4-μm TJ and two 6-nm Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Ga0.327In0.673As0.71P0.29 QWs has the lowest threshold current and seems to be optimal for the above applications. Higher threshold currents are obtained for Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Al0.138 -Ga0.332In0.530As QW structures but the latter can be grown in reactors without P source which are used for fabrication of GaAs-based devices. Both the modelled VCSELs offer a very promising room temperature continuous wave performance and may represent an alternative choice to GaSb-based lasers.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 3; 737-744
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical model of a semiconductor disk laser
    Autorzy:
    Sokół, A. K.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174528.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    semiconductor disk laser
    SDL
    vertical-external-cavity surface-emitting laser
    VECSEL
    computer simulation
    numerical modelling
    Opis:
    In this paper we describe the numerical model of a semiconductor disk laser, developed and implemented in the Photonics Group, Institute of Physics, Lodz University of Technology, Poland. It consists of four strongly interrelated components for: carrier transport, heat flow, material gain and optical phenomena calculations. Combination of these components gives the steady-state self-consistent model which enables a simulation of various aspects of a semiconductor disk laser operation. A numerical analysis of carrier and power losses within the active region of 1.3-μm GaInNAs/GaAs semiconductor disk laser has been carried out using this model.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 199-211
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    History and achievements of the Institute of Physics of Lodz University of Technology
    Historia i najważniejsze osiągnięcia Instytutu Fizyki Politechniki Łódzkiej
    Autorzy:
    Staryga, E.
    Nakwaski, W.
    Sarzała, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296440.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    Institute of Physics of Lodz University of Technology
    Lodz University of Technology
    Instytut Fizyki Politechniki Łódzkiej
    Politechnika Łódzka
    Opis:
    History and achievements of the Institute of Physics of Lodz, University of Technology is briefly presented on occasion of 40 anniversary of the Department of Technical Physics, Information Technology and Applied Mathematics.
    Z okazji 40. rocznicy powstania Wydziału Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej przedstawiono historię i najważniejsze osiągnięcia Instytutu Fizyki Politechniki Łódzkiej jako jednej z jednostek organizacyjnych tego Wydziału.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 5-9
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Pumping Beam Width on VECSEL Output Power
    Autorzy:
    Sokół, A. K.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226018.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    VECSEL
    SDL
    semiconductor disk laser
    simulation
    numerical modeling
    power scaling
    Opis:
    The paper is devoted to a numerical analysis of an influence of a pumping beam diameter on output power of optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting lasers. Simulations have been carried out for a structure with a GaInNAs/GaAs active region operating at 1.32 μm. Various assembly configurations have been considered. Results obtained show that laser power scaling is strongly affected by thermal properties of the device.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 239-245
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range
    Autorzy:
    Piskorski, Ł.
    Frasunkiewicz, L.
    Sarzała, R. P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200684.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    strained QWs
    GaInNAs
    GaInAsSb
    mid-infrared radiation
    numerical analysis
    napięte konstrukcje QWs
    analiza numeryczna
    Opis:
    In the present paper the results of the computer analysis of the GaAs-based and GaSb-based active regions that can be applied in compact semiconductor laser sources of radiation at mid-infrared wavelengths are presented. Quantum well material contents and strain dependencies on the maximal gain are investigated. It is shown that above 3 μm the maximal gain obtained for GaInNAs/AlGaInAs active region is high only for thick, highly-strained GaInNAs QWs with N concentration higher than 2%. Much higher gain in this wavelength range can be obtained for GaInAsSb/AlGaAsSb active region, which offers relatively high gain even at 4.5 μm when the Sb content in GaInAsSb and compressive strain in this layer are equal to 50% and − 2%, respectively.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 3; 597-603
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    How to enhance a room-temperature operation of diode lasers and their arrays
    Autorzy:
    Sarzała, R. P.
    Sokół, A. K.
    Kuc, M.
    Nakwaski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174004.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    diode laser
    thermal management
    thermal crosstalk
    semiconductor arrays
    Opis:
    A key problem to be solved during designing productive diode lasers and their lasing arrays is their proper thermal management enabling efficient high-power operation. Strictly speaking, the above demand leads to optimization of their structures to enhance lasing performance for high operation currents. It is well-known that deterioration of laser performance is mostly induced by excessive temperature increases within their volumes. In diode-laser arrays, additionally thermal crosstalk between array emitters should be taken into account. In the present paper, physics of heat-flux generation within the laser-diode volume and its extraction from it is analysed and described with the aid of our self-consistent simulation procedure. Then their thermal optimization is discussed including a proper design of a heat-flux generation within the laser volume, enhancement of its transport towards a laser heat-sink and, additionally in laser arrays, reduction of a thermal crosstalk between individual array emitters. The analysis is carried out using modern nitride edge-emitting ridge-waveguide lasers and their one-dimensional arrays as well as arsenide semiconductor disk lasers as typical examples of modern diode-laser designs. Physical processes responsible for heat-flux generation within these devices and heat-flux extraction from their volumes are analysed and an impact of some construction details on these processes is explained.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 213-226
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
    Autorzy:
    Kuc, M.
    Sokół, A. K.
    Piskorski, Ł.
    Dems, M.
    Wasiak, M.
    Sarzała, R. P.
    Czyszanowski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200863.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    edge-emitting lasers
    InGaN/GaN
    computer simulation
    ITO
    optical confinement
    Opis:
    This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 147-154
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies