In the present paper, the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination model is used to determine the optimal structure of the possible GaInNAs quantum-well (QW) tunnel-junction (TJ) vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with single-fundamental-mode operation at 2.33 μm wavelength suited for carbon monoxide sensing applications. From among various considered structures, the diode laser with 4-μm TJ and two 6-nm Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Ga0.327In0.673As0.71P0.29 QWs has the lowest threshold current and seems to be optimal for the above applications. Higher threshold currents are obtained for Ga0.15In0.85N0.015As0.985/Al0.138 -Ga0.332In0.530As QW structures but the latter can be grown in reactors without P source which are used for fabrication of GaAs-based devices. Both the modelled VCSELs offer a very promising room temperature continuous wave performance and may represent an alternative choice to GaSb-based lasers.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00