Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Słupiński, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Klasyfikacja gazowych kotłów grzewczych w aspekcie efektywnego wykorzystania gazu
    Classification of gas boilers in terms of effective use of the gas
    Autorzy:
    Derlukiewicz, D.
    Koziołek, S.
    Ptak, M.
    Słupiński, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/169913.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Poltegor-Instytut Instytut Górnictwa Odkrywkowego
    Tematy:
    gazowy kocioł grzewczy
    kocioł grzewczy
    technika kondensacyjna
    gas fired boiler
    boiler
    condensation technique
    Opis:
    Zgodnie z wymaganiami Unii Europejskiej po 2015 roku mają nastąpić duże zmiany w zakresie stosowania gazowych kotłów grzewczych. W pracy przedstawiono klasyfikację gazowych kotłów grzewczych w aspekcie ich sprawności, jakości oraz kosztów efektywnego wykorzystania. Dokonano przeglądu obecnie stosowanych kotłów grzewczych ze szczególnym uwzględnieniem techniki kondensacyjnej. Przedstawiono również sposób doboru kotłów oraz ich warunków pracy.
    In accordance with the requirements of the European Union after 2015 there is going to be a big change in the use of gas boilers. The paper presents the classification of gas boilers in terms of their efficiency, quality and cost efficiency. A review of currently used boilers with a particular focus on the condensation technique was done. Also the selection of boilers and their working conditions were presented.
    Źródło:
    Górnictwo Odkrywkowe; 2014, 55, 4-5; 216-221
    0043-2075
    Pojawia się w:
    Górnictwo Odkrywkowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stabilization of the Distorted Configuration of the EL2 Defect Induced by the Free Electron Capture in GaAsP
    Autorzy:
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Słupiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933962.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    Opis:
    Our results of optical absorption, electronic transport and deep level transient spectroscopy measurements performed on n-type GaAs$\text{}_{1-x}$P$\text{}_{x}$ (x ≈ 0.2) strongly suggest that using both an enlarged-gap material (compared to GaAs) and hydrostatic pressure we can push down the acceptor level of the distorted configuration of the EL2 defect, (EL2*) $\text{}^{–}\text{}^{/}\text{}^{0}$ , sufficiently low into the gap that the distorted configuration of the EL2 defect, EL2*, becomes stabilized.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 881-884
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Free Carrier Scattering in Metallic n-GaAs in the Presence of Static Lattice Distortions Due to a Partial Chemical Order of Impurities
    Autorzy:
    Słupiński, T.
    Molas, M.
    Papierska, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791426.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.sd
    61.72.uj
    72.20.-i
    Opis:
    Simple electric transport versus T = 20-400 K in metallic n-GaAs annealed single crystals with Te impurity concentration ∿(0.4-1.7) × $10^{19} cm^{-3}$, which is above the equilibrium doping limit, is reported and compared with modern theory of electron mobility in degenerated n-GaAs by Szmyd, Hanna, Majerfeld. An overcome of the equilibrium doping limit in annealed n-GaAs is manifested by a lowered electrical activation of Te donors and by an onset of ≈ 0.1-1 μm regions of local strain in the crystal lattice known from high resolution X-ray studies. These preliminary results of transport show that the electron mobility μ(T) measured for n-GaAs with local strains is not consistent with predictions of Szmyd et al. model for any degree of compensation assumed. This surprising result indicates that electric transport in materials above the equilibrium doping limit is not well understood assuming the scattering by ionized impurities. The nature of defects responsible for an observed strong reduction of free carrier concentration (here ≈ 80%) in annealed heavily doped n-GaAs seems not to be related with electrical compensation. We point here at the possible role of effects of free carrier scattering due to static lattice distortions (local strains) related to a chemical aggregation of impurity atoms. We also notice that transport in metallic n-GaAs with local strains shows features similar to a weak localization $σ_{xx}$ ∝ log T.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 979-982
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrostatic-Pressure Deep Level Transient Spectroscopy Study of the Heteroantisite Antimony Level in GaAs
    Autorzy:
    Babiński, A.
    Przybytek, J.
    Baj, M.
    Omling, P.
    Samuelson, L.
    Słupiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923855.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    62.50.-p
    Opis:
    We present some preliminary results of the first hydrostatic-pressure study of the electronic level related to the Sb-heteroantisite defect in GaAs. We studied two kinds of n-type GaAs samples doped with antimony: bulk samples grown by liquid encapsulated Czochralski method and thin layers grown by metalorganic chemical vapour deposition technique. We found strongly nonlinear pressure dependence of the activation energy of the emission rate for the level. Moreover, the results obtained for the bulk material were fairly different from those obtained for thin metalorganic chemical vapour deposition layers. The possible explanation of this difference is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 841-844
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    MBE Growth and Characterization of a III-V Distributed Bragg Reflectors and InAs Quantum Dots
    Autorzy:
    Rousset, J.
    Słupinski, T.
    Jakubczyk, T.
    Kobak, J.
    Stawicki, P.
    Gołasa, K.
    Babinski, A.
    Nawrocki, M.
    Pacuski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403611.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ci
    78.67.Pt
    68.37.Hk
    Opis:
    We describe the realization and characterization of a distributed Bragg reflectors and InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy. The distributed Bragg reflectors are based on a stack of eight or twenty pairs of GaAs and AlAs layers with a stopband centered at about E_0=1.24 eV (λ_0=1000 nm). The whole structures exhibit a reflectivity coefficient above 90%. The growth rate was monitored in situ by measurement of the oscillations of the thermal emission intensity. The investigations conducted on the InAs quantum dots grown on GaAs show photoluminescence around E=1.25 eV (λ=990 nm). The combination of these two elements results in the realization of a microcavity containing InAs quantum dots and surrounded by 20 pairs of distributed Bragg reflectors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 984-987
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies