Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Racka, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Survey of Toxoplasma gondii antibodies in meat juice of wild boar (Sus scrofa) in several districts of the Czech Republic
Autorzy:
Racka, K.
Bartova, E.
Budikova, M.
Vodrazka, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/50784.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2015, 22, 2
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural and Electrical Properties of SiC Grown by PVT Method in the Presence of the Cerium Vapor
Autorzy:
Avdonin, A.
Racka, K.
Tymicki, E.
Grasza, K.
Jakieła, R.
Pisarek, M.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399070.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.25.F-
61.72.-y
81.10.Bk
61.72.uf
Opis:
The results of investigation of structural and electrical properties of bulk SiC crystals, which were grown by physical vapor transport method with different Ce impurity content added to the SiC source material, are presented. The gradual dosage of cerium from the SiC source and continuous presence of the cerium vapor over the SiC crystallization fronts during the crystal growth processes are confirmed. The cerium influences the overall concentration of structural defects. The increase of the concentration of both, donors and acceptors, and appearance of new shallow donors (15-32 meV) in 4H-SiC crystals are observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 761-764
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:
Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Housing Market in Capital Cities – the Case of Poland and Portugal
Rynek mieszkaniowy w stolicach państw – przykład Polski i Portugalii
Autorzy:
Rącka, I.
Rehman ur, S.K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/385865.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
mieszkalnictwo
rynek nieruchomości mieszkaniowych
zmiany cen
housing
housing market
price dynamics
Opis:
The real estate markets in capital cities are considerably different from the other regions of their respective countries. Due to the higher level of investment, business activity and income, increased tourism, and demand for real estate (and the subsequent higher prices), the markets in capital cities are usually more developed and more valuable; however, they describe the degree of development of the national real estate market to a certain extent. The aims of this paper are to conduct a comparative study of the housing prices in Warsaw and Lisbon (the capital cities of Poland and Portugal, respectively) using some macroeconomic variables and to measure the influence of factors including wages, supply of houses, and unemployment on the housing prices of the cities of Warsaw and Lisbon. We analyzed data from the period of 2009 through 2015. The following research methods were used in the research: a literature review, secondary data sources research, and statistical methods (the correlation, simple, and multiple regression techniques). We determined which factors affect the housing prices in the cities of Warsaw and Lisbon and to what extent this occurs.
Rynki nieruchomości w stolicach państw znacznie różnią się od tych w innych regionach krajów. Rynki w stolicach – ze względu na wyższy poziom inwestycji, działalności gospodarczej i dochodów, wzrost turystyki i popyt na nieruchomości, a w konsekwencji wyższe ceny – są zazwyczaj bardziej rozwinięte i wartościowe, ale w pewnym stopniu decydują o poziomie rozwoju krajowego rynku nieruchomości. Celem artykułu jest przeprowadzenie analizy porównawczej cen mieszkań w Warszawie i Lizbonie, stolicach Polski i Portugalii, z wykorzystaniem niektórych zmiennych makroekonomicznych oraz pomiar wpływu czynników, w tym płac, podaży domów i bezrobocia, na ceny mieszkań w obu miastach. Analizą objęto lata 2009–2015. W badaniach wykorzystano następujące metody badawcze: przegląd literatury, badania źródeł wtórnych danych, metody statystyczne (korelacja, regresja prosta i wielokrotna). Ustalono, które czynniki i w jakim stopniu wpływają na ceny mieszkań w Warszawie i Lizbonie.
Źródło:
Geomatics and Environmental Engineering; 2018, 12, 3; 75-87
1898-1135
Pojawia się w:
Geomatics and Environmental Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Frasnian-Famennian events in a deep-shelf succession, Subpolar Urals: biotic, depositional, and geochemical records
Autorzy:
Yudina, A B
Racki, G.
Savage, N.M.
Racka, M.
Malkowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/21692.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Paleobiologii PAN
Tematy:
Famennian
biotic record
Frasnian
geochemical record
depositional record
geochemistry
Kellwasser crisis
conodont
biostratigraphy
paleontology
lithostratigraphy
carbon isotope
Opis:
The Frasnian–Famennian (F–F) boundary is well biostratigraphically documented in the Palmatolepis−rich deposits exposed along the Syv’yu River in the lower slopes of the Subpolar Urals. The thin−bedded calcareous−clayey−siliceous deep−slope succession of the Vorota Formation appears to represent continuous Domanic−type deposition throughout the world−wide carbonate crisis time, without evidence for the basal Famennian hiatus or a large−scale sedimentary perturbation within a regressive setting. The northernmost Laurussian sequence exhibits many well known signatures throughout the broad F–F timespan: the appearance of organicand clay−rich deposits, icriodontid and radiolarian blooms, and a correlative shift of several geochemical proxies towards hypoxic and high−productivity regimes, perfectly recorded by positive 13Ccarb excursions of +3.5‰. Integrative biotic, microfacies and geochemical data substantiate a longer−term oceanographic destabilization, attributable to multiple Earth−bound triggering factors in (episodically enhanced?) greenhouse climate and punctuated eustatic sea−level highstands, superimposed on the elevated deposition of organic carbon−rich sediments during the Upper Kellwasser Event. Unsteady eutrophicated, and oxygen−depleted ecosystems during the F–F biotic crisis interval could be assumed, especially when intensified by various spasmodic tectono−volcanic phenomena in the incipiently closing Ural Ocean.
Źródło:
Acta Palaeontologica Polonica; 2002, 47, 2
0567-7920
Pojawia się w:
Acta Palaeontologica Polonica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies