Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Structural and Electrical Properties of SiC Grown by PVT Method in the Presence of the Cerium Vapor

Tytuł:
Structural and Electrical Properties of SiC Grown by PVT Method in the Presence of the Cerium Vapor
Autorzy:
Avdonin, A.
Racka, K.
Tymicki, E.
Grasza, K.
Jakieła, R.
Pisarek, M.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399070.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.25.F-
61.72.-y
81.10.Bk
61.72.uf
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 761-764
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The results of investigation of structural and electrical properties of bulk SiC crystals, which were grown by physical vapor transport method with different Ce impurity content added to the SiC source material, are presented. The gradual dosage of cerium from the SiC source and continuous presence of the cerium vapor over the SiC crystallization fronts during the crystal growth processes are confirmed. The cerium influences the overall concentration of structural defects. The increase of the concentration of both, donors and acceptors, and appearance of new shallow donors (15-32 meV) in 4H-SiC crystals are observed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies