Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Prociów, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Antistatic Properties of Nanofilled Coatings
Autorzy:
Gornicka, B.
Mazur, M.
Sieradzka, K.
Prociow, E.
Lapinski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538175.pdf
Data publikacji:
2010-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Pr
82.35.Np
Opis:
The results of antistatic and electrical properties investigations of nanofilled coatings have been presented. Antistatic performance of materials is essential not only due to safety and preventing of dust and dirt attraction but also effects on an electrical field distribution in the high voltage insulating systems. The polymer coating added with silver and silica nanoparticles were examined by charge decay measurements after corona charging. The charge decay times have varied appreciably between the nanofilled coatings while the volume and surface resistivity of the all tested coatings did not demonstrate meaningful differences. The polyester coating dissipated fairly better than polyesterimide because of its structure and permittivity. It was found that the ability of surface to drain charge away is the better for coatings with of silver nanoparticles whereas the coatings modified with nanosilica shows the poor antistatic properties; the times of charge decay were four order longer then that of unmodified coatings. Barrier properties of nanosilica may be adverse for charge decay.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 5; 869-872
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
Możliwości modyfikacji mikrostruktury warystorów tlenkowych
Autorzy:
Mielcarek, W.
Prociow, K.
Warycha, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192094.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
warystor ZnO
mikrostruktura
ceramika półprzewodnikowa
domieszkowanie
Bi2O3
ZnO varistor
microstructure
semiconducting ceramic
doping
Opis:
The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 86-98
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przekładki ceramiczne wyprasek warystorowych do stosowania w procesie wypalania warystorów
Ceramic separators to place between green compacts during varistor sintering
Autorzy:
Mielcarek, W.
Prociów, K.
Warycha, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159182.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekładki ceramiczne wyprasek
warystory tlenkowe
związek trudno-spiekalny
ceramic separators of green compacts
metal-oxide varistors
sinter-resisting component
Opis:
Warystory Zno są wytwarzane typową technologią ceramiczną. W uproszczeniu proces wytwarzania warystorów obejmuje mielenie i mieszanie składników oraz formowanie i wypalanie wyprasek. Podczas wypalania może dojść do takiego spieczenia się sąsiadujących ze sobą wyprasek, że rozdzielenie ich bez uszkodzenia staje się niemożliwe. W pracy przedstawiono wady i zalety dotychczas stosowanych sposobów rozwiązania tego problemu. Niektóre z nich są niewystarczająco efektywne, inne wręcz nieekonomiczne. Przekładki ceramiczne proponowane w ramach tej pracy są wytworzone z ceramiki o składzie zbliżonym do ceramiki warystorowej lecz uzupełnionej o trudnospiekalny składnik dzięki któremu uzyskano przekładki które nie tylko nie przywierają do wypalanych warystorów ale nie wprowadzają też do nich żadnych chemicznych zanieczyszczeń.
ZnO metal oxide varistors are created using typical ceramic technology. During the process of sintering the green compacts may glue together and stick to each other so hard that they cannot be separated without damaging the varistor. This can be avoided in several ways but none is satisfactory and good enough as ones are not effective, while the other ones are simply inconvenient.The developed ceramic separators can be applied in multiple uses. In essence they are made of the same ceramic as varistor but doped with sinter-resisting component which causes the separators and sintered varistors not stick together. They are reliable and economical.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 81-82
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thin Films Based on Nanocrystalline $TiO_{2}$ for Transparent Electronics
Autorzy:
Prociow, E.
Sieradzka, K.
Domaradzki, J.
Kaczmarek, D.
Mazur, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807647.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.66.-w
71.20.Nr
Opis:
In this work, investigations of structural, optical and electrical properties of transparent oxide semiconductor thin films based on $TiO_{2}$ doped with Eu, Pd and Tb, Pd have been presented. The transparent oxide semiconductor nanocrystalline thin films were prepared by magnetron sputtering process. It was shown that doping with selected elements results in semiconducting properties of prepared thin films of oxides with p-($TiO_{2}$:(Tb, Pd)) or n-type ($TiO_{2}$:(Eu, Pd)) of electrical conduction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-72-S-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evaluation of electrical properties of Eu and Pd-doped titanium dioxide thin films deposited on silicon
Badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu I Pd naniesionych na podłoża krzemowe
Autorzy:
Prociow, E. L.
Domaradzki, J.
Kaczmarek, D.
Sieradzka, K.
Michalec, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192258.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
własności elektryczne
TiO2:(Eu, Pd)
heterozłączne
OPIC
electrical properties
heterojuncion
Opis:
In this work, investigations of electrical properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films have been outlined. Our previous studies [4, 6] of Eu and Pd-doped TiO2, have shown the nanocrystalline structure and high transparency in visible region (about 70%). Now, it has been shown that by incorporation of Pd and Eu dopants into TiO2 matrix, its properties can be modified so as to obtain simultaneously electrically and optically active oxide-semiconductor with specified type of electrical conduction at room temperature. Pd dopant changes the electrical properties of TiO2 from dielectric oxide to conducting oxide. Samples were examined by means of theromelectrical, current-voltage (I-V), transient photovoltage and optical beam induced current OBIC (Optical Beam Induced Current). I-V measurements showed formation of electrical junctions at the interface of semiconducting thin films of metal oxides and silicon substrate (TOS-Si). The presence of build-in potential has been confirmed by OBIC through created maps of photocurrent distribution generated in the active areas of prepared TOS-Si heterojunctions.
W niniejszej pracy przedstawiono badanie właściwości elektrycznych cienkich warstw TiO2 domieszkowanych Eu i Pd. Pokazano, że wprowadzenie domieszki Eu i Pd do matrycy TiO2 modyfikuje jej właściwości, pozwala otrzymać cienkie warstwy elektrycznie i optycznie aktywne. Dodatkowo, wytworzone tlenki posiadają określony typ przewodnictwa elektrycznego w temperaturze pokojowej. Decydujący wpływ na właściwości elektryczne matrycy TiO2 miała domieszka Pd, która umożliwiła zmianę właściwości cienkich warstw dielektrycznych na półprzewodnikowe. Próbki badano za pomocą charakterystyk termoelektrycznych, charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) oraz metodą OBIC. Na podstawie pomiarów I-V zaobserwowano formowanie się złącza na granicy przezroczysty tlenek półprzewodnikowy-podłoże krzemowe (TOS-Si). Mapy rozkładu fotoprądu generowanego w obszarach aktywnych wytworzonego heterozłącza TOS-Si potwierdziły obecność potencjału wbudowanego.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 149-156
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties of Nanocrystalline $TiO_{2}:V$ Thin Films as a Transparent Semiconducting Oxides
Autorzy:
Sieradzka, K.
Domaradzki, J.
Prociow, E.
Mazur, M.
Lapinski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807607.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.66.-w
71.20.Nr
Opis:
In this work the nanocrystalline $TiO_{2}$ thin films doped with vanadium in amount of 19 at.% and 23 at.% prepared by magnetron sputtering method have been presented. The transmission measurements shows that V-doped $TiO_{2}$ thin films were transparent in ca. 81% in the visible range of light spectrum. On the basis of electrical examinations it was found that fabricated $TiO_2:V$ thin films are semiconductors at room temperature and have different type of electrical conduction depending on the amount of vanadium dopant applied.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-33-S-35
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ modyfikowania Bi2O3 barem na właściwości mikrostruktury warystorów ZnO
Effect of Ba modified Bi2O3 on microstructure properties of ZnO varistors
Autorzy:
Warycha, J.
Mielcarek, W
Prociów, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159435.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
BaBiO3-x
ZnO
warystory
mikrostruktura
właściwości elektryczne
Opis:
Ba jako dodatek modyfikujący Bi2O3 w ceramice z tlenku cynku umożliwia równomierne rozmieszczenie Bi w całym warystorze i hamuje tworzenie się aglomeratów Bi2O3 podczas spiekania warystora. Dzięki temu warystor osiąga doskonałe właściwości elektryczne a poziom domieszkowania ceramiki ZnO tlenkami innych metali może być znacznie obniżony. W najbardziej obiecującym przypadku, ilość Bi dodawanego do masy warystorowej była siedem razy mniejsza a całkowita ilość domieszek - trzy razy niższa w porównaniu do powszechnie stosowanego poziomu domieszkowania warystorów.
Doping ZnO varistor ceramics with Ba modified Bi2O3, instead of pure Bi2O3, enables the uniform distribution of Bi in varistor body and restrains formation of the Bi2O3 agglomerates during varistor processing. As the result the varistor attains the excellent electrical properties at lower rate of metal oxide additives. In the most promising varistor composition the amount of Bi was seven times lower and the total of other dopants three times lower, than in varistors made by commonly used technology.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 123-132
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies