Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Pollak, F. H." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modulation Spectroscopy of Reduced Dimensional Semiconductor Systems
Autorzy:
Pollak, F. H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933677.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
78.66.Fd
78.40.Fy
Opis:
This paper reviews the background of modulation spectroscopy, particularly electromodulation, presents some recent room temperature results having both fundamental and technological significance, including two-dimensional electron gas effects in modulation-doped, pseudomorphic GaAlAs/InGaAs/GaAs single quantum wells (HΕΜΤ structures), quantum well laser structures and process-induced damage in quantum dot arrays fabricated by reactive ion etching.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 581-590
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Contactless Electroreflectance Study of Temperature Dependence of Fundamental Band Gap of ZnSe
Autorzy:
Krystek, W.
Malikova, L.
Pollak, F. H.
Tamargo, M. C.
Dai, N.
Zeng, L.
Cavus, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934065.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.40.Fy
78.20.Wc
78.20.-e
Opis:
We report a systematic study of the temperature variation of the energy [E$\text{}_{0}$(T)] and broadening parameter [Γ$\text{}_{0}$(T)] of the fundamental band gap of ZnSe in the range 27 K < T < 370 K using contactless electroreflectance. The obtained values of E$\text{}_{0}$(T) and Γ$\text{}_{0}$(T) have been fit to various semi-empirical expressions to obtain information about the exciton-phonon coupling in this system. The experimentally determined E$\text{}_{0}$(T) also is of significance for technological applications since it can be used to determine the operating temperature of ZnSe-based devices such as quantum well lasers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1013-1017
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies