We report a systematic study of the temperature variation of the energy [E$\text{}_{0}$(T)] and broadening parameter [Γ$\text{}_{0}$(T)] of the fundamental band gap of ZnSe in the range 27 K < T < 370 K using contactless electroreflectance. The obtained values of E$\text{}_{0}$(T) and Γ$\text{}_{0}$(T) have been fit to various semi-empirical expressions to obtain information about the exciton-phonon coupling in this system. The experimentally determined E$\text{}_{0}$(T) also is of significance for technological applications since it can be used to determine the operating temperature of ZnSe-based devices such as quantum well lasers.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00