Fast and effective extraction of equivalent shunt resistance for each subcell of GaInP/GaInAs/Ge triple-junction concentrator solar cells is presented. The two-diode model of single junction was introduced to establish the equivalent circuit of triple-junction solar cells. The current-voltage characteristic of the triple-junction solar cells was measured under AM1.5D spectrum, C = 576 and T = 303 K. Equivalent shunt resistance of each subcell was extracted from its estimated current-voltage curve. The estimated current-voltage curve of the triple-junction solar cells shows a good agreement with the experimental data in 0.31% deviation. The degradation in the equivalent shunt resistance for Ge subcell was intentionally introduced to indicate the mechanism of current-matching operation for different subcells, with the maximum output power of the triple-junction solar cells deteriorating from 3.5 to 3.17 W. The results can offer performance analysis and optimum design of photovoltaic applications.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00