Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Pires, Mauricio P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP
Autorzy:
Braga, Osvaldo M.
Delfino, Cristian A.
Kawabata, Rudy M. S.
Pinto, Luciana D.
Vieira, Gustavo S.
Pires, Mauricio P.
Souza, Patricia L.
Marega, Euclydes
Carlin, John A.
Krishna, Sanjay
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204208.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
simulation
residual doping
recombination velocity
surface passivation
regrowth
Opis:
The viability of epitaxial regrowth of non-intentionally doped InP to passivate lateral mesa surfaces of InGaAs photodiodes lattice-matched to InP is investigated, evaluating whether the residual doping of the regrown layer can be responsible for un unexpected increase of the surface current. The effect of residual doping is evaluated via numerical calculations of dark current, considering the range of doping concentrations expected for non-intentionally doped InP. The calculations show that the increase in dark current due to the residual doping of the regrown InP layer is not enough to justify the observed increase in surface current. On the other hand, the technique is still valid as a passivation method if the photodetector pixel is isolated by etching only the top contact layer.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144562
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Voltage-tunable dual-colour quantum Bragg mirror detector (QBMD)
Autorzy:
Penello, Germano M.
Pereira, Pedro H.
Sousa, Vitor B.
Kawabata, Rudy M. S.
Pires, Mauricio P.
Souza, Patricia L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204218.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
bound states in the continuum
intersubband transition
infrared detector
quantum Bragg mirror and dual-colour detection
Opis:
The electronic quasi-bound state in the continuum concept is explored in an InGaAs/InAlAs heterostructure to create a voltage-tunable dual-colour quantum Bragg mirror detector. This heterostructure is based on one main quantum well embedded between two different superlattices. By bandgap engineering, each superlattice gives rise to quasi-bound states in the continuum with a preferential direction for electron extraction. Due to these states, the photovoltaic photocurrent presents a dual-colour response, one in a positive direction at 340 meV (3.6 µm), and one in a negative direction at 430 meV (2.9 µm). The simultaneous dual-colour detection can be switched to a single-colour detection (340 meV or 430 meV) by applying a bias voltage. At 77 K, the specific detectivity for simultaneous dual-colour is 2.5·10⁸ Jones, while the single-colour detectivities are 2.6·10⁹ Jones at +2.0 V and 7.7·10⁸ Jones at -1.6 V for 340 meV and 430 meV, respectively.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144559
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies