Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Piotrowska, E." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Różnicowanie nietypowych szczepów Pseudomonas aeruginosa na podłożu z 1% TTC
Differencirovanie netipicheskikh shtammov Pseudomonas aeruginosa na srede iz 1%-go TTC
Differentiation of atypical Pseudomonas aeruginosa strains in culture medium with 1% of TTC
Autorzy:
Narbutowicz, B.
Kozaczek, W.
Piotrowska, E.
Pliszczynska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2189862.pdf
Data publikacji:
1969
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Źródło:
Diagnostyka Laboratoryjna; 1969, 05, 1-2; 73-77
0867-4043
Pojawia się w:
Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Standaryzowana mikroskopowa metoda pomiaru elementów morfotycznych w osadzie moczu
Standartnyjj mikroskopicheskijj metod izmerenija morfoticheskikh ehlementov v osadke mochi
Standardized microscopic method of measurement of morphotic elements in urinary sediment
Autorzy:
Jażdżewski, B.
Papiernik, E.
Pińkowski, R.
Piotrowska, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2187835.pdf
Data publikacji:
1986
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Źródło:
Diagnostyka Laboratoryjna; 1986, 22, 6; 246-253
0867-4043
Pojawia się w:
Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductance Fluctuations in Microstructures of HgCdMnTe Bicrystals
Autorzy:
Grabecki, G.
Lenard, A.
Plesiewicz, W.
Jaroszyński, J.
Cieplak, Marek
Skośkiewicz, T.
Dietl, T.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Bulka, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890700.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
Opis:
Microscopic four-contact probes to semimagnetic HgCdMnTe grain-boundary inversion layers have been photolithographically patterned. Magnetoresistance measurements performed on these samples revealed aperiodic conductance fluctuations of the magnitude of the order of e$\text{}^{2}$/h. Quantitative analysis of both fluctuation amplitude and their mean period indicate that we have approached the mesoscopic regime in our system. This opens new possibilities in studies of spin-subsystem dynamics in semimagnetic semiconductors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 307-310
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Direct Measurements of Arsenic and Phosphorus Evolution During Cap-Annealing of Gold-Based Metallizations on GaAs and InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Veresegyhazy, R.
Mojzes, I.
Pecz, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891383.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Evolution of arsenic and phosphorus during heat treatment of unprotected and encapsulated Au, AuZn and AuGeNi contacts on GaAs and InP has been examined and correlated with their ohmic behavior.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 457-460
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FFirst TSC and DLTS Measurements of Low Temperature GaAs
Autorzy:
Muszalski, J.
Babiński, A.
Korona, K. P.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Kamińska, M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891236.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
72.80.Ey
Opis:
The first thermally stimulated current (TSC) and deep level transient spectroscopy (DLTS) studies performed on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperatures (LT GaAs) are reported. TSC experiments, conducted on as grown and 400-580°C annealed layers showed domination of arsenic antisite (EL2-like) defect and supported its key role in hopping conductivity. DLTS studies, performed on Si doped and annealed at 800°C layers revealed substantially lower concentration of EL2-like defect and an electron trap of activation energy ΔE = 0.38 eV was found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 413-416
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Atomic Scale Morphology of Thin Au(Zn)/GaAs Ohmic Contacts
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Barcz, A.
Mizera, E.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923883.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Very thin Au(Zn) contacts to p-GaAs were studied by means of transmission electron microscopy and secondary ion mass spectrometry. It was found that such contacts when cap annealed became ohmic, even though the reaction between the metallization and GaAs is confined to a very close vicinity of the interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 853-856
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Phosphorus Release during Annealing of Au Contacts to InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923864.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The analysis of phosphorus release from Au/InP contacts heat treated at temperature from the range 360-480°C showed that P evaporation accompanies any stage of contact reaction. The use of encapsulating layer during contact annealing suppresses the loss of phosphorus and changes the kinetics of thermally activated interfacial reaction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interaction between Thin Films of Zinc and (100) GaAs
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Mizera, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929624.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Interfacial reactions between thin films of Zn and GaAs were studied by means of transmission electron microscopy. Low-temperature interaction is governed by the penetration of Zn into the native oxide layer at the metal/GaAs interface. At 360°C the formation of Zn$\text{}_{3}$As$\text{}_{2}$ phase, highly oriented with respect to the (100) substrate takes place.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 527-529
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Second Harmonic Generation in Spin-Glass Microstructures and Fabrication of Microstructures in IV-VI Epilayers
Autorzy:
Grabecki, G.
Dietl, T.
Cieplak, Marek
Plesiewicz, W.
Lenard, A.
Skośkiewicz, T.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Springholz, G.
Bauer, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929753.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Jv
Opis:
We studied magnetoconductance of two different mesoscopic systems: microregions containing two-dimensional electron gas adjacent to a grain-boundary plane in bicrystals of Hg$\text{}_{0.79}$Cd$\text{}_{0.19}$Mn$\text{}_{0.02}$Te and photolithographically patterned microstructures of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se. In both systems universal conductance fluctuations and generation of the second-harmonic voltage were observed at T ≤ 1 K. Moreover, in the former system the second harmonic signal exhibited distinct rise when the sample was cooled below the spin-glass freezing temperature (100 mK).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Piotrowski, T. T.
Barcz, A.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 804-806
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Budowa i analiza matematycznego modelu procesu konwekcyjnego suszenia cebuli
Autorzy:
Piotrowska, E
Wierzejski, J
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/806972.pdf
Data publikacji:
1994
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
modelowanie matematyczne
zawartosc wody
suszarnictwo
suszenie
wspolczynnik wnikania ciepla
szybkosc suszenia
pomiary
suszenie konwekcyjne
cebula
warzywa
Opis:
Przeprowadzono pomiary zmian zawartości wody w cebuli suszonej w warunkach konwekcji swobodnej. Przeprowadzono analizę zmian szybkości suszenia w trakcie trwania procesu. Nie stwierdzono istnienia okresu stałej szybkości suszenia.
The measurements of the time related changes of moisture content (dry basis) in onion while drying under natural convection were conducted. The experiments were carried out on samples consisted of the single onion slices which were of 5 mm. thick. Onion was dried in nine temperatures from 30 to 70°C. The results of measurements were plotted on diagrams. They indicated icreasing of drying velocity according to increasing of temperatures of drying. The measurements of thickness and diameter indicated greater changes of the second. Analysing of changing the rate of drying was performed. The whole time needed to dry was divided into three periods with respect to changing of the rate of drying. The first and the last periods indicated its linear and the second period square changing. Rate of drying increased with the temperature of drying and the psychrometrie difference.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1994, 417; 129-144
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Matematyczne modelowanie procesu konwekcyjnego suszenia cebuli. Cz.I. Pomiary sredniej zawartosci wody w cebuli
Autorzy:
Wierzejski, J
Piotrowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/807174.pdf
Data publikacji:
1994
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
zawartosc wody
modelowanie matematyczne
suszarnictwo
suszenie
pomiary
suszenie konwekcyjne
cebula
warzywa
Opis:
Przeprowadzono pomiary zmian zawartości wody w cebuli suszonej w plasterkach o grubości ok. 5 mm, w warunkach konwekcji swobodnej. Suszenie zostało przeprowadzone w dziewięciu temperaturach od 30 do 70°C. Wyniki pomiarów przedstawiono graficznie.
The measurements of the time related changes of moisture content (dry basis) in onion while drying under natural convection were conducted. The experiments were carried out in samples consisted of the single onion slices which were of 5 mm. thick. Onion was dried in nine temperatures from 30 to 70°C. The results of measurements were plotted on diagrams. They indicated increasing of drying velocity according to increasing of temperatures of drying. The measurements of thickness and diameter indicated greater changes of the second.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1994, 417; 51-61
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Matematyczne modelowanie procesu konwekcyjnego suszenia cebuli. Cz.II. Analiza zmian szybkosci suszenia
Autorzy:
Piotrowska, E
Wierzejski, J
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/807009.pdf
Data publikacji:
1994
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
modelowanie matematyczne
suszarnictwo
suszenie
wspolczynnik wnikania ciepla
szybkosc suszenia
suszenie konwekcyjne
cebula
warzywa
Opis:
Przeprowadzono analizę zmian szybkości suszenia w trakcie trwania procesu. Nie stwierdzono istnienia okresu stałej szybkości suszenia. Wyodrębniono trzy przedziały zmienności szybkości suszenia. Dwa pierwsze mogą być traktowane jako pierwszy okres suszenia, z uwzględnieniem skurczu materiału, trzeci jest znanym z literatury drugim okresem suszenia.
Analysis of changing the rate of drying was performed. The whole time needed to dry was divided into three periods with respect to changing of the rate of drying. The first and the last periods indicated its linear and the second periods square changing. Rate of drying increased with the temperature of drying and the psychrometrie difference.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1994, 417; 63-75
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie procesu suszenia warzyw w suszarce tunelowej
Autorzy:
Markowski, M
Piotrowska, E
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/796890.pdf
Data publikacji:
1994
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
modelowanie matematyczne
suszarnictwo
suszenie
suszarki tunelowe
modele matematyczne
warzywa
Opis:
Sformułowany został uproszczony matematyczny model procesu suszenia warzyw w suszarce tunelowej. Model wyprowadzono na podstawie ogólnych równań bilansu masy, energii i pędu. Uwzględniono trzy fazy procesu: nagrzewanie wstępne, I oraz II okres suszenia. Pominięto wpływ skurczu suszarniczego oraz niejednorodności surowca na przebieg wysychania warzyw. Nie uwzględniono również recyrkulacji czynnika suszącego. Zaprezentowany model procesu został logicznie zweryfikowany z wynikiem pozytywnym. Wyniki eksperymentów symulacyjnych porównane zostały z wynikami badań przemysłowej suszarki tunelowej do warzyw w PGR Sokołów w odniesieniu do suszenia cebuli. Wyniki weryfikacji empirycznej nie pozwalają na jednoznaczną ocenę prezentowanego modelu. Modelowano współ- oraz przeciw-prądowy charakter pracy suszarni.
Simplified mathematical model of vegetable drying process in a tunnel drier was developed. The model was formulated on the basis of general equations describing mass, energy and momentum balance. Three phases of the process were considered: initial heating, I and II phases of drying. Effects of shrinkage and heterogenuity of dried raw material on drying rate were neglected. Effect of drying agent recirculation was neglected either. Presented model of drying process was logically verified with positive results. The results of simulation experiments were compared with investigation results of drying onions in commercial tunnel drier for vegetables at Sokołów state farm. The results of empirical verification are not a basis for unmistakable evaluating of presented model. Drier performance was modelled for conflow and counterflow of drying agent vs. raw material.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1994, 417; 187-199
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies