Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pakula, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 51
Tytuł:
Built-In Electric Field in High Quality GaN/AlGaN Quantum Wells
Autorzy:
Zieleniewski, K.
Pakuła, K.
Bożek, R.
Masztalerz, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048083.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.67.De
77.55.hn
81.15.Gh
Opis:
We report studies on electric field built in GaN/Al$\text{}_{0.09}$Ga$\text{}_{0.91}$N structure of nominally 6 nm wide quantum well. The sample was grown in horizontal metal-organic chemical vapor deposition reactor using innovative technology that decreases the density of screw dislocations. Firstly, using visible and mid infra-red interference pattern along the sample, the layer thickness and consequently the quantum well width was determined to vary linearly with the position. Secondly, photoluminescence spectra was taken at different positions. Correlation of those two measurements allows us to determine the built-in electric field to be 0.66 MV/cm, which is considerably larger than previously reported for similar structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 657-659
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Properties of High Temperature Annealed Heteroepitaxial GaN:Mg Layers
Autorzy:
Wojdak, M.
Baranowski, J. M.
Suchanek, B.
Pakuła, K.
Jun, J.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968449.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
73.61.Ey
78.55.Cr
Opis:
In this paper we present for the first time luminescence and electrical measurements of GaN:Mg heteroepitaxial layers annealed at very high temperatures up to 1500°C and at high pressures of nitrogen up to 16 kbar. The presence of high nitrogen pressure prevents GaN from thermal decomposition. It was found that annealing in the presence of additional Mg atmosphere leads to a high quality p-type epitaxial layer of the hole concentration equal to 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility 16 cm$\text{}^{2}$/(V s). However, annealing at high temperatures without additional magnesium causes conversion to n-type. It is also shown that in the high temperature annealed GaN:Mg epilayers the donor-acceptor luminescence is the dominant recombination channel.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1059-1062
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Estimate of the Energy Gap of InN from Measurements of the Fundamental Absorption Edge
Autorzy:
Trautman, P.
Pakuła, K.
Witowski, A. M.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044548.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
78.40.Fy
78.30.Fs
78.66.Fd
81.05.Ea
Opis:
Optical absorption between 0.4 and 4.5 eV of an InN layer grown by metalorganic vapour phase epitaxy on sapphire was measured at 296 and 12 K. The layer was also characterized by measurements of the Hall effect and of infrared reflectivity in the region of the plasma edge, which determined the concentration, mobility, and effective mass of electrons in the conduction band. The energy gap of InN was estimated to be equal to 0.9±0.2 eV. It was obtained from the spectral position of the fundamental absorption edge. Corrections to the energy gap resulting from the broadening of the fundamental absorption edge, from the Burstein-Moss shift, and from a band-gap shrinkage due to the impurity potential were included.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 903-908
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Single GaN/AlGaN Quantum Dot Spectroscopy
Autorzy:
Surowiecka, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Bożek, R.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047382.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
Microphotoluminescence of low-density GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy using in situ etching of AlGaN is presented. The detailed analysis of the emission from these structures enables the observation of pairs of lines separated by the energy up to 3 meV. They behave in a different way under different excitation power that suggests that this doublet structure can be associated with the exciton and trion (or biexciton recombination). It is observed that for different quantum dots the energy of the charged exciton complex emission could be higher or lower than the neutral exciton one. It is discussed in terms of a competition between attractive e-h and repulsive e-e (h-h) Coulomb interaction that occurs because of the existence of the built-in electric field that separates electrons and holes in the dot.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 233-236
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Temporal Evolution of Multi-Carrier Complexes in Single GaN/AlGaN Quantum Dots
Autorzy:
Surowiecka, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Bożek, R.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044542.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
Microphotoluminescence of low-density GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy using in situ etching of AlGaN is presented. The narrow lines in the microphotoluminescence spectra due to the single quantum dots are observed. Both energy and intensity of these lines show temporal fluctuations. Statistical analysis based on the correlation matrix allowed us to identify objects, which are affected by photo-induced electric field fluctuations. Relations between emission lines participating in the spectrum are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 879-884
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time Evolution of the Microluminescence Energy οf GaN/AlGaN Quantum Dots
Autorzy:
Surowiecka, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Bożek, R.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791354.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
Time evolution of the microphotoluminescence from low-density GaN/$Al_{x}Ga_{1-x}N$ quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition using in situ etching of AlGaN is presented. The observed effect is related to the energy changes that begin immediately after sample illumination with the exciting laser light and saturate after some time. Typically, the luminescence energy decreases and the change is exponential with characteristic times in a range between several dozen and several hundred seconds. However, sometimes we observed the energy increase with characteristic times in a range between several and a few hundred seconds. The obtained results are discussed in terms of the metastable change of the electric field, induced by spontaneous polarization present in GaN/AlGaN structure (in the growth direction), and strain- or defect-induced changes of the electric field in the vicinity of the dot.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 933-935
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical and ESR Studies of GaN Layers Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:
Suchanek, B.
Palczewska, M.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Kamińska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968425.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.61.Ey
Opis:
Electrical transport and ESR studies were performed on the state-of-theart GaN layers grown on sapphire substrate using metal organic chemical vapour deposition technique. For undoped samples electron concentration below 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-1}$ and mobility up to 500 cm$\text{}^{2}$/(V s) were achieved whereas hole concentration up to 7×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility about 16 cm$\text{}^{2}$/(V s) were obtained for intentionally Mg doped samples and subsequently annealed. Temperature dependence of mobility was discussed. ESR revealed the presence of two resonance absorption lines. One of them with g$\text{}_{⊥}$=1.9487 and g$\text{}_{∥}$=1.9515, commonly observed in n-type GaN was due to shallow donor. The second ESR line was an isotropic one of g=2.0032 and it is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1001-1004
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Level Transient Spectroscopic Studies of MOCVD GaN Layers Grown on Sapphire
Autorzy:
Śliwiński, A. A.
Korona, K. P.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952204.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.61.Ey
Opis:
The deep level transient spectroscopy of GaN heteroepitaxial layers grown on sapphire was studied. The samples were Mg doped during the growth. The as-grown material is n-type. It becomes p-type after annealing. The samples were measured in the temperature range from 77 K to 420 K. In n-type GaN, one peak (EG1) with activation energy 0.75 eV was detected. In p-type, at least three peaks were observed: AS1 at temperature about 300 K and AS2, AS3 at about 400 K. The dominating one is AS3. It has an activation energy about 1.1 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 955-958
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Internal stresses in PVD coated tool composites
Autorzy:
Śliwa, A.
Mikuła, J.
Gołombek, K.
Kwaśny, W.
Pakuła, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355303.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
analysis and modelling
computational materials science
finite element method
stresses
coatings PVD
Opis:
The aim of work is the investigation of the internal stresses in PVD coated metal matrix composites (MMC). Sintered MMC substrate is composed of the matrix with the chemical composition corresponding to the high-speed steel, reinforced with the TiC type hard carbide phase. Functionally graded composition of MMC providing of high ductility characteristic of steel in the core zone as well as high hardness characteristic of cemented carbides in the surface zone. Internal stresses were determined with use of finite element method in ANSYS environment. The reason of undertaking the work is necessity of develop the research of internal stresses, occurring in the coating, as well as in the adhesion zone of coating and substrate, which makes it possible to draw valuable conclusions concerning engineering process of the advisable structure and chemical composition of coatings. The investigations were carried out on cutting tools models containing defined zones differing in chemical composition. Modelled materials were characteristic of chemical composition corresponding to the high-speed steel at the core, reinforced with the TiC type hard carbide phase with the growing fraction of these phases in the outward direction from the core to the surface, additionally coated with (Ti,Al)N or Ti(C.N) functionally graded PVD coatings. Results of determined internal stresses were compared with the results calculated using experimental X-ray sin2ψ method. It was demonstrated, that the presented model meets the initial criteria, which gives ground to the assumption about its utility for determining the stresses in coatings as well as in functionally graded sintered materials. The results of computer simulations correlate with the experimental results.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 3; 1371-1378
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:
Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ochrona prawna nowej metody badawczej wynalezionej przez pracownika
Autorzy:
Pakuła-Gawarecka, P
Stolarski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/273627.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Roble
Tematy:
metoda badawcza
ochrona patentowa
własność intelektualna
prawo autorskie
tajemnica przedsiębiorstwa
research method
patent protection
intellectual property
copyright law
trade secret
Źródło:
LAB Laboratoria, Aparatura, Badania; 2014, 19, 5; 36-40
1427-5619
Pojawia się w:
LAB Laboratoria, Aparatura, Badania
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Odpowiedzialność pracownika laboratorium
Autorzy:
Pakuła-Gawarecka, P
Stolarski, K
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/273793.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Roble
Tematy:
odpowiedzialność zawodowa
odpowiedzialność materialna
błąd pracownika
professional liability
material liability
professional mistake
Źródło:
LAB Laboratoria, Aparatura, Badania; 2014, 19, 4; 39-42
1427-5619
Pojawia się w:
LAB Laboratoria, Aparatura, Badania
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza logistyki zaopatrzenia indywidualnych gospodarstw rolnych w nawozy mineralne
Analysis of supp ly logistics of private agricultural farms in the artificial fertilizers
Autorzy:
Pakula, K.
Kuziemska, B.
Becher, M.
Kiepuszewska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/869097.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
The Polish Association of Agricultural and Agribusiness Economists
Źródło:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu; 2018, 20, 3
1508-3535
2450-7296
Pojawia się w:
Roczniki Naukowe Stowarzyszenia Ekonomistów Rolnictwa i Agrobiznesu
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Distribution of nickel fractions in forest Luvisols in the south Podlasie Lowland
Rozmieszczenie frakcji niklu w lesnych glebach plowych na Nizinie Poludniowopodlaskiej
Autorzy:
Pakula, K
Kalembasa, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/14930.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Tematy:
Luvisol
forest Luvisol
Podlasie Lowland
Polska
nickel fraction
distribution
sequential extraction
Opis:
Sequential extraction methods enable identification of chemical fractions of heavy metals in soil environment as well as evaluation of their availability and potential toxicity to biotic elements of a trophic chain. The study aimed at separating nickel fractions from particular genetic horizons of forest Luvisols by means of three sequential extraction methods (modified Tessier’s, Zeien and Brümmer’s as well as Hedley’s with Tiessen and Moir’s modifications methods), and to compare the metal content in four fractions: easily soluble, exchangeable, organic, and residual, along with their distribution within studied soils’ profiles. Nickel concentrations in the examined fractions varied: the largest amounts of the heavy metal (regardless of the analytical procedure applied) were found in residual fraction Fresid (mineral horizons) and organic fraction Forg (forest litter horizons – Ol), while the smallest ones occurred in easily soluble fraction F1 (all genetic horizons). Statistical processing revealed significant dependences between the four nickel fractions as well as between the fractions and selected properties of analyzed soils (except soil pH and total nickel content Nit).
Metody ekstrakcji sekwencyjnej umożliwiają identyfikację frakcji chemicznych metali ciężkich w środowisku glebowym, a także ocenę ich dostępności i potencjalnej toksyczności dla biotycznych elementów łańcucha troficznego. Celem pracy było wydzielenie frakcji niklu w poszczególnych poziomach genetycznych leśnych gleb płowych trzema metodami ekstrakcji sekwencyjnej (zmodyfikowanej metody Tessiera, metody Zeiena i Brümmera oraz metody Hedleya w modyfikacji Tiessena i Moira), a także porównanie zawartości tego metalu w czterech frakcjach: łatwo rozpuszczalnej, wymiennej, organicznej i rezydualnej oraz ocena ich rozmieszczenia w profilu badanych gleb. Zawartość niklu w badanych frakcjach była zróżnicowana. Najwięcej tego metalu, niezależnie od zastosowanej procedury analitycznej, stwierdzono we frakcji rezydualnej – Fresid (poziomy mineralne) oraz organicznej – Forg (poziomy ściółki leśnej – Ol), a najmniej we frakcji łatwo rozpuszczalnej – F1 (wszystkie poziomy genetyczne). Obliczenia statystyczne wykazały, że badane cztery frakcje niklu były wysoko istotnie zależne między sobą oraz wybranymi właściwościami analizowanych gleb (z wyjątkiem pH gleby i zawartości ogólnej Nit).
Źródło:
Journal of Elementology; 2009, 14, 3; 517-525
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 51

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies