Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pągowska, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Fabrication and Properties of Amorphous Zinc Oxynitride Thin Films
    Autorzy:
    Kaczmarski, J.
    Borysiewicz, M.
    Pągowska, K.
    Kamińska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398691.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.05.Gc
    81.15.Cd
    72.80.Ng
    73.61.Jc
    Opis:
    Zn-O-N thin films fabricated by reactive radio frequency magnetron sputtering have been investigated for their compositional, structural, transport and optical properties. In contrast to processes in which the reaction for either the oxide or the nitride is dominant, the multireaction process yields a substantially amorphous films with the Hall mobility within the range from 15 to 80 cm²/(V s). In addition, it has been observed that the Hall mobility increases for Zn-O-N. Since it has a narrower bandgap than ZnO, it is put forward that the high mobility is due to the valence band maximum in this material lying above the trap states in the gap commonly observable in ZnO. These traps originate from oxygen vacancies and are localized at the bottom of the band gap influencing the carrier mobility.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1; 150-152
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
    Autorzy:
    Turos, A.
    Ratajczak, R.
    Pągowska, K.
    Nowicki, L.
    Stonert, A.
    Caban, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.55.Ln
    68.35.Dv
    Opis:
    GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
    Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Wierzbicka, E.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Sathish, N.
    Pągowska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    implementacja jonowa
    dyfrakcja
    ion implantation
    diffraction
    Opis:
    W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
    In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    RBS/Channeling and TEM Study of Damage Buildup in Ion Bombarded GaN
    Autorzy:
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Turos, A.
    Nowicki, L.
    Sathish, N.
    Jóźwik, P.
    Muecklich, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504096.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.55.Ln
    68.35.Dv
    Opis:
    A systematic study on structural defect buildup in 320 keV Ar-ion bombarded GaN epitaxial layers has been reported, by varying ion fluences ranged from 5 × $10^{12}$ to 1 × $10^{17}$ at./$cm^2$. 1 μm thick GaN epitaxial layers were grown on sapphire substrates using the metal-organic vapor phase epitaxy technique. Rutherford backscattering/channeling with 1.7 $MeV^4He$ beam was applied for analysis. As a complementary method high resolution transmission electron microscopy has been used. The later has revealed the presence of extended defects like dislocations, faulted loops and stacking faults. New version of the Monte Carlo simulation code McChasy has been developed that makes it possible to analyze such defects on the basis of the bent channel model. Damage accumulation curves for two distinct types of defects, i.e. randomly displaced atoms and extended defects (i.e. bent channel) have been determined. They were evaluated in the frame of the multistep damage accumulation model, allowing numerical parameterization of defect transformations occurring upon ion bombardment. Displaced atoms buildup is a three-step process for GaN, whereas extended defect buildup is always a two-step process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 153-155
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
    The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
    Autorzy:
    Caban, P.
    Kościewicz, K.
    Strupiński, W.
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    LP MOVPE
    GaN
    4H-SiC
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
    The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
    Autorzy:
    Barcz, A.
    Pągowska, K.
    Kozubal, M.
    Guziewicz, E.
    Borysiewicz, M.
    Dyczewski, J.
    Jakieła, R.
    Ratajczak, J.
    Snigurenko, D.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.35.Dv
    Opis:
    In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 832-835
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fluorki. Metoda oznaczania fluorków we frakcji wdychalnej i respirabilnej aerozoli w środowisku pracy z zastosowaniem chromatografii jonowej
    Fluoride. Determining fluorides in the inhalable and respirable aerosol fraction in the working environment with ion chromatography
    Autorzy:
    Szewczyńska, M.
    Pągowska, E.
    Pyrzyńska, K.
    Pośniak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/138179.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    fluorki
    metoda analityczna
    metoda chromatografii jonowej
    powietrze na stanowiskach pracy
    fluorides
    analytical method
    ion chromatography
    workplaces air
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki badań przeprowadzonych w celu opracowania nowej metody oznaczania fluorków we frakcji aerozolu w powietrzu na stanowiskach pracy. Metoda polega na: wyodrębnieniu frakcji respirabilnej i wdychalnej fluorków na filtrze i piance poliuretanowej z zastosowaniem próbnika typu ekstrakcji wodą dejonizowaną oraz analizieotrzymanego roztworu z zastosowaniem chromatografii jonowej. Metoda umożliwia oznaczanie fluorków w zakresie stężeń 0,0055 mg/m3 dla próbki powietrza o objętości 20 1. Opracowana metoda została zapisana w postaci procedury analitycznej, którą zamieszczono w Załączniku.
    A new procedure for the determination of fluorides in aerosol fractions in the workplace air has been elaborated. The method is based on a collection of respirable and inhalation fractions of fluorides on methylcelluiose filter and polyurethane foam using the IOM - type sampler, extraction of fluorides with deionized water and analysis by ion chromatography. The working range of the method is 0,005 - 5 mg/m3 for 20 1 air sample. The procedure of the method is available in the Appendix.
    Źródło:
    Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy; 2014, 3 (81); 71-87
    1231-868X
    Pojawia się w:
    Podstawy i Metody Oceny Środowiska Pracy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies