Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Oszwaldowski, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Interface Energy Spectrum of Real PbTe/SnTe Heterojunction
    Autorzy:
    Litvinov, V. I.
    Oszwałdowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923797.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Lq
    71.50.+t
    Opis:
    The interface energy spectrum in real band-inverted PbTe/SnTe heterojunctions formed both in the (111) and (001) planes is calculated. It is shown that even if the valence band of SnTe lies above the conduction band minimum of PbTe, the interface, midgap states may still exist due to the strain effect on the band gaps.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 805-808
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deformation Potentials in IV-VI Quantum Wells
    Autorzy:
    Litvinov, V.
    Dugaev, V.
    Oszwałdowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1872656.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Lq
    71.50.+t
    Opis:
    Theoretical studies of the deformation potentials in quantum wells and superlattices are presented. It is shown that a difference exists between the bulk deformation potentials and deformation potentials in the low dimensional structures made of narrow-gap semiconductors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 345-348
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nanostructuring and Hardness Investigations of Thin Films by Scanning Force Microscopy
    Autorzy:
    Nowicki, M.
    Richter, A.
    Ries, R.
    Oszwałdowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968828.pdf
    Data publikacji:
    1998-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.16.Ch
    68.35.-p
    Opis:
    The scanning force microscope was used to scratch thin films and to write nanoscale pattern on surfaces as well as to perform nanoindentation for hardness measurements. Different thin film materials such as C$\text{}_{60}$ films, diamond-like carbon, metals and semiconducting films have been investigated.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 93, 2; 437-441
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Indirect Exchange in Band-Inverted Heterojunctions of IV-VI Semimagnetic Compounds
    Autorzy:
    Dugaev, V. K.
    Litvinov, V. I.
    Oszwałdowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929733.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Dx
    75.30.Et
    75.30.Hx
    Opis:
    The interaction of spins localized within the band-inverted heterojunction with the Weyl excitations is shown to differ significantly from the usual s-d interaction. The indirect exchange interaction is long-range and anti-ferromagnetic. The magnitude of interaction decreases with the distance as R$\text{}^{-3}$. The effective interaction depends on the parameters of electron energy spectrum and parameters of the heterojunction as well. It consists of anisotropic Heisenberg term and of pseudodipole terms.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 709-712
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Planar Construction of Extraordinary Magnetoresistance Sensor
    Autorzy:
    El-Ahmar, S.
    Pozniak, A.
    Jankowski, J.
    Oszwaldowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431804.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.80.Jm
    85.70.Kh
    73.43.Qt
    72.15.Gd
    Opis:
    A new version of the construction of the extraordinary magnetoresistance effect (EMR) based magnetic sensor has been proposed [2]. The differences between the original three dimensional (3D) construction and proposed 2D (planar) construction are presented. In proposed construction the metallic thin film (shunt) is coplanar with the semiconductor sensitive element. There are advantages of that planar construction like easier way of technological obtaining of the device. Another advantage is its application for EMR sensors based on new electronic materials like graphene and topological insulator thin films. The validity of the planar construction has been experimentally confirmed for model EMR sensors based on InSb/Ag structures. Comparison of the obtained experimental data with computational simulations of the EMR effect on planar model EMR sensors is performed Finite element method (FEM) is used as a tool for obtaining EMR effect simulations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 959-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Anomalous Galvanomagnetic Effects in InSb Thin Films with Superconducting Lead Inclusions
    Autorzy:
    Mironov, O. A.
    Nashchekina, O. N.
    Oszwaldowski, M.
    Berus, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1928271.pdf
    Data publikacji:
    1993-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.My
    74.50.+r
    Opis:
    We report on the first experimental observations of an anomalous increase in the resistance of a semiconductor-super conductor contact in the vicinity of the critical temperature T$\text{}_{c}$. The effect is found in lead-doped InSb thin films having inclusions of lead of 1-3 μm in diameter: The observed effect can be a model that explains similar resistance increase observed sometimes in the high T$\text{}_{c}$ superconductors.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 2; 227-230
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On possibility of application of InSb-based high-temperature Hall sensors for ITER magnetic diagnostics
    O możliwości zastosowania wysokotemperaturowych czujników Halla opartych o InSb w diagnostyce magnetycznej tokamaka ITER
    Autorzy:
    Jankowski, J.
    El-Ahmar, S.
    Oszwaldowski, M.
    Prokopowicz, R.
    Pytel, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159884.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    high-temperature
    neutron irradiation
    Hall sensor
    ITER
    magnetic diagnostics
    Opis:
    We report on irradiation experiments of InSb-based Hall samples at two types of neutron spectrums. One with thermal neutrons (natural neutron spectrum of fission reactor) and second with fast neutrons (filtered spectrum). Fluences in both cases reached almost 1018 cm-2 and that led to significant decreasing of electron mobility of samples. In case of thermal neutrons, transmutation process led to increasing of electron concentration of about 2.3×1018 cm-3. For samples irradiated with fast neutrons, twofold effect was observed: increase in electron concentration for samples with low carrier density and decrease in electron concentration for samples with high carrier density. All results raise important issue, that in case of ITER ex-vessel steady state sensors, research at different spectrum of neutrons are necessary.
    W artykule przedstawione zostały wyniki badań nad napromieniowaniem neutronami struktur halotronowych bazujących na antymonku indu (InSb). Część próbek została napromieniowana w strumieniu neutronów termicznych (widmo naturalne neutronów reaktora MARIA w Świerku), a pozostałe próbki w strumieniu neutronów prędkich (widmo filtrowane neutronów reaktora). W obu przypadkach dozy neutronów były zbliżone do poziomu 1018 cm-2, doprowadzając do znacznego spadku ruchliwości elektronów w cienkich warstwach InSb. W przypadku napromieniowania neutronami termicznymi zaobserwowano wzrost koncentracji elektronów o wartość ok. 2,3×1018 cm-3, głównie za sprawą transmutacji In -> Sn. Dla próbek napromieniowanych neutronami prędkimi wystąpiły dwa przeciwne efekty: wzrost koncentracji elektronów dla próbek o niskiej początkowej koncentracji elektronów, oraz spadek koncentracji dla próbek o wysokiej początkowej koncentracji elektronów. Wyniki badań wskazują, że w przypadku zastosowania czujników Halla w tokamaku ITER niezbędne jest przeprowadzenie badań w strumieniach neutronów o różnym widmie energetycznym.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 258; 149-156
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Energy Spectrum in Quantum Dots of Lead and Tin Chalcogenides Semiconducting Compounds
    Autorzy:
    Dugaev, V. K.
    Litvinov, V. I.
    Petrov, P. P.
    Mironov, O. A.
    Nashchekina, O. N.
    Oszwałdowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923782.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.50.+t
    71.90.+q
    Opis:
    The energy spectrum of a quantum dot made from IV-VI narrow gap semiconductors is studied. The calculations of the energy levels as functions of the dot radius are performed. When the anisotropy of the bare energy spectrum is strong, the energy levels are calculated using Fal'kovskii's adiabatic approximation for multiband systems. When the quantum dot material has an inverted band gap with respect to the host, the low-energy states within the fundamental gap are shown to arise.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 797-800
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    SnTe Phase Transition in Strained Superlattices PbTe/SnTe
    Autorzy:
    Mironov, O. A.
    Makarovskii, O. N.
    Nashchekina, O. N.
    Shpakovskaya, L. P.
    Litvinov, V. I.
    Oszwałdowski, M.
    Berus, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933932.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    64.70.-p
    73.40.-c
    Opis:
    An anomaly of the in-plane conductivity is observed in the superlattices PbTe/SnTe on (001)KCl in the temperature region of 60-130 K. The anomaly is caused by a structural phase transition in SnTe layer and as a result, the transition induced formation of defects. These defects are additional scattering centres which decrease the superlattice conductivity.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 853-856
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Superconductivity of Non-Strained PbTe-PbS and Strained PbTe-SnTe Superlattices
    Autorzy:
    Mironov, O. A.
    Chistyakov, S. V.
    Fedorenko, A. I.
    Shpakovskaya, L. P.
    Sipatov, A. Yu.
    Savitskii, B. A.
    Nashchekina, O. N.
    Oszwałdowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1890800.pdf
    Data publikacji:
    1991-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.-c
    73.60.Fw
    74.60.-w
    Opis:
    A comparative study of structural and superconductive properties of semi conductor epitaxial superlattices PbTe-SnTe and PbTe-PbS grown on (001) KCl has been carried out. It has been found that the superconductivity of the PbTe-SnTe superlattices is caused by the stretching strain in the SnTe layers and it may be connected with the relative positions of L$\text{}_{8}^{+}$ and L$\text{}_{6}^{+}$ terms of PbTe and SnTe, respectively in the heterojunction. In contrast to the PbTe-SnTe superlattices, the superconductivity of the PbTe-PbS super lattices is found to be associated with regular misfit dislocation grids which are generated at the interfaces.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 329-332
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies