Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Interface Energy Spectrum of Real PbTe/SnTe Heterojunction

Tytuł:
Interface Energy Spectrum of Real PbTe/SnTe Heterojunction
Autorzy:
Litvinov, V. I.
Oszwałdowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923797.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
71.50.+t
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 805-808
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The interface energy spectrum in real band-inverted PbTe/SnTe heterojunctions formed both in the (111) and (001) planes is calculated. It is shown that even if the valence band of SnTe lies above the conduction band minimum of PbTe, the interface, midgap states may still exist due to the strain effect on the band gaps.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies