Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Orlowski, B. A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 42
Tytuł:
Numerical Analysis of Modified Kaldor-Kalecki Model with Couplings and Delays
Autorzy:
Jackowska-Zduniak, B.
Orłowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398889.pdf
Data publikacji:
2016-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
89.65.Gh
88.05.Lg
05.45.-a
02.60.Lj
05.45.Xt
Opis:
Modified Kaldor-Kalecki-type model of business cycles with delays are considered. Unidirectional and bidirectional couplings are introduced to investigate relationships between three "global" markets and two "local" markets. Selected results of an extensive numerical analysis are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 5; 1008-1010
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Production and Properties of Apple Pomace Pellets and their Suitability for Energy Generation
Wytwarzanie, właściwości i możliwości zagospodarowania na cele energetyczne odpadowych wytłoków z przetwórstwa jabłek
Autorzy:
Wojdalski, J.
Grochowicz, J.
Ekielski, A.
Radecka, K.
Stępniak, S.
Orłowski, A.
Florczak, I.
Drożdż, B.
Żelaziński, T.
Kosmala, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1815490.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
pellets
pressure agglomeration
apple pomace
biomass energy
heat of combustion
pellety
aglomeracja ciśnieniowa
wytłoki jabłkowe
energia biomasy
ciepło spalania
Opis:
The food processing industry, including fruit and vegetable processing sectors, produce significant quantities of waste and environmental pollutants. Food processing is a complex and demanding process because raw materials are supplied on a seasonal basis, they spoil easily and may be a source of microbiological contamination during production. Apple pomace is a by-product of fruit and vegetable processing, and it constitutes biodegradable waste. Small quantities of pomace are not harmful to the environment, but large amounts of waste could pose a problem for processing plants. Pressed pomace can be used in industrial processing and power generation. This is one of the easiest pomace management methods, in particular in regions where large amounts of waste cannot be quickly processed into animal feed or where transport is not an option due to considerable distance. This paper presents the methodology and the results of analyses investigating the properties of apple pomace and its management scenarios. A review of published sources discussing the achievements in pomace management precedes the experimental part of this study. Samples of ground and unground apple pomace were analyzed to determine: granulometric composition – the size distribution of apple pomace fractions, pressure agglomeration, compaction energy and expansion of samples immediately after pressing and after 24 hours, the heat of combustion of the analyzed apple pomace, which was compared with the heat of combustion of other fruit and vegetable processing waste. The compaction energy of samples was determined with the use of a BLUEHILL-2 application for controlling the INSTRON 8802 machine. Material was subjected to compressive strength tests, and the expansion of samples was determined after 24 hours of storage. The total compaction energy of unground pomace ranged from 66.60 to 150.00 J·g-1, and of ground pomace from 34.79 to 149.95 J·g-1 at a temperature of 20°C and relative air humidity of 31.7%. The density of the resulting apple pomace pellets was determined in the range of 1114.0-1166.3 and 1114.0-1168.1 g·dm-3. The heat of combustion of pressed pomace samples, measured in a calorimeter, was 19 MJ·kg-1. The results of the study indicate that if apple pomace has net calorific value of 17.3 MJ·kg-1 and the effectiveness of a steam boiler reaches 70%, the amount of energy generated by the combustion of apple pellets is 80 to 340 times higher than the amount of energy consumed during processing under the load of 50 kN and 10 kN, respectively. The management of apple pomace in the production plant can serve as an example of a "waste-free" technology. The use of processed apple pomace for energy generation purposes may contribute to improving energy efficiency in production processes in fruit and vegetable processing plants.
Przemysł spożywczy, a w tym branża owocowo-warzywna, dostarczają znacznych ilości odpadów i zanieczyszczeń środowiska. Utrudnione jest także prowadzenie produkcji, gdyż surowce do przerobu są dostarczane sezonowo, łatwo ulegają zepsuciu i mogą być źródłem zakażenia mikrobiologicznego. Wytłoki jabłkowe są jednym z odpadów przemysłu owocowo-warzywnego i należą do odpadów biodegradowalnych. Małe ich ilości nie są szkodliwe dla środowiska, lecz duża koncentracja może stanowić problem dla zakładu produkcyjnego. Prasowane wytłoki mogą mieć zastosowanie do wytwarzania produktów użytkowych lub w energetyce. Jest to jedna z metod zagospodarowania wytłoków jabłkowych, szczególnie w rejonach, w których występuje ich nadmiar i nie ma możliwości szybkiego przerobu w celach paszowych lub transport na duże odległości nie jest opłacalny. Przedstawiono problematykę, metodykę badań oraz analizę wyników badań dotyczących właściwości i zagospodarowania wytłoków jabłkowych. Część badawczą poprzedzono przeglądem literatury, w której zawarto dostępne osiągnięcia w tej dziedzinie. Badaniom poddano wytłoki przed i po rozdrobnieniu. Zakres pracy obejmował:- analizę składu granulometrycznego w celu określenia wielkości poszczególnych frakcji zawartych w próbkach wytłoków,- aglomerację ciśnieniową i określenie energii zagęszczania oraz rozprężenie otrzymanych próbek bezpośrednio po prasowaniu i po upływie 24 godzin,- ustalenie ciepła spalania badanych wytłoków jabłkowych i porównanie z ciepłem spalania innych odpadów z przemysłu owocowo-warzywnego. Energię zagęszczania badanych próbek ustalano na podstawie odczytów uzyskanych w wyniku stosowania oprogramowania BLUEHILL-2 stosowanego do obsługi maszyny INSTRON 8802. Poddano analizie wytrzymałościowej próbki wytłoków i określano ich rozprężenie po upływie 24-godzinnego przechowywania. Całkowita energia zagęszczania dla pelletów z wytłoków nierozdrobnionych zawierała się w granicach od 66,60 do 150,00 J/g, zaś dla pelletów z wytłoków rozdrobnionych wskaźniki te wynosiły od 34,79 J/g do 149,95 J/g w temperaturze 20°C i wilgotności względnej powietrza 31,7%. Gęstość otrzymanych pelletów wynosiła odpowiednio w granicach 1114,0-1166,3 i 1114,0-1168,1 g/d3. Sprasowane próbki badawcze poddano badaniom ciepła spalania w bombie kalorymetrycznej. Ciepło spalania wytłoków jabłkowych wynosiło 19 MJ/kg. Z punktu widzenia opłacalności procesu można stwierdzić, że np. przyjmując wartość opałową wynoszącą 17.3 MJ/kg i sprawność przemian energii w kotle parowym wynoszącą 70%, energia uzyskana ze spalania pelletów jabłkowych może być od 80 do 340 razy większa w porównaniu z zapotrzebowaniem energii na ich produkcję stosując naciski odpowiednio 50 kN i 10 kN. Zagospodarowanie wytłoków jabłkowych bezpośrednio w zakładzie produkcyjnym może być przykładem zastosowania „technologii bezodpadowej”. Ponadto zagospodarowanie wytłoków na cele energetyczne może częściowo wpłynąć na wzrost efektywności energetycznej produkcji zakładu owocowo-warzywnego.
Źródło:
Rocznik Ochrona Środowiska; 2016, Tom 18, cz. 1; 89-111
1506-218X
Pojawia się w:
Rocznik Ochrona Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Quasi Fermi Levels in Semiconductor Photovoltaic Heterojunction
Autorzy:
Orlowski, B.
Pieniazek, A.
Goscinski, K.
Kopalko, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1185195.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
Opis:
The photovoltaic heterojunction elements are build of two different semiconductors of n and p type. Under cell illumination the same density of n and p carriers are created in each generation point but it leads to the remarkably higher increase of relative concentration for minority than for majority carriers. It is causing bigger energy change of the quasi Fermi level of minority than of majority carriers. The minority carriers decide of the value of generated photovoltage while the majority carriers contribution to it, in most cases can be neglected. Measured change of the generated open circuit photovoltage versus illumination light intensity allows to estimate corresponding to it increase of the minority carrier concentration. These allows as well to scan the part of the forbidden gap region by the minority carriers quasi Fermi level and in a case of impurity or defect levels located in forbidden gap it can influence on the continuous dependence of generated photovoltage versus light intensity e.g. for pinning of the Fermi level. To create efficient photovoltaic heterojunction it will need to study electronic properties of the used impurities and their proper distribution in the region of junction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-100-A-102
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Corporate social responsibility as an instrument of sustainable development of production enterprises
Społeczna odpowiedzialność biznesu jako instrument zrównoważonego rozwoju przedsiębiorstw produkcyjnych
Autorzy:
Gaweł, E.
Jałoszyńska, A.
Orłowski, M.
Ratajczak, E.
Ratajczak, J.
Riera, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1206082.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
STE GROUP
Tematy:
CSR
sustainable development
production enterprises
rozwój zrównoważony
przedsiębiorstwo produkcyjne
Opis:
The paper deals with the issue of corporate social responsibility as an instrument of operationalising the paradigm of sustainable development on the microeconomic level in the sector of production enterprises. It presents a genesis and importance of CSR and indicates the most relevant essential instruments of CSR implementation on an enterprise level. The paper also analyses endogenous and exogenous benefits from implementing CSR into the business practice.
Artykuł podejmuje problematykę społecznej odpowiedzialności biznesu jako instrumentu opercjonalizacji paradygmatu zrównoważonego rozwoju na poziomie mikroekonomicznym, w sektorze przedsiębiorstw produkcyjnym. Przedstawiono w nim genezę i znaczenie CSR oraz wskazano najważniejsze instrumenty realizacji CSR na poziomie przedsiębiorstwa. Jednocześnie omówiono korzyści o charakterze endo- i egzogenicznym wynikające z wdrożenia CSR do praktyki gospodarczej.
Źródło:
Management Systems in Production Engineering; 2015, 3 (19); 152-155
2299-0461
Pojawia się w:
Management Systems in Production Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical Analysis of Two Coupled Kaldor-Kalecki Models with Delay
Autorzy:
Jackowska-Zduniak, B.
Grzybowska, U.
Orłowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1388508.pdf
Data publikacji:
2015-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
89.65.Gh
88.05.Lg
05.45.-a
02.60.Lj
05.45.Xt
Opis:
This paper is concerned with two coupled Kaldor-Kalecki models of business cycles with delays in both the gross product and the capital stock. We consider two types of investment functions that lead to different behavior of the system. We introduce the model with unidirectional coupling to investigate the influence of a global economy (like the European Union) on a local economy (like Poland). We present detailed results of numerical analysis.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 3A; A-70-A-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission Electronic Spectra οf CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe
Autorzy:
Orlowski, B.
Dziawa, P.
Gas, K.
Reszka, A.
Mickievicius, S.
Thiess, S.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492971.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.Jv
71.20.Mq
73.40.-c
Opis:
The synchrotron radiation was used to apply tunable high energy X-ray photoemission spectroscopy for investigation of electronic structure of semiconductor nanostructure CdTe/$Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$/CdTe/GaAs(001) top part. The $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ (6 nm thick) was buried under thin (22 nm) top layer of CdTe transparent for part of electrons photoemitted from $Pb_{0.95}Eu_{0.05}Te$ buried layer. The top layer of CdTe was sputtered by Ar ion bombardment for surface cleaning and for leaving the thickness of CdTe more transparent for photoelectrons emitted from buried layer. For these thickness of the top layer the photoemission energy distribution curves corresponding to the valence band and core levels electrons of the buried layer atoms were measured with application of synchrotron radiation of energy hν = 3510 eV. The measured spectra corresponding to the buried layer atoms were observed in the valence band region and in the high binding energy region for core levels of Pb 4f, Pb 3d. The valence band contribution and core levels Cd 4d and Cd 3d were obtained mainly from top cover layer. Measured Te 4d, Te 3d and Te 4d spectra possess contribution as well from top cover layer as from the buried layer. The amount of Eu atoms was to small to be reasonable detected and presented in the paper.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 960-963
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192036.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
obróbka termiczna
materiał półizolujący
własności elektryczne
annealing
SI crystal
electrical properties
Opis:
Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.
Influence of annealing conditions on the properties of undoped gallium phosphide crystals obtained from the melt: near stoichiometric, with gallium excess or phosphorus excess, as well as with different carbon concentration was investigated. Monocrystalline blocks with a thickness of 10 - 20 mm and wafers with a thickness of ∼ 700 urn were annealed. Annealing conditions such as the temperature, time and phosphorus vapor pressure in the ampoule allowing for obtaining semi-insulating material, were determined. It was confirmed that as result of annealing undoped GaP crystals with the carrier concentration n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ and carbon concentration Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ we can obtain SI n - type material. At the carbon concentration Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ the SI material of p - type can be obtained.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 27-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Valence States of Metal Ions in $La_{0.7}Ce_{0.3}MnO_3$ Thin Films
Autorzy:
Mickevičius, S.
Bondarenka, V.
Grebinskij, S.
Oginskis, A.
Butkutė, R.
Tvardauskas, H.
Vengalis, B.
Orlowski, B.
Osinniy, V.
Pietrzyk, M.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813469.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Nr
71.20.Eh
Opis:
We report valence states of ions in $La_{0.7}Ce_{0.3}MnO_3$ thin films grown by a reactive dc magnetron sputtering. The measurements were performed by means of high-energy X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. It was found that Ce ion in the compound is either in tetravalent or trivalent chemical state, manganese is in divalent, trivalent and tetravalent states, while La ion existing in oxide and hydroxide chemical species is in trivalent state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1071-1074
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Surma, B.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
widmo absorpcyjne w podczerwieni
krzywa kalibracji
niedomieszkowany monokryształ GaP
określanie koncentracji węgla
Opis:
W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission Study of Mn 3d Electrons in the Valence Band of Mn/GeMnTe
Autorzy:
Pietrzyk, M. A.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Knoff, W.
Osinniy, V.
Kowalik, I. A.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047678.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Mq
Opis:
We present the results of the electronic band structure study of Ge$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$Te epilayers, clean and modified in situ by deposition of manganese atoms. The sets of resonant photoemission spectra were measured for the photon energy range covering the energy of Mn 3p→3d transition (45
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 275-281
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Surface Hydro-Oxidation of LaNiO$\text{}_{3-x}$ Thin Films
Autorzy:
Mickevičius, S.
Grebinskij, S.
Bondarenka, V.
Lisauskas, V.
Šliužienė, K.
Tvardauskas, H.
Vengalis, B.
Orłowski, B. A.
Osinniy, V.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047365.pdf
Data publikacji:
2007-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Nr
29.20.Lq
Opis:
The high-energy X-ray photoelectron spectroscopy was used to determine the composition and chemical structure of epitaxial LaNiO$\text{}_{3-x}$ films obtained by a reactive dc magnetron sputtering. It was found that the oxide and hydroxide species of La and Ni are on the films surface. The thickness of hydroxide enriched layer, estimated from the oxide and hydroxide peak intensities, is about 2 nm.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 1; 113-120
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Wegner, R.
Piersa, N.
Surma, B.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Materna, A.
Gładki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
optyka w podczerwieni
monokryształ
transmitancja monokryształów
zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
Opis:
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Band Structure of Mn/ZnTe Studied, by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Orlowski, B. A.
Pietrzyk, M.
Kaczor, P.
Kopalko, K.
Mickievicius, S.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044491.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.23.-k
Opis:
The electronic band structure of Mn/ZnTe(110) (1×1) has been studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy. The sets of spectra were acquired for the clean surface and after in situ deposition of 0.4 ML of Mn, in order to compare the band structures and to reveal changes brought about by the presence of Mn. The experimental band structure diagram of Mn/ZnTe along theΓ-K direction in the Brillouin zone has been derived from the experimental data. Indications of interaction between the Mn 3d states and sp$\text{}^{3}$ bands of the semiconductor are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 735-740
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fano Resonance of Eu$\text{}^{2+}$ and Eu$\text{}^{3+}$ in (Eu,Gd)Te MBE Layers
Autorzy:
Orlowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Dziawa, P.
Pietrzyk, M.
Mickievicius, S.
Osinniy, V.
Taliashvili, B.
Kowalik, I. A.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044511.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Mq
Opis:
Resonant photoemission spectroscopy, with application of synchrotron radiation, was used to study the valence band electronic structure of clean surface of (EuGd)Te layers. Fano-type resonant photoemission spectra corresponding to the Eu 4d-4f transition were measured to determine the contribution of 4f electrons of Eu$\text{}^{2+}$ and Eu$\text{}^{3+}$ ions to the valence band. The resonant and antiresonant photon energies of Eu$\text{}^{2+}$ ions were found as equal to 141 V and 132 eV, respectively and for Eu$\text{}^{3+}$ ions were found as equal to 146 eV and 132 eV, respectively. Contribution of Eu$\text{}^{2+}$4f electrons was found at the valence band edge while for Eu$\text{}^{3+}$ it was located in the region between 3.5 eV and 8.5 eV below the valence band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 803-807
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Propagation in a Magnetic Field: Random Green Matrix Approach
Autorzy:
Pinheiro, F. A.
Rusek, M.
Orłowski, A.
van Tiggelen, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2037256.pdf
Data publikacji:
2004-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.25.Dd
78.20.Ls
Opis:
We studied the spectral properties of the matrices describing multiple scattering of electromagnetic waves from randomly distributed point-like magneto-optically active scatterers under an external magnetic field B. We showed that the complex eigenvalues of these matrices exhibit some universal properties such as the self-averaging behavior of their real parts, as in the case of scatterers without magneto-optical activity. However, the presence of magneto-optically active scatterers is responsible for a striking particularity in the spectra of these matrices: the splitting of the values of the imaginary part of their eigenvalues. This splitting is proportional to the strength of the magnetic field and can be interpreted as a consequence of the Zeeman splitting of the energy levels of a single scatterer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 4; 339-347
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 42

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies