Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Orletsky, I." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Fabrication and Properties of the Photosensitive Anisotype $n-Cd_{x}Zn_{1-x}O$/p-CdTe Heterojunctions
Autorzy:
Khomyak, V.
Brus, V.
Ilashchuk, M.
Orletsky, I.
Shtepliuk, I.
Lashkarev, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376075.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
73.40.Lq
81.15.Lm
Opis:
We have fabricated photosensitive anisotype $n-Cd_{x}Zn_{1-x}O$/p-CdTe heterojunctions by a deposition of $Cd_{0.5}Zn_{0.5}O$ film onto freshly-cleaved CdTe monocrystalline wafers using a radiofrequency magnetron reactive sputtering of a zinc-cadmium alloy target. Fundamental electrical properties of the heterojunctions were studied. Dominant mechanisms of a current transport were found. $n-Cd_{x}Zn_{1-x}O$/p-CdTe heterojunctions were photosensitive and were able to operate both in photovoltaic and photodiode modes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1163-1166
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Characterization of Photosensitive n-CdO/p-InSe Heterojunctions
Autorzy:
Kudrynskyi, Z.
Kovalyuk, Z.
Katerynchuk, V.
Khomyak, V.
Orletsky, I.
Netyaga, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399305.pdf
Data publikacji:
2013-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Lq
73.40.Gk
68.35.B-
72.20.Jv
Opis:
Photosensitive n-CdO/p-InSe heterojunctions were developed and studied for the first time. The heterojunctions were fabricated by dc reactive magnetron sputtering of CdO thin films onto the freshly cleaved p-InSe single-crystal substrates (0 0 1). Surface morphology of the obtained films was studied by means of atomic force microscopy. From the X-ray diffraction result it is shown that the CdO film is polycrystalline with cubic structure. The mechanisms of current transport through the space-charge region under forward and back biases were established by investigation of temperature dependences of the I-V characteristics. The main photoelectric parameters and the photosensitivity spectra were measured at room temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 4; 720-723
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies