Photosensitive n-CdO/p-InSe heterojunctions were developed and studied for the first time. The heterojunctions were fabricated by dc reactive magnetron sputtering of CdO thin films onto the freshly cleaved p-InSe single-crystal substrates (0 0 1). Surface morphology of the obtained films was studied by means of atomic force microscopy. From the X-ray diffraction result it is shown that the CdO film is polycrystalline with cubic structure. The mechanisms of current transport through the space-charge region under forward and back biases were established by investigation of temperature dependences of the I-V characteristics. The main photoelectric parameters and the photosensitivity spectra were measured at room temperature.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00