Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Orłowski, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 35
Tytuł:
Sprawozdanie z 63 Zjazdu Delegatów Oddziałów PTL w dniu 20 września 1963 r. w Kielcach
A report from the 63rd Meeting of Delegates of the Polish Forest Society territorial branches on 20th September, 1963, in Kielce
Autorzy:
Strzelecki, W.
Orlowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/824725.pdf
Data publikacji:
1964
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Źródło:
Sylwan; 1964, 108, 03
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Structure of the CdTe(100)-(1×1) Surface
Autorzy:
Gawlik, K.-U.
Brugmann, J.
Harm, S.
Janowitz, C.
Manzke, R.
Skibowski, M.
Solterbeck, C.-H.
Schattke, W.
Orłowski, B. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1920920.pdf
Data publikacji:
1992-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
79.60.Eq
Opis:
Unreconstructed CdTe(100) surface prepared by ion bombardment and annealing is investigated by angle-resolved photoemission. The experimental band structure E(k$\text{}_{∥}$) is determined along high-symmetry lines of the surface Brillouin zone by measuring energy-distribution curves of photoelectrons. Different criteria were applied to separate surface and bulk related spectral features, e.g. calculating the position of bulk-derived emissions in the frame of the free-electron final state approximation assuming k conservation. In this way, most dispersing features could be explained. All remaining features were compared with theoretical surface band structures for different polar surface terminations which were calculated within a layer doubling procedure on the basis of an EHT-fit to the bulk band structure. The investigated CdTe(100)-(1×1) surface could be identified as Cd terminated. Two surface bands were observed, one located above the valence-band edge and the second in the open pocket of the projected bulk band structure along the Γ̅K̅ direction. At 4.6 eV binding energy an additional weakly dispersing band was found, which contains mixed surface and bulk character. The high density of bulk states associated with this edge of the heteropolar gap is also expected to contribute to this feature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 2; 355-361
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Visible Luminescence from Porous Silicon
Autorzy:
Bała, W.
Firszt, F.
Nossarzewska-Orłowska, E.
Brzozowski, A.
Orłowski, B. A.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929748.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.-w
Opis:
This paper presents results of investigation of the temperature dependence of visible luminescence in porous silicon layers prepared by anodization in hydrofluoric acid. Luminescence spectra were measured in the temperature range between 40 K and 350 K. Room temperature reflectivity spectra were also measured in vacuum ultraviolet radiation range from 4 eV to 12 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 761-764
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reflectivity Study of Hg$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se Crystals
Autorzy:
Guziewicz, E.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Szuszkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931782.pdf
Data publikacji:
1994-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
Opis:
The reflectivity spectra of Hg$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se (x = 0.0, 0.024, 0.031) crystals were measured in the vacuum ultraviolet photon energy range from 4 to 12 eV to find the influence of Co ions on the valence band electronic structure of the HgSe crystal. The structure of the reflectivity spectra was interpreted in terms of the electronic band structure of the binary material (HgSe) assuming direct allowed interband transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 5; 875-878
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Band Structure of Cubic HgS
Autorzy:
Guziewicz, E.
Kowalski, B.
Orłowski, B. A.
Dybko, K.
Witkowska, B.
Szuszkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873013.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
Opis:
Reflectivity spectra of Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$S (x < 0.04) and HgSe$\text{}_{1-y}$S$\text{}_{y}$ (y < 0.5) mixed crystals were measured in the vacuum ultraviolet energy range from 4 to 12 eV. Information about the electronic band structure of cubic modification of HgS resulting from the above data is analyzed and discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 395-398
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fe 3d Contribution to the Valence Band of Cubic Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$S - Resonant Photoemission Study
Autorzy:
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Szuszkiewicz, W.
Witkowska, B.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933837.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
Opis:
Resonant photoemission spectra of cubic Ηg$\text{}_{0.94}$Fe$\text{}_{0.06}$S were measured for photon energies near to the energy of intra atomic Fe 3p$\text{}^{6}$3d$\text{}^{6}$ → 3p$\text{}^{5}$3d$\text{}^{7}$ transition. The difference between the spectra taken at resonance and antiresonance is presented as a measure of the energy distribution of Fe 3d derived states. The results obtained show that Fe 3d states contribute to the whole valence band with a distinct structure appearing at the band edge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 791-794
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fotogrametryczny pomiar odkształceń termicznych mostów stalowych
Photogrammetric measurements of thermal deformations of steel bridges
Autorzy:
Buczek, W.
Orłowski, P.
Preuss, R.
Sobala, D.
Zobel, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/130786.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Stowarzyszenie Geodetów Polskich
Tematy:
most stalowy
odkształcenie termiczne
pomiar odkształceń
pomiar fotogrametryczny
wiadukt kolejowy
steel bridge
thermal deformation
deformation measurement
photogrammetric measurement
railway bridge
Opis:
Interest in natural thermal phenomena, which occur in bridges, has been lasting from the thirties. However, field measurements of real objects have been performed very seldom. Therefore experimental verification of theoretical works becomes very important. An attempt concerning such investigations was performed within the Research Project KBN (the Committee of Scientific Research) no 7 T07E 012 15 "Development of methodology of determination of thermal deformations of steel bridges" at the Institute of Road and Bridges of the Warsaw University of Technology. Analysis of climatic conditions in Poland allowed to select a region characterised by the extreme distribution of annual and daily temperatures. Such requirements were met by the area of the city of Przemyśl. Two bridges were selected for measurements and tests within this area: one plate girder road object with an integrated pier of 152.9 m expansion, and the second object, a railway flyover with an ortotropowym channel cut-walk of 20 m expansion. Measurements of temperatures and spatial deformations, made by means of electronic meters, with the use of a photogrammetric method, were performed in January and July of 1999 and 2000. A concept of differential measurements was assumed as an initial method for designing photogrammetric measurements. For that purpose photographs were taken from stable positions, with repeatable external orientation photogrammetric cameras. Due to considerable time intervals of successive registration, this condition was approximately met in practice. This allowed to perform observations according to the temporary stereogramme mode, for which only changes of external orientation of photographs, resulting from the method of restoration of positions and utilisation of the (JMK-IO low stability camera, were determined. Observations were performed by means of an analytical stereo-plotter. with the use of a specialised procedure of measurements performed according to the mode of temporary stereogrammes. Each of measured objects was registered by means of a net of coherent photographs, in order to allow equal determination of co-ordinates of investigated points. In practice, photogrammetric models, which describe particular geometric features of investigated bridges, were reconstructed with the accuracy of mx = my = mz = +/-2mm Values of deformations, determined by means of the photogrammetric method (with an exception of the component perpendicular to the axis of the investigated bridge) have met expectations of "road experts".
Źródło:
Archiwum Fotogrametrii, Kartografii i Teledetekcji; 2001, 11; 3-7-3-18
2083-2214
2391-9477
Pojawia się w:
Archiwum Fotogrametrii, Kartografii i Teledetekcji
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Resonance and Dielectric Studies of a Nonlinear La$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{5.5}$Ta$\text{}_{0.5}$O$\text{}_{14}$ Single Crystal Doped with Erbium
Autorzy:
Bodziony, T.
Typek, J.
Orlowski, M.
Majszczyk, J.
Wabia, M.
Berkowski, M.
Ryba-Romanowski, W.
Guskos, N.
Likodimos, V.
Anagnostakis, E. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035732.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.Kg
77.22.Ch
Opis:
Single crystal of erbium doped La$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{5.5}$Ta$\text{}_{0.5}$O$\text{}_{14}$ grown by the Czochralski method have been investigated by electron paramagnetic resonance and dielectric spectroscopy methods. Dielectric permittivity ε measurements performed in 90-440 K temperature range have shown negligible dispersion for 1 kHz - 1 MHz frequencies and a Curie-Weiss type behaviour with C=47700 K andθ=-340 K. Electron paramagnetic resonance studies have revealed the presence of two different paramagnetic, monoclinic centres. The calculated g factor values are: g$\text{}_{1}$=1.449, g$\text{}_{2}$=11. 534, g$\text{}_{3}$=4.24 for the main M$\text{}_{1}$ centre and g$\text{}_{1}$=1.98, g$\text{}_{2}$=4.169, g$\text{}_{3}$=4.25 for the weaker M$\text{}_{2}$ centre. The temperature dependence of EPR line intensity for centre M$\text{}_{1}$ and M$\text{}_{2}$ is quite different - while lines attributed to M$\text{}_{1}$ could only be observed at low temperatures, below 20 K, lines of M$\text{}_{2}$ centre persisted up to 200 K. The M$\text{}_{1}$ centre is connected with Er$\text{}^{3+}$ ion entering substitutionally into La$\text{}^{3+}$ site, while M$\text{}_{2}$ is probably connected with 3d ions at the same site, unintentionally introduced into the material as an admixture.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 2-3; 315-322
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Spectroscopy of GaAs Doped with Mn
Autorzy:
Rutkowska, A.
Wasik, D.
Witowski, A.
Sadowski, M.
Orłowski, W.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044531.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:
We found that the fine structure related to Lyman spectra of [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] centers in GaAs was present only for samples with low Mn concentration. Such samples, at low temperature, did not show any hopping conductance within Mn impurity band. Magnetooptical measurements revealed that magnetic field induced splitting of the Lyman optical transitions was larger than Zeeman splitting observed for typical shallow acceptors in GaAs, like Be, Zn, and C. This experimental result proved that in the case of Mn acceptor impurity, the exchange coupling of a hole and the S = 5/2 Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) core could not be neglected, which was in accordance with the [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] model of the neutral Mn center in GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 845-849
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Wegner, R.
Piersa, N.
Surma, B.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Materna, A.
Gładki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
optyka w podczerwieni
monokryształ
transmitancja monokryształów
zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
Opis:
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Surma, B.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
widmo absorpcyjne w podczerwieni
krzywa kalibracji
niedomieszkowany monokryształ GaP
określanie koncentracji węgla
Opis:
W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoemission Study of Mn 3d Electrons in the Valence Band of Mn/GeMnTe
Autorzy:
Pietrzyk, M. A.
Kowalski, B. J.
Orłowski, B. A.
Knoff, W.
Osinniy, V.
Kowalik, I. A.
Story, T.
Johnson, R. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047678.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Mq
Opis:
We present the results of the electronic band structure study of Ge$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$Te epilayers, clean and modified in situ by deposition of manganese atoms. The sets of resonant photoemission spectra were measured for the photon energy range covering the energy of Mn 3p→3d transition (45
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 275-281
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Surface Hydro-Oxidation of LaNiO$\text{}_{3-x}$ Thin Films
Autorzy:
Mickevičius, S.
Grebinskij, S.
Bondarenka, V.
Lisauskas, V.
Šliužienė, K.
Tvardauskas, H.
Vengalis, B.
Orłowski, B. A.
Osinniy, V.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047365.pdf
Data publikacji:
2007-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Nr
29.20.Lq
Opis:
The high-energy X-ray photoelectron spectroscopy was used to determine the composition and chemical structure of epitaxial LaNiO$\text{}_{3-x}$ films obtained by a reactive dc magnetron sputtering. It was found that the oxide and hydroxide species of La and Ni are on the films surface. The thickness of hydroxide enriched layer, estimated from the oxide and hydroxide peak intensities, is about 2 nm.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 1; 113-120
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Valence States of Metal Ions in $La_{0.7}Ce_{0.3}MnO_3$ Thin Films
Autorzy:
Mickevičius, S.
Bondarenka, V.
Grebinskij, S.
Oginskis, A.
Butkutė, R.
Tvardauskas, H.
Vengalis, B.
Orlowski, B.
Osinniy, V.
Pietrzyk, M.
Drube, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813469.pdf
Data publikacji:
2008-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
79.60.-i
71.20.Nr
71.20.Eh
Opis:
We report valence states of ions in $La_{0.7}Ce_{0.3}MnO_3$ thin films grown by a reactive dc magnetron sputtering. The measurements were performed by means of high-energy X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. It was found that Ce ion in the compound is either in tetravalent or trivalent chemical state, manganese is in divalent, trivalent and tetravalent states, while La ion existing in oxide and hydroxide chemical species is in trivalent state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 1071-1074
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192034.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
własności elektryczne
własności optyczne
optical properties
electrical properties
Opis:
Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.
Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 22-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 35

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies